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本发明公开了一种制备Cr7Se8单晶的方法，其特征在于，采用助熔剂法，以Ga为助熔剂，按Ga：Cr：Se摩尔比为98：2：2进行配料，于1100℃下保温一段时间，再以一定的速率冷却至730℃，制得Cr7Se8单晶。本发明解决了制备Cr7Se...
该专利属于南京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京理工大学授权不得商用。

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