一种混合纳米晶软磁屏蔽材料制造技术

本实用新型专利技术公开了一种混合纳米晶软磁屏蔽材料，其包括若干层叠设在一起形成多层结构的纳米晶层，相邻两层所述纳米晶层通过双面胶粘贴在一起，若干层所述纳米晶层压合形成所述多层结构；所有的所述纳米晶层中至少包含有两种不同饱和磁感应强度的纳米晶层。本实用新型专利技术在保障具有同等充电转换效率的前提下，具有更高的抗饱和能力和更小的磁场损耗，且成本更低，更具有市场竞争力。更具有市场竞争力。更具有市场竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种混合纳米晶软磁屏蔽材料


[0001]本技术属于无线充电
，特别是涉及一种混合纳米晶软磁屏蔽材料。

技术介绍

[0002]无线充电技术(Wireless charging technology)源于无线电能传输技术。充电器与用电装置之间以磁场传送能量，两者之间不用电线连接，因此充电器及用电的装置都可以做到无导电接点外露。无线充电能提供大功率、高效率、防水安全性高的优点。可以应用于家具、汽车、手机终端、无线穿戴产品、医疗、工业供电等领域。相比传统插头接触式充电，其在防水安全方面有明显的优势。
[0003]NFC(Near Field Communication，简称NFC)，可以在彼此靠近的情况下进行数据交换，是由非接触式射频识别(RFID)及互连互通技术整合演变而来的，通过在单一芯片上集成感应式读卡器、感应式卡片和点对点通信的功能，利用移动终端实现移动支付、电子票务、门禁、移动身份识别、防伪等应用。
[0004]随着无线充电和NFC普遍应用的需求，目前手持智能终端WPC和NFC几乎成为标配，无线充电的结构类似于变压器，由发射端和接收端构成，发射端和接收端都是由线圈和磁性材料构成，磁性材料有不同的选择，有铁氧体、非晶、纳米晶等。WPC和NFC共线圈结构多用纳米晶软磁屏蔽材料，纳米晶软磁屏蔽材料的作用主要有隔磁屏蔽、导磁降阻。但现有技术中大多数都是采用纳米晶材料与铁氧体材料的叠设，如专利公开号为CN108597792A公开了一种应用于大功率快速无线充电发射端的磁性材料，其公开了一种采用两个金属基软磁材料夹设一层铁氧体材料形成三明治结构，但铁氧体材料层的厚度较厚且导热效率低，其自身损耗高充电效率不够理想。
[0005]现有技术中也有采用纳米晶与纳米晶叠设而成的软磁屏蔽材料，但通常这些多层纳米晶材料都是单一饱和磁感应强度的纳米晶材料，如专利号为CN201921213833.0公开的汽车大功率无线充电的纳米晶电磁屏蔽材料，又如目前市面上常规的单一1.2T(饱和磁感应强度)4层叠设结构、单一1.4T 4层叠设结构或单一1.2T 6层叠设结构等。采用单一饱和磁感应强度的纳米晶材料进行叠设，若要实现更高的充电效率，则需要采用更高饱和磁感应强度的纳米晶进行叠设或者采用更多层的同等饱和磁感应强度纳米晶叠设；若进行层数的增加，一方面厚度加厚，不利于轻薄化设计；另一方面层数的增加也导致成本的增加；若选用更高饱和磁感应强度的纳米晶，则磁场损耗会变大，因此，有必要提供一种新的混合纳米晶软磁屏蔽材料来解决上述问题。

