一种新型MicroOLED显示器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种新型Micro OLED显示器件及其制作方法，其显示器件包括依次设置的硅基板、像素定义层发光层、封装层以及彩色滤光片，所述像素定义层包括并排设置的白光像素单元和彩色像素单元，所述彩色滤光片仅对应彩色像素单元设置；所述彩色像素单元为红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元，所述白光像素单元、红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元并排均匀间隔设置。增加一组W白光的像素单元，从而代替原RGB工艺；在Micro OLED点亮时，亮度较原RGB工艺提高约50％以上，大幅度提高了此显示器件的亮度。度提高了此显示器件的亮度。度提高了此显示器件的亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种新型Micro OLED显示器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及Micro OLED显示器
，尤其是涉及一种新型Micro OLED显示器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着元宇宙概念的崛起，目前市场上的AR、VR等设备的需求越来越大。但是目前市场上的现有Micro OLED全彩产品亮度普遍较低，显示设备亮度不够，只有2000nit左右的亮度；提高Micro OLED亮度已经迫在眉睫。
[0003]正常的白光OLED亮度在10000nit左右，但是经过RGB color filter过滤后，只有2000左右亮度，亮度损失巨大；受限于OLED材料特性若想在原工艺条件下进一步提高亮度较为困难。

技术实现思路

[0004]针对现有技术不足，本专利技术是提供一种新型Micro OLED显示器件及其制作方法，以达到大幅度提高此显示器件亮度的目的。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案为：
[0006]一种新型Micro OLED显示器件，包括依次设置的硅基板、像素定义层发光层、封装层以及彩色滤光片，所述像素定义层包括并排设置的白光像素单元和彩色像素单元，所述彩色滤光片仅对应彩色像素单元设置。
[0007]所述彩色像素单元为红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元，所述白光像素单元、红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元并排均匀间隔设置。
[0008]所述发光层为有机发光层。
[0009]所述彩色滤光片为对应红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元分别设置的三个滤光片。
[0010]所述封装层上设有平坦化层，三个滤光片位于平坦化层中。
[0011]一种新型的Micro OLED显示器件的制作方法，包括以下步骤：
[0012]步骤1：在带有CMOS底层电路驱动的硅基板上制作阳极工艺膜，然后在阳极膜上制作白光像素单元、红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元阳极形貌；
[0013]步骤2：将步骤1形成的CMOS基板传入干刻设备，对基板进行刻蚀和去胶工艺，得到带有白光像素单元、红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元的阳极基板，再对基板进行成膜处理，然后再通过涂胶曝光显影和刻蚀去胶工艺得到带有像素定义层的WRGB基板；
[0014]步骤3：将已制备好阳极和像素定义层的CMOS基板传至蒸镀设备并对基板进行OLED工艺，最后对此基板进行封装工艺处理；
[0015]步骤4：将已经完成蒸镀和封装之后的基板转运至光刻，然后通过光刻工艺分别对应RGB阳极上分别作业R、G、B的三色滤光片；
[0016]步骤5：在已制备好R、G、B三色滤光片的基板上，涂布一层平坦化胶，对表面进行平坦化，得到所需要的WRGB Micro OLED显示器件。
[0017]其中，
[0018]所述步骤1中，通过PVD制作阳极工艺膜，然后在阳极膜上通过Spin设备涂步PR，再经过半导体scanner/stepper光刻机曝光显影工艺制作出WRGB阳极形貌。
[0019]所述步骤2中，对基板进行CVD成膜处理。
[0020]所述步骤5中，通过Spin Track设备涂布一层平坦化胶。
[0021]本专利技术与现有技术相比，具有以下优点：
[0022]该新型Micro OLED显示器件及其制作方法，增加一组W白光的像素单元，从而代替原RGB工艺；在Micro OLED点亮时，亮度较原RGB工艺提高约50％以上，大幅度提高了此显示器件的亮度。
附图说明
[0023]下面对本说明书各幅附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
