半导体结构制造技术

本申请实施例涉及一种半导体结构，包括：第一晶圆，第一晶圆内具有若干存储芯片；第二晶圆，第二晶圆内具有若干逻辑芯片，第二晶圆的第一面与第一晶圆的第一面连接，并使存储芯片和逻辑芯片电连接；基板，基板内设置有液体管道，基板与第一晶圆的第二面相接触，基板用于在存储芯片工作前向液体管道内通入加热溶液，以将存储芯片加热到预设温度；其中，第一晶圆的第二面与第一晶圆的第一面相对设置。在存储芯片工作前，通过向液体管道中通入加热溶液将存储芯片加热到预设温度，增加了开始工作时数据传输并存储在存储芯片中的速率，使得内存写入恢复时间内数据能完整的写入存储芯片，消除了开始工作时存储芯片不能写入完整数据对半导体结构整体性能的影响。半导体结构整体性能的影响。半导体结构整体性能的影响。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本申请实施例涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构。

技术介绍

[0002]随着5G通讯和人工智能(AI)时代的到来，应用于此类相关领域的半导体器件中的芯片所要传输、存储和高速交互处理大量的数据，需要半导体器件具有较大的运行速率，在实际应用中发现，在开始工作时半导体器件的整体性能较低，数据不能完整的写入存储芯片，随着运行时间的增加半导体器件的整体性能逐渐提升，数据开始完整的写入存储芯片，如何提高开始工作时半导体器件的整体性能成为急需解决的问题。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了一种半导体结构，可以优化开始工作时半导体器件的整体性能，达到半导体器件开始工作时数据能完整写入存储芯片的目的。
[0004]一种半导体结构，包括：
[0005]第一晶圆，第一晶圆内具有若干存储芯片；
[0006]第二晶圆，第二晶圆内具有若干逻辑芯片，第二晶圆的第一面与第一晶圆的第一面连接，并使存储芯片和逻辑芯片电连接；
[0007]基板，基板内设置有液体管道，基板与第一晶圆的第二面相接触，基板用于在存储芯片工作前向液体管道内通入加热溶液，以将存储芯片加热到预设温度；
[0008]其中，第一晶圆的第二面与第一晶圆的第一面相对设置。
[0009]在其中一个实施例中，基板还用于在存储芯片工作时向液体管道内通入冷却溶液，以降低半导体结构的温度。
[0010]在其中一个实施例中，加热溶液和冷却溶液的材料相同。
[0011]在其中一个实施例中，加热溶液和冷却溶液的材料均为水。
[0012]在其中一个实施例中，半导体结构还包括：
[0013]第一冷却泵，第一冷却泵与液体管道连接，用于驱动加热溶液的流动。
[0014]在其中一个实施例中，第一冷却泵还用于驱动冷却溶液的流动。
[0015]在其中一个实施例中，半导体结构还包括：
[0016]金属板，金属板内设置有散热管道，金属板与第二晶圆的第二面相接触，第二晶圆的第二面与第二晶圆的第一面相对设置。
[0017]在其中一个实施例中，散热管道内设置有散热溶液，散热溶液用于降低半导体结构的温度。
[0018]在其中一个实施例中，散热溶液包括水或硅酸盐型冷却液。
[0019]在其中一个实施例中，半导体结构还包括：
[0020]第二冷却泵，第二冷却泵与散热管道连接，用于驱动散热溶液的流动。
[0021]在其中一个实施例中，金属板内设有容纳槽；半导体结构还包括：
[0022]连接器件，连接器件位于第二晶圆的第二面，且位于容纳槽内，并与逻辑芯片电连接。
[0023]在其中一个实施例中，半导体结构还包括：
[0024]固定件，固定件贯穿金属板，且与基板相接触，用于将金属板与基板固定连接。
[0025]在其中一个实施例中，固定件还用于将逻辑芯片产生的热量传输给基板。
[0026]在其中一个实施例中，存储芯片的功能面位于第一晶圆的第一面，逻辑芯片的功能面位于第二晶圆的第二面。
[0027]在其中一个实施例中，第二晶圆中形成有导电结构，导电结构用于将逻辑芯片引出到第二晶圆的第一表面。
[0028]在其中一个实施例中，存储芯片的功能面位于第一晶圆的第一面，逻辑芯片的功能面位于第二晶圆的第一面。
[0029]在其中一个实施例中，第一晶圆的第一面与第二晶圆的第一面采用微凸块键合工艺或熔融键合工艺键合在一起。
[0030]上述半导体结构，包括：第一晶圆，第一晶圆内具有若干存储芯片；第二晶圆，第二晶圆内具有若干逻辑芯片，第二晶圆的第一面与第一晶圆的第一面连接，并使存储芯片和逻辑芯片电连接；基板，基板内设置有液体管道，基板与第一晶圆的第二面相接触，基板用于在存储芯片工作前向液体管道内通入加热溶液，以将存储芯片加热到预设温度；其中，第一晶圆的第二面与第一晶圆的第一面相对设置。本申请在存储芯片工作前，通过向液体管道中通入加热溶液将存储芯片加热到预设温度，增加了开始工作时数据传输并存储在存储芯片中的速率，使得内存写入恢复时间内数据能完整的写入存储芯片消除了开始工作时存储芯片不能写入完整数据对半导体结构整体性能的影响。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为第1实施例中半导体结构的结构示意图；
