流平剂和包括所述流平剂的用于形成电路图案的电镀组合物制造技术

本发明专利技术提供了一种流平剂，其控制用于形成电路图案的电镀工艺。即使所述电路图案具有各种线宽，所述流平剂也允许所述电路图案具有均匀的高度和正方形形状。本发明专利技术还提供了一种包括所述流平剂的电镀组合物。括所述流平剂的电镀组合物。括所述流平剂的电镀组合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】流平剂和包括所述流平剂的用于形成电路图案的电镀组合物


[0001]本专利技术涉及一种流平剂，可用于降低通过半加法工艺(semi
‑
additive process,SAP)和改进的半加法工艺(modified semi
‑
additive process,MSAP)等图案化工艺形成的电路图案的平整度(即电路图案的高度偏差率)，并最大限度地减少电路图案的镀层厚度差异，以及包含所述流平剂的电镀组合物。

技术介绍

[0002]随着电子产品小型化、集成化的趋势，印刷电路板也实现了小型化和集成化。用于在印刷电路板上形成电路图案的各种工艺是已知的，例如：减法、半加法(semi
‑
additive,SAP)和改进的半加法工艺(semi
‑
additive processes,MSAP)。
[0003]根据减法工艺，电解铜用于覆铜板(copper clad laminate,CCL)中现有的铜箔上的面板电镀，导致铜箔的总厚度增加。由于蚀刻因素，蚀刻厚铜箔以形成精细电路图案受到限制。
[0004]因此，目前使用SAP或MSAP工艺来形成精细的电路图案。根据SAP或MSAP工艺，通过化学镀形成种子层，在其上形成光刻胶(photoresist,PR)电路图案，然后电镀形成电路图案。
[0005]通过上述工艺形成的电路图案可以具有如图3所示的各种线宽W1、W2和W3。具有较窄的宽度W1的线被电镀以具有所需的高度，而不显著地受电流密度强度的影响。相比之下，具有宽度W2和W3的线由于电流密度的强度不同而没有镀到所需的高度，结果，电路图案中的线路高度不恒定，导致电路图案的高度偏差。随着电路图案的高度偏差增加，电路图案的均匀性劣化。这成为降低印刷电路板的性能和可靠性的因素。
[0006]现有技术文件
[0007]专利文献
[0008](专利文献1)韩国专利公开第2012
‑
0095888号

