稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长及应用制造技术

本发明专利技术涉及稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长及应用，以NiO、R2O3为原料，R为稀土元素，采用碱助熔剂体系充入氧气条件下进行晶体生长，先升温至400

【技术实现步骤摘要】
稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长及应用


[0001]本专利技术本专利技术涉及稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长及应用，属于晶体材料


技术介绍

[0002]1911年，汞的超导特性的发现开启了超导材料的研究。迄今为止发现的超导材料主要分为常规超导体和非常规超导体。常规超导体的超导起源可用BCS理论完美解释，而对于非常规超导体如铜基和铁基高温超导体，其超导机理目前还没有统一的、量化的理论解释。目前超导研究的关键基础科学问题集中于高温超导机理以及室温超导体的设计与发现。新型高温超导体的发现将为解决高温超导机理这一世界性难题提供新的材料平台和思路。
[0003]2019年8月，斯坦福大学Hwang教授课题组利用激光脉冲沉积法成功在SrTiO3衬底上制备了Nd
0.8
Sr
0.2
NiO2薄膜，并发现了临界转变温度为9
‑
15K的超导现象。随后人们相继在R1‑
x
Sr
x
NiO2(R＝Nd,Pr,La)、La1‑
x
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长的方法，包括步骤如下：以NiO、R2O3为原料，R为稀土元素，采用碱助熔剂体系充入氧气条件下进行晶体生长，先升温至400
‑
500℃使原料充分熔化，然后降温至生长温度使晶体生长，氧气压力范围为5
‑
300bar，生长温度为150
‑
450℃，生长结束后得到稀土钙钛矿镍氧化合物RNiO3晶体。2.根据权利要求1所述的稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长的方法，其特征在于，R＝Pr
‑
Dy。3.根据权利要求1所述的稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长的方法，其特征在于，所述的碱助熔剂为NaOH、KOH中的一种或两种以上混合；优选的，当助溶剂为NaOH
‑
KOH混合体系时，NaOH
‑
KOH的摩尔比为1：1。4.根据权利要求1所述的稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长的方法，其特征在于，所述原料与助熔剂质量比为0.15：(1
‑
2)。5.根据权利要求1所述的稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长的方法，其特征在于，降温至生长温度的过程中，降温速率为15
‑
0.4℃/h。6.根据权利要求1所述的稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长的方法，其特征在于，生长温度为170
‑
360℃。7.根据权利要求1所述的稀土钙钛矿镍氧化合物高气压...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊杰，汪晓黎，陶绪堂，刘超，范传彦，韩璐，李飞宇，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：