一种适用于金刚石激光切割的固定治具制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于金刚石激光切割的固定治具，包括基座及压紧组件，所述压紧组件与所述基座可拆卸式连接，所述压紧组件包括用于压紧金刚石的压紧板，所述压紧板与所述基座顶面相对设置且两者之间具有间隙。在本发明专利技术中，当待切割的金刚石放置在所述固定治具上时，通过压紧板与基座顶面的配合将金刚石夹紧固定，因此当金刚石被激光切割至晶体尾端时不会自动断面，从而降低了晶体尾端处粗糙度，保障了切割后金刚石籽晶的品质。障了切割后金刚石籽晶的品质。障了切割后金刚石籽晶的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于金刚石激光切割的固定治具


[0001]本专利技术涉及金刚石加工
，特别涉及一种适用于金刚石激光切割的固定治具。

技术介绍

[0002]金刚石具有极高的硬度和强度、超高耐磨性、极好导热性等特点，被运用在运用在航天、医疗、光学、军事等各个领域，且金刚石一般是通过金刚石籽晶生长而来，MPCVD(微波等离子化学气相沉积)是目前进行金刚石晶体生长的常用技术手段，其原理是反应气体在微波的激励下形成各种碳氢活化基团，上述活化基团在籽晶上发生一系列的化学反应并逐渐在籽晶表面发生吸附、脱附、迁移、扩散和沉积，最终得到金刚石，因此籽晶为MPCVD方法生长金刚石的前置条件。籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体，是生长单晶的种子，也叫晶种，金刚石籽晶可以通过切割单晶金刚石得到。
[0003]随着科技的进步和激光切割超硬材料的急切需求，一种新型的激应用加工技术出现了——水导引激光切割，水导引激光切割机在很大程度上能降低切割损耗，且切割线路平行，基本能保证切割面的平行度，造成的热损伤层较传统激光小，但水导引激光切割机生产成本大，技术不成熟，切割面粗糙度一般在400nm以上，得到的金刚石籽晶切割面粗糙度较高。
[0004]因此一般还是选择采用传统激光切割机，激光束通过聚焦镜头聚焦后照射到工件表面，利用激光的高能量密度使工件被聚焦光斑照射的区域瞬间气化或熔化，可形成光滑的切缝。由于在工作中加工头无需与被加工材料直接接触，因此不易对工件表面造成划伤，一般无需后续加工，其成本较低，且技术较成熟，切割面粗糙度一般可保证在200nm左右，但使用该类激光机在切割金刚石时，在金刚石尾端10％左右时晶体会自动断裂，造成尾端切割面的粗糙度增大，导致得到的金刚石籽晶品质差，不符合要求，还需要对金刚石进行磨抛工艺才能得到合格的金刚石籽晶。
[0005]因而现有技术还有待改进和提高。

