一种电压调整电路、集成电路以及稳压器制造技术

本发明专利技术公开了一种电压调整电路、集成电路以及稳压器，其中电压调整电路包括类LDO结构、SSF输出结构以及连接所述类LDO结构与所述SSF输出结构的第一PMOS管；所述类LDO结构包括误差放大器以及由第一NMOS和第一分压电阻串构成的反馈回路；所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极；所述第一PMOS管的栅极连接所述SSF输出结构，为所述SSF输出结构提供偏置电压，所述SSF输出结构连接所述类LDO结构中的误差放大器的输出端；所述SSF输出结构的输出端接入负载。通过一个公共的偏置电压提供部分，为每一SSF输出结构提供偏置电压，在不需要增加误差放大器的情况下，使每一负载都有完整的反馈回路保证输出电压的稳定性。的反馈回路保证输出电压的稳定性。的反馈回路保证输出电压的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种电压调整电路、集成电路以及稳压器


[0001]本专利技术涉及电路，具体涉及保持负载电压稳定的电压调整电路。

技术介绍

[0002]一种电压调整电路为如图1所示的LDO结构，调整原理是Vout＝Vref(1+R2/R1)，当负载变化导致Vout波动，则通过电阻串R1和R2分压反馈信号到误差放大器输入端，使得误差放大器的输出端给出信号调整PMOS管P1的栅极来调节Vout，完成负反馈的调节过程，保证负载变化时Vout恒定。但是，该结构不适用于驱动多个负载的场景，因为当负载变多，则需要多个误差放大器完成负反馈，增大了面积和功耗。

