【技术实现步骤摘要】
一种制备Cr7Se8单晶的方法
[0001]本专利技术涉及一种制备Cr7Se8单晶的合成方法，属于晶体材料制备领域。
技术介绍
[0002]Cr7Se8是一种具有微磁性的二元合金，其具有NiAs型晶体结构。Cr
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Se化合物包括Cr2Se3，Cr3Se4，Cr5Se6，Cr7Se8以及CrSe。已有文献表明Cr
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Se化合物磁性与电性的耦合能够诱导丰富的磁电阻效应。但由于多数材料的单晶样品难以制备，众多研究均基于多晶样品。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的是提供一种制备Cr7Se8单晶的方法。
[0004]本专利技术的技术方案是：一种制备Cr7Se8单晶的方法，采用助熔剂法，以镓（Ga）为助熔剂，按镓（Ga）：铬（Cr）：硒（Se）摩尔比为98：2：2 进行配料，于1100 ℃下保温一段时间，再以一定的速率冷却至730 ℃，制得Cr7Se8单晶。
[0005]较佳的，以3℃/h的速率由1100 ℃冷却至730 ℃。
[0006]较佳的，于1...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制备Cr7Se8单晶的方法，其特征在于，采用助熔剂法，以Ga为助熔剂，按Ga：Cr：Se摩尔比为98：2：2 进行配料，于1100 ℃下保温一段时间，再以一定的速率冷却至730 ℃，制得Cr7Se8单晶。2. 如权利要求1所述的单晶的方法，其特征在于，采用助熔剂法，以Ga为助熔剂，按Ga：Cr：Se摩尔比为98：2：2 进行配...
【专利技术属性】
技术研发人员：鲁子骞，龚元元，白雨情，徐桂舟，徐锋，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：
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