本发明专利技术公开了一种制备半导体蚀刻液的方法及其精馏装置，本发明专利技术通过设置精馏塔、塔釜和塔釜，对现有的装置进行了简化，将原料输送至精馏塔，利用塔釜对物料进行加热，气化的物料在冷凝器中进行冷凝，得到合格的产品输送至罐区进行保存。生产工艺过程容易控制、安全环保、可实施性强，具有很好的社会效益和经济效益，易于推广应用。易于推广应用。易于推广应用。
【技术实现步骤摘要】
一种制备半导体蚀刻液的方法及其精馏装置
[0001]本专利技术涉及精馏塔生产
，具体涉及一种制备半导体蚀刻液的方法及其精馏装置。
技术背景
[0002]蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术；蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻。其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的。蚀刻的效果能直接影响高密度细导线图像的精度和质量。
[0003]随着液晶显示装置的大型化以及高分辨率化，铝或铝合金材料由于电阻率大，容易产生信号延迟等问题，从而影响显示效果。而铜材料因其具有更低的电阻率，加工性能优异，可以满足大尺寸面板的布线要求。钼钛与玻璃等基板的贴附性高，且兼具阻挡铜向基板扩散的优势。而相关的半导体蚀刻液的开发也显得尤为重要。
[0004]现有的半导体蚀刻液工艺流程较长，设备复杂，现场工人操作难度大，影响了半导体蚀刻液质量。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种制备半导体蚀刻液的方法及其精馏装置，以简化工艺流程，提高生产效率。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术的技术方案采用了一种制备半导体蚀刻液的方法，包括以下步骤：（1）将蚀刻液原料经过预液管输送至收集罐，启动回流泵，将蚀刻液原料通过回流泵输送至精馏塔中；（2）步骤（1）中的蚀刻液从塔顶经过塔板落入到液位池中，当液位池中的液位高于50%时，向塔釜中通过热水，通过塔釜对液位池中的原料进行加热；（3）控制精馏塔的压力小于0.2Mpa，加入氧化剂，使蚀刻液中含有的大量二氧化硫和三氟化砷生成难以挥发的化合物；然后加入重量浓度为30％的过氧化氢；（4）在精馏塔内30～50℃的温度下蒸出的气体连续上升，通过气相管进图到冷凝器中，冷凝后的液体通过第一成品液下料管进入到回流罐中，然后再通过第二成品液下料管进入到收集罐中，进行反复冷凝、回流、汽化，气、液两相在冷凝器内精馏塔上部反复密切接触，控制冷凝器的顶部出口导出的气体温度15～25℃；（5）待冷凝器顶部出口导出的气体达蚀刻液的重量1～2％时，调整冷凝器出口温度为25～30℃；（6）通知分析人员对回流罐中的产品进行分析，合格后，启动成品液泵，将合格的半导体蚀刻液输送至罐区。
[0007]进一步的，步骤(3)加入的氧化剂优选为高锰酸钾溶液、(NH4)2S2O8或KHF2中的任一种或其组合，氧化剂的加入量为原料总重的0.7～2.0％。
[0008]进一步的，所述冷凝器中的冷却水来自于冷却水池，冷却水通过冷却水泵输送至冷凝器。
[0009]一种精馏装置，包括；精馏塔，所述精馏塔的左侧安装有塔釜，所述精馏塔的顶部连接有气相管，所述气相管的末端连接于冷凝器的顶部左侧；冷凝器，所述冷凝器的底部右侧连接有第一成品液下料管，所述第一成品液下料管的末端连接于回流罐的顶部，所述冷凝器的左端连接有冷却水泵出口管，所述冷却水泵出口管连接有冷却水泵，所述冷却水泵的左侧安装有冷却水池，所述冷凝器的右端连接有冷却水出口管；回流罐，所述回流罐的下方连接有第二成品液下料管，所述第二成品液下料管的末端连接有收集罐，所述回流罐的右侧设有成品液泵；回流泵，所述回流泵设置于收集罐的左侧，所述回流泵与收集罐之间设有回流泵进口管，所述回流泵出口连接有回流泵出口管，所述回流泵出口管与精馏塔的中上部连接，并延伸至精馏塔内部；塔釜，所述精馏塔的左侧设有用于对精馏塔内物料进行加热的塔釜，所述塔釜的中上部与精馏塔之间设有第二连接管，所述所述塔釜的中下部与精馏塔之间设有第一连接管，所述塔釜的顶部连接有蒸汽出口阀，所述塔釜的底部连接有蒸汽进口阀。
[0010]进一步的，所述第一成品液下料管上安装有用于控制下料量的第一成品液下料阀，所述第二成品液下料管上安装有第二成品液下料阀。
[0011]进一步的，所述成品液泵与回流罐之间安装有成品液泵进口阀，所述回流泵进口管上安装有回流泵进口阀，所述回流泵出口管上安装有自控阀。
[0012]进一步的，所述精馏塔的中上部安装有塔板，所述塔板分为两层，所述回流泵出口管的末端安装有喷头，所述喷头位于塔板的上方，所述精馏塔的底部设有液位池，所述液位池与收集罐之间安装有平衡管，所述平衡管上安装有平衡阀。
