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本发明涉及一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，包括如下步骤：步骤一、以铋氧硒固体粉末为生长原材料，硒化铋片为辅助材料，生长时将所述生长原材料置于管式炉中心，辅助材料置于生长原材料上游，基底置于下游；步骤二、先向管式炉内通入初始气流量并对基底进行...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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