技术实现思路

[0006]鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种适用于金刚石激光切割的固定治具，旨在解决现有技术中激光切割机在切割晶体时晶体尾端切割面的粗糙度增大，导致得到的金刚石籽晶品质差，不符合要求的问题。
[0007]本专利技术解决技术问题所采用的技术方案如下：
[0008]第一方面，本专利技术实施例提供了一种适用于金刚石激光切割的固定治具，包括：
[0009]基座；
[0010]压紧组件，所述压紧组件与所述基座可拆卸式连接，所述压紧组件包括用于压紧金刚石的压紧板，所述压紧板与所述基座顶面相对设置且两者之间具有间隙。
[0011]作为进一步的改进技术方案，所述压紧组件包括压紧件及锁紧件，所述压紧件与
所述锁紧件可拆卸式连接并分别夹持于所述基座相对两侧上，且所述压紧板设置在所述压紧件上。
[0012]作为进一步的改进技术方案，所述压紧件包括底座、第一夹持部及所述压紧板，所述第一夹持部一端与所述底座一侧固定连接，所述压紧板一端与所述底座顶部固定连接，所述锁紧件包括连接部及第二夹持部，所述第二夹持部一端与所述连接部固定连接；
[0013]其中，所述连接部与所述底座远离所述第一夹持部的一侧可拆卸式连接，所述第一夹持部及第二夹持部分别夹持于所述基座相对两侧上。
[0014]作为进一步的改进技术方案，上述适用于金刚石激光切割的固定治具中，还包括：
[0015]螺钉；所述连接部设有第一螺孔，所述底座靠近所述连接部的一侧设有第二螺孔，所述螺钉一端贯穿所述第一螺孔并设于所述第二螺孔内，另一端设置在所述连接部上。
[0016]作为进一步的改进技术方案，所述基座底面设有用于固定所述基座的固定杆。
[0017]作为进一步的改进技术方案，所述基座顶面为倾斜面。
[0018]作为进一步的改进技术方案，所述基座顶面与水平面之间的夹角为0.5
°‑
1.0
°
。
[0019]作为进一步的改进技术方案，所述压紧件、锁紧件及所述基座均由铜制成。
[0020]作为进一步的改进技术方案，所述底座与所述第一夹持部及所述压紧板一体成型，所述连接部与所述第二夹持部一体成型。
[0021]作为进一步的改进技术方案，所述底座与所述基座一侧抵接。
[0022]与现有技术相比，本专利技术实施例具有以下优点：
[0023]本专利技术实施例提供了一种适用于金刚石激光切割的固定治具，包括基座及压紧组件，所述压紧组件与所述底座可拆卸式连接，所述压紧组件包括用于压紧金刚石的压紧板，所述压紧板与所述基座顶面相对设置且两者之间具有间隙。在本专利技术中，当待切割的金刚石放置在所述固定治具上时，通过压紧板与基座顶面的配合将金刚石夹紧固定，因此当金刚石被激光切割至晶体尾端时不会自动断面，从而降低了晶体尾端处粗糙度，保障了切割后金刚石籽晶的品质；同时，本专利技术实施例提供的固定治具中，所采用的基座的上表面为倾斜面，该倾斜面的倾斜角度为激光发散角度的一半，将金刚石放置在倾斜面上并被压紧板压紧，当金刚石被激光切割后，得到的两块金刚石中只有一块需要进行第二次激光切割，因此相比现有技术中的切割方式，减少了一次激光切割次数，节省了加工步骤，缩短了加工时长，进而提高了激光切割金刚石的工作效率。
附图说明
[0024]图1为本专利技术提供的一种适用于金刚石激光切割的固定治具的第一立体结构示意图；
[0025]图2为本专利技术提供的一种适用于金刚石激光切割的固定治具的第二立体结构示意图；
[0026]图3为本专利技术中基座的正视图；
[0027]图4为本专利技术中压紧件的立体结构示意图；
[0028]图5为本专利技术中锁紧件的立体结构示意图。
[0029]图中：1、基座；2、压紧组件；201、压紧件；2011、底座；2012、第一夹持部；2013、压紧板；2014、第二螺孔；202、锁紧件；2021、连接部；2022、第二夹持部；2023、第一螺孔；3、固定
杆。
具体实施方式
[0030]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0031]金刚石具有极高的硬度和强度、超高耐磨性、极好导热性等特点，被运用在运用在航天、医疗、光学、军事等各个领域，且金刚石一般是通过金刚石籽晶生长而来，MPCVD(微波等离子化学气相沉积)是目前进行金刚石晶体生长的常用技术手段，其原理是反应气体在微波的激励下形成各种碳氢活化基团，上述活化基团在籽晶上发生一系列的化学反应并逐渐在籽晶表面发生吸附、脱附、迁移、扩散和沉积，最终得到金刚石，因此籽晶为MPCVD方法生长金刚石的前置条件。籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体，是生长单晶的种子，也叫晶种，金刚石籽晶可以通过切割单晶金刚石得到。现有技术中对于金刚石的切割方式存在多种，但是目前能够满足工艺需求的常见切割方式是激光切本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于金刚石激光切割的固定治具，其特征在于，包括：基座；压紧组件，所述压紧组件与所述基座可拆卸式连接，所述压紧组件包括用于压紧金刚石的压紧板，所述压紧板与所述基座顶面相对设置且两者之间具有间隙。2.根据权利要求1所述的适用于金刚石激光切割的固定治具，其特征在于，所述压紧组件包括压紧件及锁紧件，所述压紧件与所述锁紧件可拆卸式连接并分别夹持于所述基座相对两侧上，且所述压紧板设置在所述压紧件上。3.根据权利要求2所述的适用于金刚石激光切割的固定治具，其特征在于，所述压紧件包括底座、第一夹持部及所述压紧板，所述第一夹持部一端与所述底座一侧固定连接，所述压紧板一端与所述底座顶部固定连接，所述锁紧件包括连接部及第二夹持部，所述第二夹持部一端与所述连接部固定连接；其中，所述连接部与所述底座远离所述第一夹持部的一侧可拆卸式连接，所述第一夹持部及第二夹持部分别夹持于所述基座相对两侧上。4.根据权利要求3所述的适用于金刚石激光切割的固定治具，其特征在于，还包括：螺钉；所述连接部...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋礼，全峰，顾亚骏，
申请(专利权)人：深圳优普莱等离子体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：