[0013]进一步的，所述第一连接管上设有第一连接阀，所述第二连接管上设有第二连接阀，所述冷却水泵出口管上设有冷却水泵出口阀，所述冷却水泵与冷却水池之间设有冷却水泵进口管，所述冷却水泵进口管上安装有冷却水泵进口阀，所述冷却水泵出口管上安装有冷却水泵出口阀。
[0014]进一步的，所述成品液泵的出口连接有成品液泵出口阀，所述成品液泵出口阀下方设有成品液泵备用阀。
[0015]与现有技术相比较，有如下优点，本专利技术通过设置精馏塔、塔釜和塔釜，对现有的装置进行了简化，将原料输送至精馏塔，利用塔釜对物料进行加热，气化的物料在冷凝器中进行冷凝，得到合格的产品输送至罐区进行保存。生产工艺过程容易控制、安全环保、提高了生产质量，可实施性强，具有很好的社会效益和经济效益，易于推广应用。
附图说明
[0016]图1为本专利技术的工艺流程图。
[0017]附图标记：1、精馏塔，2、塔板，3、液位池，4、预液管，5、收集罐，6、回流泵，7、回流泵进口管，8、回流泵进口阀，9、回流泵出口管，10、自控阀，11、喷头，12、平衡管，13、平衡阀，14，冷却水池，15、冷却水泵进口管，16、冷却水泵进口阀，17、冷却水泵，18、冷却水泵出口阀，19、冷却水泵出口管，20、冷凝器，21、第一成品液下料阀，22、第一成品液下料管，23、成品液泵进口阀，24、成品液泵，25、第二成品液下料管，26、第二成品液下料阀，27、气相管，
28、第一连接管，29、第一连接阀，30、第二连接管，31、第二连接阀，32、蒸汽进口阀，33、蒸汽出口阀，34、成品液泵出口阀，35、成品液泵备用阀，36、回流罐，37、冷却水出口管。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0019]实施例1如图1所示，一种制备半导体蚀刻液的方法，包括以下步骤：（1）将蚀刻液原料经过预液管4输送至收集罐5，启动回流泵6，将蚀刻液原料通过回流泵6输送至精馏塔1中；（2）步骤（1）中的蚀刻液从塔顶经过塔板2落入到液位池3中，当液位池3中的液位高于50%时，向塔釜中通过热水，通过塔釜对液位池3中的原料进行加热；（3）控制精馏塔1的压力小于0.2Mpa，加入氧化剂，使蚀刻液中含有的大量二氧化硫和三氟化砷生成难以挥发的化合物；然后加入重量浓度为30％的过氧化氢；（4）在精馏塔内30～50℃的温度下蒸出的气体连续上升，通过气相管27进图到冷凝器20中，冷凝后的液体通过第一成品液下料管22进入到回流罐36中，然后再通过第二成品液下料管25进入到收集罐5中，进行反复冷凝、回流、汽化，气、液两相在冷凝器20内精馏塔1上部反复密切接触，控制冷凝器20的顶部出口导出的气体温本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制备半导体蚀刻液的方法，包括以下步骤：（1）将蚀刻液原料经过预液管输送至收集罐，启动回流泵，将蚀刻液原料通过回流泵输送至精馏塔中；（2）步骤（1）中的蚀刻液从塔顶经过塔板落入到液位池中，当液位池中的液位高于50%时，向塔釜中通过热水，通过塔釜对液位池中的原料进行加热；（3）控制精馏塔的压力小于0.2Mpa，加入氧化剂，使蚀刻液中含有的大量二氧化硫和三氟化砷生成难以挥发的化合物；然后加入重量浓度为30％的过氧化氢；（4）在精馏塔内30～50℃的温度下蒸出的气体连续上升，通过气相管进图到冷凝器中，冷凝后的液体通过第一成品液下料管进入到回流罐中，然后再通过第二成品液下料管进入到收集罐中，进行反复冷凝、回流、汽化，气、液两相在冷凝器内精馏塔上部反复密切接触，控制冷凝器的顶部出口导出的气体温度15～25℃；（5）待冷凝器顶部出口导出的气体达蚀刻液的重量1～2％时，调整冷凝器出口温度为25～30℃；（6）通知分析人员对回流罐中的产品进行分析，合格后，启动成品液泵，将合格的半导体蚀刻液输送至罐区。2.根据权利要求1所述的一种制备半导体蚀刻液的方法，其特征在于：步骤(3)加入的氧化剂优选为高锰酸钾溶液、(NH4)2S2O8或KHF2中的 任一种或其组合，氧化剂的加入量为原料总重的0.7～2.0％。3.根据权利要求1所述的一种制备半导体蚀刻液的方法，其特征在于：所述冷凝器中的冷却水来自于冷却水池，冷却水通过冷却水泵输送至冷凝器。4.一种适用于权利要求1—3所述的制备半导体蚀刻液方法的精馏装置，其特征在于：包括精馏塔，所述精馏塔的左侧安装有塔釜，所述精馏塔的顶部连接有气相管，所述气相管的末端连接于冷凝器的顶部左侧；冷凝器，所述冷凝器的底部右侧连接有第一成品液下料管，所述第一成品液下料管的末端连接于回流罐的顶部，所述冷凝器的左端连接有冷却水泵出口管，所述冷却水泵出口管连接有冷却水...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔社保，冉明涛，
申请(专利权)人：河南聚氟兴新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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