技术实现思路

[0006]本技术的主要目的在于提供一种混合纳米晶软磁屏蔽材料，在保障具有同等充电转换效率的前提下，具有更高的抗饱和能力和更小的磁场损耗，且成本更低，更具有市场竞争力。
[0007]本技术通过如下技术方案实现上述目的：一种混合纳米晶软磁屏蔽材料，其
包括若干层叠设在一起形成多层结构的纳米晶层，相邻两层所述纳米晶层通过双面胶粘贴在一起，若干层所述纳米晶层压合形成所述多层结构；所有的所述纳米晶层中至少包含有两种不同饱和磁感应强度的纳米晶层。
[0008]进一步的，其自上而下依次包括第一纳米晶层、第一胶层、第二纳米晶层、第二胶层、第三纳米晶层、第三胶层以及第四纳米晶层。
[0009]进一步的，所述第一纳米晶层与所述第二纳米晶层的饱和磁感应强度选自1.1T～1.3T中任意一种或两种，所述第三纳米晶层与所述第四纳米晶层的饱和磁感应强度选自1.4T～1.7T中任意一种或两种。
[0010]进一步的，所述第一纳米晶层与所述第二纳米晶层的饱和磁感应强度为1.4T，所述第三纳米晶层与所述第四纳米晶层的饱和磁感应强度选自1.5T～1.7T中任意一种或两种。
[0011]进一步的，所述第一纳米晶层与所述第二纳米晶层的饱和磁感应强度为1.5T，所述第三纳米晶层与所述第四纳米晶层的饱和磁感应强度选自1.6T～1.7T中任意一种或两种。
[0012]进一步的，其自上而下依次包括第一纳米晶层、第一胶层、第二纳米晶层、第二胶层以及第三纳米晶层。
[0013]进一步的，所述第一纳米晶层与所述第二纳米晶层的饱和磁感应强度选自1.1T～1.4T中任意一种或两种，所述第三纳米晶层的饱和磁感应强度为1.5T～1.7T或两种。
[0014]进一步的，所述纳米晶层的厚度为0.018～0.023mm。
[0015]进一步的，所述双面胶的厚度为0.01～0.05mm。
[0016]进一步的，相邻两层所述纳米晶层具有不同的饱和磁感应强度。
[0017]与现有技术相比，本技术一种混合纳米晶软磁屏蔽材料的有益效果在于：采用混合不同饱和磁感应强度的纳米晶叠加形成软磁屏蔽材料结构，在达到相同的充电转换效率的同时能够降低纳米晶材料叠设层数，使得产品更薄，降低了无线充电模组的厚度与制作成本，且具有更低的磁场损耗；采用混合不同饱和磁感应强度的纳米晶叠加形成软磁屏蔽材料，在使用相同叠设层数的纳米晶时，具有更高的充电转换效率。
【附图说明】
[0018]图1为本技术实施例1
‑
3的结构示意图；
[0019]图2为本技术实施例4的结构示意图；
[0020]图中数字表示：
[0021]10、20
‑
混合纳米晶软磁屏蔽材料；
[0022]11、21
‑
第一纳米晶层，12、22
‑
第一胶层，13、23
‑
第二纳米晶层，14、24
‑
第二胶层，15、25
‑
第三纳米晶层，16
‑
第三胶层，17
‑
第四纳米晶层。
【具体实施方式】
[0023]请参照图1，本实施例为一种混合纳米晶软磁屏蔽材料100，其包括若干层叠设在一起形成多层结构的纳米晶层，至少有两层所述纳米晶层的饱和磁感应强度不同，相邻两层所述纳米晶层通过双面胶粘贴在一起，若干层所述纳米晶层压合形成所述多层结构。
[0024]实施例1：
[0025]请参照图1，本实施例一种混合纳米晶软磁屏蔽材料10，其自上而下依次包括第一纳米晶层11、第一胶层12、第二纳米晶层13、第二胶层14、第三纳米晶层15、第三胶层16以及第四纳米晶层17。
[0026]本实施例中，第一纳米晶层11与第二纳米晶层13的饱和磁感应强度Bs为1.1T、1.2T或1.3T，第三纳米晶层15与第四纳米晶层17的饱和磁感应强度Bs为1.4T、1.5T、1.6T或1.7T。
[0027]第一纳米晶层11、第二纳米晶层13、第三纳米晶层15与第四纳米晶层17的厚度为0.018～0.023mm。
[0028]第一胶层12、第二胶层14以及第三胶层16的厚度选自0.01～0.05mm中的一种或多种组合。
[0029]为了验证本方案的有效性，选取其中一个实施例软磁屏蔽材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种混合纳米晶软磁屏蔽材料，其包括若干层叠设在一起形成多层结构的纳米晶层，相邻两层所述纳米晶层通过双面胶粘贴在一起，若干层所述纳米晶层压合形成所述多层结构；其特征在于：所有的所述纳米晶层中至少包含有两种不同饱和磁感应强度的纳米晶层。2.如权利要求1所述的混合纳米晶软磁屏蔽材料，其特征在于：其自上而下依次包括第一纳米晶层、第一胶层、第二纳米晶层、第二胶层、第三纳米晶层、第三胶层以及第四纳米晶层。3.如权利要求2所述的混合纳米晶软磁屏蔽材料，其特征在于：所述第一纳米晶层与所述第二纳米晶层的饱和磁感应强度选自1.1T～1.3T中任意一种或两种，所述第三纳米晶层与所述第四纳米晶层的饱和磁感应强度选自1.4T～1.7T中任意一种或两种。4.如权利要求2所述的混合纳米晶软磁屏蔽材料，其特征在于：所述第一纳米晶层与所述第二纳米晶层的饱和磁感应强度为1.4T，所述第三纳米晶层与所述第四纳米晶层的饱和磁感应强度选自1.5T～1.7T中任意一种或两种。5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李苹，季海峰，何劲，
申请(专利权)人：昆山联滔电子有限公司，
类型：新型
国别省市：