技术实现思路

[0003]为了解决负载增多后的电压调整问题，本申请提供一种电压调整电路。
[0004]一种电压调整电路，包括类LDO结构、SSF输出结构以及连接所述类LDO结构与所述SSF输出结构的第一PMOS管；所述类LDO结构包括误差放大器以及由第一NMOS和第一分压电阻串构成的反馈回路；所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极；所述第一PMOS管的栅极连接所述SSF输出结构，为所述SSF输出结构提供偏置电压，所述SSF输出结构连接所述类LDO结构中的误差放大器的输出端；所述SSF输出结构的输出端接入负载。
[0005]进一步地，所述类LDO结构包括误差放大器、第一NMOS管以及第一分压电阻串；所述误差放大器的输出端连接所述第一NMOS管的栅极，所述误差放大器的反向输入端连接所述第一分压电阻串，所述第一分压电阻串和所述第一NMOS管构成所述误差放大器的反馈回路。
[0006]进一步地，所述SSF输出结构包括第二PMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管以及第二分压电阻串；所述第二PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的栅极，所述第二NMOS管的栅极连接所述类LDO结构中的误差放大器的输出端，所述第三PMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的漏极；所述第二分压电阻串的一端连接所述第二NMOS管的源极，另一端接地；所述第三PMOS管的漏极输出与所述第二NMOS管的源极输出形成所述SSF输出结构的输出端。
[0007]进一步地，所述SSF输出结构有若干个，每一所述SSF输出结构均与所述第一PMOS管以及所述类LDO结构连接，每一所述SSF输出结构的输出端均接入负载。
[0008]进一步地，所述第一分压电阻串由两个电阻构成。
[0009]进一步地，所述第二分压电阻串与所述第一分压电阻串的阻值相同。
[0010]一种集成电路，包括上述任意一种电压调整电路。
[0011]一种稳压器，包括上述任意一种电压调整电路。
[0012]本专利技术的有益效果为：
[0013]本专利技术通过在电路上设置一个公共的偏置电压提供部分，为每一SSF输出结构提供偏置电压，在不需要增加误差放大器的情况下，使每一负载都有完整的反馈回路保证输出电压的稳定性；在负载增加时只需增加SSF输入结构就可以提供多个负载的稳定供电。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1是现有技术中的电压调整电路；
[0016]图2是实施例1中改进的电压调整电路；
[0017]图3是实施例2中改进的电压调整电路。
具体实施方式
[0018]为使得本申请的申请目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而非全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0019]下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本专利技术。
[0020]在本申请的描述中，需要理解的是，“第一”、“第二”、“第三”等指示代词，仅是为了便于描述本申请，而不是指示或暗示所指元件必须具有特定的顺序，因此不能理解为对本申请的限制。
[0021]实施例1
[0022]本实施例提供一种电压调整电路，如图2所示，具体包括类LDO结构、SSF输出结构以及连接类LDO结构和SSF输出结构的第一PMOS管P1。
[0023]类LDO结构包括差放大器、第一NMOS管N1以及第一分压电阻串，由R1和R2组成第一分压电阻串；R1接地，R2连接N1的源极。
[0024]误差放大器的输出端连接第一NMOS管N1的栅极，误差放大器的反向输入端连接第一分压电阻串，第一分压电阻串R1、R2和第一NMOS管N1构成误差放大器的反馈回路；误差放大器的正相输入端接入基准输入电压vref。
[0025]SSF(super source follower)输出结构包括第二PMOS管P2、第二NMOS管N2、第三PMOS管P3以及第二分压电阻串，由R3和R4构成；第二PMOS管P2的栅极连接第一PMOS管P1的栅极，第二NMOS管N2的栅极连接类LDO结构中的误差放大器的输出端。第三PMOS管P3的栅极连接第二NMOS管N2的漏极；第二分压电阻串的R4一端连接第二NMOS管N2的源极，R3一端接地。第三PMOS管P3的漏极输出与第二NMOS管N2的源极输出形成整个SSF输出结构的输出端vout1。
[0026]第一分压电阻串的阻值等于第二分压电阻串的阻值，R2＝R4,且R1＝R3。在图2中可以看出，P2、N2、R4以及R3组成的支路就是P1、N2、R2以及R1的支路复制；P2、N2和P3的构成形成了由NMOS管输入的SSF电压供电。
[0027]本实例方案的工作原理如下：
[0028]基准输入电压vref经误差放大器以及由N1和电阻串R1、R2形成的反馈回路，在N1的源极形成输出电压vout＝vref(1+R2/R1)。第一PMOS管P1对第二PMOS管P2形成电流镜关
系，也就是说，管P1对管P2提供了偏置电压。同时管N2的栅极电压也是由误差放大器的输出控制。当负载变化时，由第三PMOS管P3的反馈作用来稳定vout1的值，使其稳定等于vref(1+R2/R1)。
[0029]负载变化后需要大电流，vout1端的电压突然下降，N2的漏极电压也跟着下降；于是P3管的栅极电压也下降，使得它的VSG增大，P3管就会增加流向vout1端的电流，使得vout1端的电压值上升，形成负载变化的完整反馈，维持vout1端的电压输出稳定。
[0030]针对单独的负载，使用NMOS管输入的SSF进行供电，该结构使用一个类LDO结构形成公共部分，为每一SSF输出结构提供偏置电压，在增加负载时只需增加SSF输入结构就可以提供多个负载的稳定供电。
[0031]实施例2
[0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压调整电路，其特征在于，包括类LDO结构、SSF输出结构以及连接所述类LDO结构与所述SSF输出结构的第一PMOS管；所述类LDO结构包括误差放大器以及由第一NMOS和第一分压电阻串构成的反馈回路；所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极；所述第一PMOS管的栅极连接所述SSF输出结构，为所述SSF输出结构提供偏置电压，所述SSF输出结构连接所述类LDO结构中的误差放大器的输出端；所述SSF输出结构的输出端接入负载。2.根据权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于，所述类LDO结构包括误差放大器、第一NMOS管以及第一分压电阻串；所述误差放大器的输出端连接所述第一NMOS管的栅极，所述误差放大器的反向输入端连接所述第一分压电阻串，所述第一分压电阻串和所述第一NMOS管构成所述误差放大器的反馈回路。3.根据权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于，所述SSF输出结构包括第二PMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管以及第二分压电阻串；所述第二PMOS管的栅极连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘辉，何春霖，
申请(专利权)人：杭州雄迈集成电路技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：