具有缺陷层的半导体装置和其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置包括：半导体基板；第一半导体类型的第一半导体区，其形成于所述半导体基板内，其中所述第一半导体区包括形成于所述第一半导体区的下部部分中的第一掺杂区和形成于所述第一半导体区的上部部分中的处于所述第一掺杂区上方的第二掺杂区。具有上表面的缺陷层形成于所述第一掺杂区的上部部分中。第二半导体类型的第二半导体区形成于所述第一半导体区上方。半导体区上方。半导体区上方。

【技术实现步骤摘要】
具有缺陷层的半导体装置和其制造方法


[0001]本文所描述的主题的实施例大体上涉及半导体装置，包括双极结晶体管(BJT)和异质结双极晶体管(HBT)。

技术介绍

[0002]半导体装置应用于广泛多种电子部件和系统。此外，适用于射频(RF)、微波和毫米波应用的半导体装置可包括BJT型、HBT型和相关装置。具体地说，HBT型装置由于其快速传送时间、高截止频率、高增益和良好线性特性而适用于高频率应用。这些HBT型装置充当有源增益元件并且在RF、微波和毫米波功率放大器、振荡器以及其它有用的电子部件中用作有源装置。在用于这些装置的这些和其它应用中，需要减小集电极结电容(C
jc
)。减小C
jc
对于实现更高的最高震荡频率(f
max
)和改善这些应用的频率响应来说是重要的。f
max
的值与C
jc
成反比。常规BJT和HBT结构在集电极结电容C
jc
与断开状态集电极
‑
基极击穿电压(BV
cbo
)之间进行权衡。因此，需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板；第一半导体类型的第一半导体区，其形成于所述半导体基板内，其中所述第一半导体区包括形成于所述第一半导体区的下部部分中的第一掺杂区和形成于所述第一半导体区的上部部分中的处于所述第一掺杂区上方的第二掺杂区，以及形成于所述第一掺杂区的上部部分中的具有上表面的缺陷层；以及第二半导体类型的第二半导体区，其形成于所述第一半导体区上方。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述缺陷层包括在所述缺陷层的所述上表面下方聚结的位错环，并且其中所述缺陷层的所述上表面接触所述第二掺杂区。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体类型是n型，并且所述第二半导体类型是p型。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二掺杂区具有大于1e19 cm
‑3的掺杂剂浓度。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，另外包括形成于所述第二半导体区上方的第三半导体区，其中所述第一半导体区被配置为集电极区，所述第二半导体区被配置为基极区，并且所述第三半导体区被配置为发射极区。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，另外包括发射器层，所述发射器层包括设置在所述集电极区与所述基极区之间的具有5e16 cm
‑3与1e18 cm
‑3之间的掺杂剂浓度的所述第一半导体类型的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳博，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：