一种利用反溶剂调控多晶薄膜取向的方法技术

本发明专利技术涉及纳米材料制备与多晶薄膜制备技术领域，具体提供一种利用反溶剂调控多晶薄膜取向的方法，旨在解决现有制备方法存在实现方式繁琐、制备过程难以与工业生产兼容以及可能对多晶薄膜完整度产生负面影响的问题。为此目的，本发明专利技术的利用反溶剂调控多晶薄膜取向的方法，包括：将预先制备完成的前驱液涂布在基底上；将与目标特定取向对应的反溶剂涂布于前驱液所在的基底上；对涂布完成的具有前驱液和反溶剂的基底进行低温煺火，以得到目标特定取向的多晶薄膜，其中，低温煺火的煺火时长与煺火温度呈负相关。通过本发明专利技术的制备方法制备的多晶薄膜具有高度取向一致性、低缺陷密度、高载流子迁移率与更致密平整的薄膜形貌。载流子迁移率与更致密平整的薄膜形貌。载流子迁移率与更致密平整的薄膜形貌。

【技术实现步骤摘要】
一种利用反溶剂调控多晶薄膜取向的方法


[0001]本专利技术涉及纳米材料制备与多晶薄膜制备
，具体为一种利用反溶剂调控多晶薄膜取向的方法。

技术介绍

[0002]具有特定取向的多晶薄膜在光电、光伏领域中占有重要地位。其中，具有特定取向的多晶薄膜，在光电、光伏器件的应用中，具有以下优势：
[0003]1、具有相同取向的多晶薄膜内由于界面处更少的晶格失配，进而拥有更低的薄膜缺陷密度与更高的载流子迁移率，提高光生载流子转移效率，从而提高器件性能；
[0004]2、减少薄膜在连续工作状态下的效率损失，减少界面处由于晶格失配导致存在的可被光老化过程激活的潜在缺陷位点。特别的，在有机光电/光伏器件和钙钛矿光电/光伏器件中，基于具有相同取向多晶薄膜制备而成的器件可有效解决光老化过程导致的相分离与缺陷密度上升问题，从而大大提高器件在连续工作条件下的稳定性，为基于有机或钙钛矿光活性层的光电器件的工业化提供有效的技术支持；
[0005]3、具有相同取向的多晶薄膜还可以减少晶体间间隙，进而抑制水氧等通过晶界处的间隙对光敏层的侵蚀过程，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用反溶剂调控多晶薄膜取向的方法，其特征在于，所述方法包括：S1：将预先制备完成的前驱液涂布在基底上；S2：将与目标特定取向对应的反溶剂涂布于所述前驱液所在的所述基底上；S3：对涂布完成的具有所述前驱液和所述反溶剂的所述基底进行低温煺火，以得到所述目标特定取向的多晶薄膜，其中，所述低温煺火的煺火时长与煺火温度呈负相关。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S1的步骤具体包括：将预先制备完成的钙钛矿前驱液涂布在基底上；所述S2的步骤具体包括：将与目标特定取向对应的反溶剂涂布于所述钙钛矿前驱液所在的所述基底上，其中，所述反溶剂中包含异丙醇。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，“将预先制备完成的钙钛矿前驱液涂布在基底上”的步骤进一步包括：采用先2000rpm持续5s再4000rpm持续20s旋涂的方式将预先制备完成的钙钛矿前驱液涂布在基底上；“将与目标特定取向对应的反溶剂涂布于所述钙钛矿前驱液所在的所述基底上”的步骤进一步包括：在4000rpm旋涂钙钛矿前驱液的最后10s前将与目标特定取向对应的反溶剂涂布在所述基底上。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述目标特定取向为111取向，所述反溶剂为纯异丙醇溶剂。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述目标特定取向为001取向，所述反溶剂为甲脒碘、甲胺碘和甲胺氯作为溶质以及异丙醇作为溶剂的混合溶液。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述甲脒碘、甲胺碘...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏静，李红博，孙相彧，李东妮，赵璐，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：