技术实现思路

[0009]本专利技术的目的在于提供一种在形成电路图案的电镀时能够控制电路图案的高度偏差的流平剂。
[0010]本专利技术的目的还在于提供一种包含所述流平剂的电镀组合物。
[0011]本专利技术的一个方面提供了一种由式1表示的流平剂：
[0012][0013]其中，X1和Y1各自独立地选自由C1‑
C
10
烷基、C6‑
C
20
芳基和C2‑
C
20
杂芳基组成的组，A1是单键或选自由氧(O)、硫(S)、羰基(C＝O)、NR1、C1‑
C
10
亚烷基、C6‑
C
20
亚芳基和C2‑
C
20
杂亚芳基组成的组，R1选自由氢(H)、C1‑
C
10
烷基、C6‑
C
20
芳基和C2‑
C
20
杂芳基组成的组，并且n和m各自独立地为0至10的整数，条件是n和m中的至少一个为1或更大，
[0014]或包含至少一种结构单元，所述结构单元选自由式2至5所表示的组成的组：
[0015][0016][0017][0018][0019]其中，A2至A5各自独立地为单键或选自由氧(O)、硫(S)、NR2、羰基(C＝O)、C1‑
C
10
亚烷基、C6‑
C
20
亚芳基和C2‑
C
20
杂芳基组成的组，R2选自由氢(H)、C1‑
C
10
烷基、C6‑
C
20
芳基和C2‑
C
20
杂芳基组成的组，L1和L2各自独立地选自由C1‑
C
10
亚烷基、C6‑
C
20
亚芳基和C2‑
C
20
杂亚芳基组成的组，每个R3独立地选自由氢(H)、C1‑
C
10
烷基、C6‑
C
20
芳基和C2‑
C
20
杂芳基组成的组，n和m各自独立地为0至10的整数，条件是n和m中的至少一个为1或更大，并且每个z独立地为1至10的整数，条件是X1和Y1中的每一个的烷基、芳基或杂芳基，A1的亚烷基、亚芳基或杂亚芳基，A2至A5中的每一个的亚烷基、亚芳基或杂亚芳基、L1和L2中的每一个的亚烷基、亚芳基或杂芳基以及R1至R3中的每一个的烷基、芳基或杂芳基各自独立地任选被一个或多个选自由卤素基团、C1‑
C
10
烷基、C6‑
C
20
芳基和C2‑
C
20
杂芳基组成的组的取代基取代。
[0020]式1中的A1可以选自由咪唑、苯并咪唑和吡啶基组成的组。
[0021]式2中的A2可以由S
‑
1或S
‑
2表示：
[0022][0023]其中，A2’
选自由C6‑
C
20
亚芳基和C2‑
C
20
杂亚芳基组成的组，并且L3和L4各自独立地为C1‑
C
10
亚烷基。
[0024]式3中的A3可以是NR2，其中R2可以是C2‑
C
20
杂芳基。
[0025]式4中的A4可以是NR2，其中R2可以是C2‑
C
20
杂芳基并且式4中的L1和L2可以各自独立地是C1‑
C
10
亚烷基。
[0026]式5中的A5可以是羰基(C＝O)，并且式5中的L1和L2可以各自独立地为C1‑
C
10
亚烷基。
[0027]本专利技术的另一方面提供了一种电镀组合物，包括金属离子源和所述流平剂。
[0028]烷基旨在包括直链和支链的。烷基的具体实例包括但不限于甲基、乙基、丙基、丁基和戊基。
[0029]芳基可以是例如：苯基、萘基、联苯基、蒽基和菲基，但不限于此。
[0030]杂芳基可以是被至少一个杂原子如N、O、S或F中断的一价芳族环状基。
[0031]亚烷基旨在包括直链和支链的。亚烷基的具体实例包括但不限于亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基和亚戊基。
[0032]亚芳基可以是例如：亚苯基、亚萘基和亚联苯基，但不限于此。
[0033]杂亚芳基可以是被至少一个杂原子如N、O、S或F中断的二价芳族环状基。
[0034]卤素团基可以是例如：氟、溴、氯和碘基。
[0035]本专利技术的流平剂由于分子结构中存在烷基结构和氮原子，可以均匀地控制金属离子在目标基材上的吸附程度。因此，即使当根据电路图案的线宽施加不同的电流密度时，金属离子也可以均匀地吸附在用包含根据本专利技术的流平剂的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种由式1表示的流平剂：其中，X1和Y1各自独立地选自由C1‑
C
10
烷基、C6‑
C
20
芳基和C2‑
C
20
杂芳基组成的组，A1是单键或选自由氧(O)、硫(S)、羰基(C＝O)、NR1、C1‑
C
10
亚烷基、C6‑
C
20
亚芳基和C2‑
C
20
杂亚芳基组成的组，R1选自由氢(H)、C1‑
C
10
烷基、C6‑
C
20
芳基和C2‑
C
20
杂芳基组成的组，并且n和m各自独立地为0至10的整数，条件是n和m中的至少一个为1或更大，或包含至少一种结构单元，所述结构单元选自由式2至5所表示的组成的组：或包含至少一种结构单元，所述结构单元选自由式2至5所表示的组成的组：或包含至少一种结构单元，所述结构单元选自由式2至5所表示的组成的组：或包含至少一种结构单元，所述结构单元选自由式2至5所表示的组成的组：其中，A2至A5各自独立地为单键或选自由氧(O)、硫(S)、NR2、羰基(C＝O)、C1‑
C
10
亚烷基、C6‑
C
20
亚芳基和C2‑
C
20
杂芳基组成的组，R2选自由氢(H)、C1‑
C
10
烷基、C6‑
C
20
芳基和C2‑
C
20
杂芳基组成的组，L1和L2各自独立地选自由C1‑
C
10
亚烷基、C6‑
C
20
亚芳基和C2‑
C
20
杂亚芳基组成的组，每个R3独立地选自由氢(H)、C1‑
C
10
烷基、C6‑
C
20
芳基和C...

【专利技术属性】
技术研发人员：全星郁，郑补默，金大根，高乐殷，沈主容，
申请(专利权)人：宏维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：