一种光电耦合器制造方法及光电耦合器技术

本申请提供了一种光电耦合器制造方法及光电耦合器，通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底部电极生长，得到对应于所述第一芯片的第一底部延长面，以及对应于所述第二芯片的第二底部延长面，并在所述第二底部延长面的同一平面设置第二顶部延长面和第一顶部延长面；通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面连接并导通，以及将所述第二芯片的顶部电极与所述第二顶部延长面连接并导通，得到预制光电耦合器；对所述预制光电耦合器进行灌胶封装，得到光电耦合器。通过延长面解决了体积大的技术问题，实现了发射芯片和接收芯片的最佳反应效果，提高了产品的一致性和稳定性，免用封装基板，实现了小型化、超薄化封装形式。超薄化封装形式。超薄化封装形式。

【技术实现步骤摘要】
一种光电耦合器制造方法及光电耦合器


[0001]本申请涉及光电耦合器
，特别是一种光电耦合器制造方法及光电耦合器。

技术介绍

[0002]光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。光耦是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于光耦具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。
[0003]目前光耦发射芯片和接收芯片上下对射的封装都是采用支架形式。
[0004]但体积较大，很难适应电子产品小型化、超薄型的发展趋势。

技术实现思路

[0005]鉴于所述问题，提出了本申请以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的一种光电耦合器制造方法及光电耦合器，包括：
[0006]一种光电耦合器制造方法，用于将第一芯片和第二芯片制造成光电耦合器，所述第一芯片和所述第二芯片平行设置，所述方法包括：
[0007]通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底部电极生长，得到对应于所述第一芯片的第一底部延长面，以及对应于所述第二芯片的第二底部延长面，并在所述第二底部延长面的同一平面设置第二顶部延长面和第一顶部延长面；
[0008]通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面连接并导通，以及将所述第二芯片的顶部电极与所述第二顶部延长面连接并导通，得到预制光电耦合器；
[0009]对所述预制光电耦合器进行灌胶封装，得到光电耦合器；其中，所述第一芯片和所述第二芯片的顶部电极区域为透明状。
[0010]优选地，所述通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底部电极生长，得到对应于所述第一芯片的第一底部延长面，以及对应于所述第二芯片的第二底部延长面的步骤，包括：
[0011]通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底部电极增高得到对应于所述第一芯片的第一延长柱，以及对应于所述第二芯片的第二延长柱；
[0012]通过增材制造方式在预设平面将所述第一延长柱进行生长生成对应于所述第一芯片的第一底部延长面；
[0013]通过增材制造方式在预设平面将所述第二延长柱进行生长生成对应于所述第二芯片的第二底部延长面。
[0014]优选地，所述通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底部电极增高得到对应于所述第一芯片的第一延长柱，以及对应于所述第二芯片的第二延长柱的步骤，包括：
[0015]通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底面电极的引脚分别沿第一预设轨迹进行生长，并灌胶封装至露出所述第一芯片和所述第二芯片的底面电极的引脚，分别得到对应于所述第一芯片的第一延长柱，和对应于所述第二芯片的第二延长柱。
[0016]优选地，所述通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底面电极的引脚分别沿第一预设轨迹进行生长，并灌胶封装至露出所述第一芯片和所述第二芯片的底面电极的引脚，分别得到对应于所述第一芯片的第一延长柱，和对应于所述第二芯片的第二延长柱的步骤，包括：
[0017]对所述第一芯片和所述第二芯片进行灌胶封装，得到第一封装胶层；其中，所述第一封装胶层的高度等于所述第一芯片和所述第二芯片的底面电极；
[0018]将所述第一芯片和所述第二芯片的底面电极的引脚分别沿第一预设轨迹进行生长，分别得到对应于所述第一芯片的第一延长柱，和对应于所述第二芯片的第二延长柱；
[0019]对所述第一延长柱和所述第二延长柱进行灌胶封装至露出所述第一延长柱的顶面，得到第二封装胶层。
[0020]优选地，所述在所述第二底部延长面的同一平面设置第二顶部延长面和第一顶部延长面的步骤，包括：
[0021]通过增材制造方式在所述第一底部延长面的一侧设置所述第一顶部延长面；
[0022]通过增材制造方式在所述第二底部延长面的一侧设置所述第二顶部延长面。
[0023]优选地，所述通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面连接并导通，和将所述第二芯片的顶部电极与所述第二顶部延长面连接并导通，得到预制光电耦合器的步骤，包括：
[0024]通过增材制造方式将第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接得到第一导通电路；
[0025]通过增材制造方式将第二芯片的顶部电极与所述第二顶部延长面进行连接得到第二导通电路。
