半导体装置、半导体驻极体电容话筒及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于增大半导体驻极体电容话筒的电容值、使振动膜容易振动，同时防止制造成本的上升。在半导体衬底１１上形成固定电极层１２，在衬垫１４上设置了振动膜１６。该振动膜１６被配置成从半导体衬底１１的端部伸出，电极焊区２０～２３被配置成从振动膜１６露出。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：集成了电子电路的半导体衬底；在上述半导体衬底的表面上形成了的固定电极层；以及在上述固定电极层的周围设置的、用来设置与上述固定电极层分离的振动膜的衬垫，其特征在于：这样来配置上述衬垫，使之能在上述振动膜的一部分从上述半导体衬底的端部伸出的状态下进行设置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大川重明，大古田敏幸，大林义昭，安田护，佐伯真一，大泽周治，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，星电株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]