[0024]图1为本专利技术具有阳极基板示意图。
[0025]图2为本专利技术具有像素定义层基板示意图。
[0026]图3为本专利技术封装示意图。
[0027]图4为本专利技术彩色滤光片工艺示意图。
[0028]图5为本专利技术显示器件层结构示意图。
[0029]图中：
[0030]1.像素定义层、2.有机发光层、3.封装层、4.彩色滤光片、5.平坦化层。
具体实施方式
[0031]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0032]如图1至图5所示，该新型Micro OLED显示器件，包括依次设置的硅基板、像素定义层发光层、封装层以及彩色滤光片，像素定义层包括并排设置的白光像素单元W和彩色像素单元，彩色滤光片仅对应彩色像素单元设置。
[0033]彩色像素单元为红色像素单元R、绿色像素单元G以及蓝色像素单元B，白光像素单元、红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元并排均匀间隔设置：发光层为有机发光层。
[0034]彩色滤光片为对应红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元分别设置的三个滤光片；封装层上设有平坦化层，三个滤光片位于平坦化层中。
[0035]该新型Micro OLED显示器件中，增加一组W白光的像素单元，从而代替原RGB工艺；在Micro OLED点亮时，亮度较原RGB工艺提高约50％以上，大幅度提高了此显示器件的亮度。
[0036]本专利技术新型的Micro OLED显示器件的制作方法，包括以下步骤：
[0037]步骤1：在带有CMOS底层电路驱动的硅基板上通过PVD(物理气象成膜)制作阳极工艺膜，然后在阳极膜上通过半导体旋涂设备涂步PR(光刻胶)，再经过半导体scanner/
stepper(扫描或步进)光刻机曝光显影工艺制作出WRGB阳极形貌；即在阳极膜上制作白光像素单元、红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元阳极形貌；
[0038]步骤2：将步骤1形成的CMOS基板传入干刻设备，对基板进行刻蚀和去胶工艺，得到带有白光像素单元、红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元的阳极基板，再对基板进行CVD(化学气象成膜)成膜处理，然后再通过涂胶曝光显影和刻蚀去胶工艺得到带有像素定义层的WRGB基板；
[0039]步骤3：将已制备好阳极和像素定义层的CMOS基板传至蒸镀设备并对基板进行OLED工艺，最后对此基板进行封装工艺处理；
[0040]步骤4：将已经完成蒸镀和封装之后的基板转运至光刻，然后通过光刻工艺分别对应RGB阳极上分别作业R、G、B的三色滤光片；
[0041]步骤5：在已制备好R、G、B三色滤光片的基板上，涂布一层平坦化胶，对表面进行平坦化，得到所需要的WRGB Micro OLED显示器件。
[0042]本专利技术WRGB Micro OLED工艺对比原有工艺，有效提升Micro OLED产品亮度，亮度提升在50％以上，可提高终端产品AR/VR的使用场景，为开拓市场提供有利基础。
[0043]本专利技术在不增加工艺步骤的基础上实现了Micro OLED的亮度提升，此工艺做出来的Micro OLED显示器件亮度可达到3000
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型Micro OLED显示器件，包括依次设置的硅基板、像素定义层发光层、封装层以及彩色滤光片，其特征在于：所述像素定义层包括并排设置的白光像素单元和彩色像素单元，所述彩色滤光片仅对应彩色像素单元设置。2.如权利要求1所述新型Micro OLED显示器件，其特征在于：所述彩色像素单元为红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元，所述白光像素单元、红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元并排均匀间隔设置。3.如权利要求1所述新的Micro OLED显示器件，其特征在于：所述发光层为有机发光层。4.如权利要求2所述新的Micro OLED显示器件，其特征在于：所述彩色滤光片为对应红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元分别设置的三个滤光片。5.如权利要求4所述新的Micro OLED显示器件，其特征在于：所述封装层上设有平坦化层，三个滤光片位于平坦化层中。6.一种如权利要求1至5任一项所述新型的Micro OLED显示器件的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：步骤1：在带有CMOS底层电路驱动的硅基板上制作阳极工艺膜，然后在阳极膜上制作白光像素单元、红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：