[0026]优选地，所述通过增材制造方式将第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接得到第一导通电路的步骤，包括：
[0027]在所述第一封装胶层和所述第二封装胶层的内部设置第一通孔；其中，所述第一通孔的位置为所述第一顶部延长面的区域；
[0028]通过增材制造方式沿所述第一通孔的内部制备第一竖直柱；
[0029]通过增材制造方式沿所述第一封装胶层的表面制备第一水平柱；其中，所述第一竖直柱和所述第一水平柱连接并导通，得到所述第一导电通路。
[0030]优选地，所述对所述预制光电耦合器进行灌胶封装，得到光电耦合器的步骤，包括：
[0031]将所第一芯片和所述第二芯片的顶部电极区域通过遮挡层遮挡，并灌胶封装得到第三封装胶层；
[0032]将所述遮挡层去除，并灌透明胶得到所述光电耦合器。
[0033]优选地，所述将所第一芯片和所述第二芯片的顶部电极区域通过遮挡层遮挡，并灌胶封装得到第三封装胶层的步骤，包括：
[0034]在预制光电耦合器的顶面进行掩膜形成掩膜层；
[0035]在所述掩膜层的非顶部电极区域进行刻蚀形成所述遮挡层，并灌胶封装至所述遮挡层得到第三封装胶层。
[0036]优选地，所述将所述遮挡层去除，并灌透明胶得到所述光电耦合器的步骤，包括：
[0037]将所述遮挡层去除，并将透明胶灌入所述遮挡层的位置，并进行灌胶封装得到所述光电耦合器。
[0038]为实现本申请还包括一种所述的光电耦合器制造方法制备得到的光电耦合器，所述光电耦合器包括第一芯片、第二芯片、第一底部延长面、第二底部延长面、第二顶部延长面和第一顶部延长面；所述第一芯片和所述第二芯片平行设置；
[0039]所述第一芯片的底部电极与所述第一底部延长面连接并导通，所述第二芯片的底部电极与所述第二底部延长面连接并导通；
[0040]所述第一芯片的顶部电极通过第一延长柱与所述第一顶部延长面连接并导通；所述第二芯片的顶部电极通过第二延长柱与所述第二顶部延长面连接并导通。
[0041]本申请具有以下优点：
[0042]在本申请的实施例中，相对于现有技术中的“体积较大”，本申请提供了“通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底部电极生长，得到对应于所述第一芯片的第一底部延长面，以及对应于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电耦合器制造方法，用于将第一芯片和第二芯片制造成光电耦合器，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片平行设置，所述方法包括：通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底部电极生长，得到对应于所述第一芯片的第一底部延长面，以及对应于所述第二芯片的第二底部延长面，并在所述第二底部延长面的同一平面设置第二顶部延长面和第一顶部延长面；通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面连接并导通，以及将所述第二芯片的顶部电极与所述第二顶部延长面连接并导通，得到预制光电耦合器；对所述预制光电耦合器进行灌胶封装，得到光电耦合器；其中，所述第一芯片和所述第二芯片的顶部电极区域为透明状。2.根据权利要求1所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底部电极生长，得到对应于所述第一芯片的第一底部延长面，以及对应于所述第二芯片的第二底部延长面的步骤，包括：通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底部电极增高得到对应于所述第一芯片的第一延长柱，以及对应于所述第二芯片的第二延长柱；通过增材制造方式在预设平面将所述第一延长柱进行生长生成对应于所述第一芯片的第一底部延长面；通过增材制造方式在预设平面将所述第二延长柱进行生长生成对应于所述第二芯片的第二底部延长面。3.根据权利要求2所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底部电极增高得到对应于所述第一芯片的第一延长柱，以及对应于所述第二芯片的第二延长柱的步骤，包括：通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底面电极的引脚分别沿第一预设轨迹进行生长，并灌胶封装至露出所述第一芯片和所述第二芯片的底面电极的引脚，分别得到对应于所述第一芯片的第一延长柱，和对应于所述第二芯片的第二延长柱。4.根据权利要求3所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述通过增材制造方式将所述第一芯片和所述第二芯片的底面电极的引脚分别沿第一预设轨迹进行生长，并灌胶封装至露出所述第一芯片和所述第二芯片的底面电极的引脚，分别得到对应于所述第一芯片的第一延长柱，和对应于所述第二芯片的第二延长柱的步骤，包括：对所述第一芯片和所述第二芯片进行灌胶封装，得到第一封装胶层；其中，所述第一封装胶层的高度等于所述第一芯片和所述第二芯片的底面电极；将所述第一芯片和所述第二芯片的底面电极的引脚分别沿第一预设轨迹进行生长，分别得到对应于所述第一芯片的第一延长柱，和对应于所述第二芯片的第二延长柱；对所述第一延长柱和所述第二延长柱进行灌胶封装至露出所述第一延长柱的顶面，得到第二封装胶层。5.根据权利要求4所述的光电耦合器制造方法，其特征在于，所述在所述第二底部延长面的同一...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁山，申广，何懿德，
申请(专利权)人：深圳瑞沃微半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：