[0033]图2为第2实施例中半导体结构的结构示意图；
[0034]图3为第3实施例中半导体结构的结构示意图；
[0035]图4为第4实施例中半导体结构的结构示意图；
[0036]图5为一实施例中基板的俯视示意图；
[0037]图6为第5实施例中半导体结构的结构示意图；
[0038]图7为第6实施例中半导体结构的结构示意图。
[0039]附图标记说明：
[0040]100、第一晶圆；102、存储芯片；200、第二晶圆；202、逻辑芯片；204、导电结构；206、连接器件；300、基板；302、液体管道；304、第一输入端；306、第一输出端；308、凹槽；310、真空吸附孔；402、导电凸块；404、固定件；406、容器；408、第三输入端；410、第三输出端；500、金属板；502、散热管道；504、第二输入端；506、第二输出端。
具体实施方式
[0041]为了便于理解本申请实施例，下面将参照相关附图对本申请实施例进行更全面的描述。附图中给出了本申请实施例的首选实施例。但是，本申请实施例可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请实施例的公开内容更加透彻全面。
[0042]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请实施例的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请实施例的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请实施例。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0043]在本申请实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方法或位置关系，仅是为了便于描述本申请实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请实施例的限制。
[0044]可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一晶圆称为第二晶圆，且类似地，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一晶圆，所述第一晶圆内具有若干存储芯片；第二晶圆，所述第二晶圆内具有若干逻辑芯片，所述第二晶圆的第一面与所述第一晶圆的第一面连接，并使所述存储芯片和所述逻辑芯片电连接；基板，所述基板内设置有液体管道，所述基板与所述第一晶圆的第二面相接触，所述基板用于在所述存储芯片工作前向所述液体管道内通入加热溶液，以将所述存储芯片加热到预设温度；其中，所述第一晶圆的第二面与所述第一晶圆的第一面相对设置。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基板还用于在所述存储芯片工作时向所述液体管道内通入冷却溶液，以降低所述半导体结构的温度。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述加热溶液和所述冷却溶液的材料相同。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述加热溶液和所述冷却溶液的材料均为水。5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一冷却泵，所述第一冷却泵与所述液体管道连接，用于驱动所述加热溶液的流动。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一冷却泵还用于驱动所述冷却溶液的流动。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：金属板，所述金属板内设置有散热管道，所述金属板与所述第二晶圆的第二面相接触，所述第二晶圆的第二面与所述第二晶圆的第一面相对设置。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述散热管道内设置有散热溶液，所述散热溶液用于降低所述半导体结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：寗树梁，何军，刘杰，应战，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：