【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种单膜电容式传声器芯片，为半导体传声器芯片，包括基底、悬梁支撑、止挡支撑、振膜、悬梁、止挡边框、悬梁边框以及上、下电极； 其中，基底中心有一贯通孔，为背腔，基底上表面固连有框状止挡支撑，止挡支撑上表面固连有框状止挡边框，止挡支撑中心和止挡边框中心的贯通孔相似，孔径大于背腔上口； 在止挡支撑中心和止挡边框中心的贯通孔周边设有贯通凹槽，在止挡支撑和止挡边框的一侧有贯通孔，贯通孔内基底上表面设有下电极； 振膜覆于背腔上，位于止挡支撑的中心贯通孔内，振膜边缘部分有多数个小孔，中心部与悬梁的一端导电固结；悬梁的另一端有悬梁边框，悬梁边框位于止挡支撑中心贯通孔周边的贯通凹槽内，其上表面固设有上电极，下表面与悬梁支撑绝缘式相连，悬梁支撑下表面绝缘式固接于基底上； 其特征在于： 振膜通过悬梁和悬梁的悬梁边框与悬梁支撑上表面相连，形成悬梁、振膜不在同一平面的立体振动结构，为振膜在悬梁之下； 振膜、悬梁和悬梁边框为导电层或者包含导电层的复合层； 振膜中心与背腔上开口中心上下相对，振膜大于背腔上开口面积，振膜边缘部分的多数个小孔在背腔上开口以外的区域； 止挡...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋青林，梅嘉欣，陶永春，
申请(专利权)人：歌尔声学股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]
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