一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，包括如下步骤：步骤一、以铋氧硒固体粉末为生长原材料，硒化铋片为辅助材料，生长时将所述生长原材料置于管式炉中心，辅助材料置于生长原材料上游，基底置于下游；步骤二、先向管式炉内通入初始气流量并对基底进行加热，移动炉子加热生长原材料，调节气流量，使用低流量进行形核，达到预设沉积温度后，再使用大气流量在所述沉积温度下保温生长，沉积完毕后，得到层状铋氧硒半导体薄膜。本发明专利技术提供的气流量调控硒化铋辅助生长法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法是一种可控制备大面积层状铋氧硒半导体薄膜的方法，在较低温下使用较低的气流量，可以减少形核，更利于生长。更利于生长。更利于生长。

【技术实现步骤摘要】
一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法


[0001]本专利技术属于化学材料制备
，具体涉及一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法。

技术介绍

[0002]基于Bi2O2Se的场效应晶体管表现出优异的半导体器件性能，包括高载流子迁移率和大于106的卓越电流开关比，同时Bi2O2Se的中等能隙(约0.8eV)也使其方便于室温操作。得益于这些出色性质，Bi2O2Se作为很有前景的研究平台而备受关注。
[0003]CN110184654B公开了一种Bi2O2Se的制备方法，具体步骤如下：以Bi2O3、Bi和Se粉末作为原料，在真空状态进行反应，反应结束后得到Bi2O2Se晶体，该方法所需原料简单，但反应需要在高温下进行，耗费了大量的能源，且反应时间过长，成本较高，不利于大规模工业化生产。
[0004]CN110438567A公开了一种硒氧化铋单晶薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：以Bi、Se、Bi2O3作为原料，一立方或四方晶形作为衬底，采用固相法烧结Bi2O2Se多晶靶材，最后在衬底表面外延生长半导体Bi2O2Se单晶薄膜。该方法制备得到的Bi本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、以铋氧硒固体粉末为生长原材料，硒化铋片为辅助材料，生长时将所述生长原材料置于管式炉中心，辅助材料置于生长原材料上游，基底置于下游；步骤二、先向管式炉内通入初始气流量并对基底进行加热，移动炉子加热生长原材料，调节气流量，使用低流量进行形核，达到预设沉积温度后，再使用大气流量在所述沉积温度下保温生长，沉积完毕后，得到层状铋氧硒半导体薄膜。2.根据权利要求1所述的辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，步骤一中，所述生长原材料与基底的距离为6
‑
20厘米。3.根据权利要求1所述的辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，步骤一中，生长原材料与辅助生长材料的距离为2
‑
8厘米。4.根据权利要求1所述的辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，其特征在于，步骤二中，基底保温温度为500
‑
700℃；形核阶段起始温度为600
‑
730℃，气流量为10
‑
150sccm。5.根据权利要求1所述的辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张甲，任宣羽，葛传洋，李宇阳，孙洪安，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：