一种气体混合装置及半导体工艺系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种气体混合装置，包括：气体缓冲罐，所述气体缓冲罐的内部具有密闭的腔体，且所述气体缓冲罐上具有连通外接和所述腔体的第一通孔和第二通孔；进气接头，通过所述第一通孔与所述腔体连通；出气接头，通过所述第一通孔与所述腔体连通；其中，所述进气接头和所述出气接头位于所述气体缓冲罐的同一侧。其优点在于，通过气体缓冲罐可为混合气体进行缓冲，并使得混合气体在气体缓冲罐进一步融合，提升混合气体的混合浓度均匀性；此外，本实用新型专利技术中的混合气体装置还具有结构简单，制造难度较低，体积较小，便于在狭窄区域使用等优点。优点。优点。

【技术实现步骤摘要】
一种气体混合装置及半导体工艺系统


[0001]本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种气体混合装置及半导体工艺系统。

技术介绍

[0002]EPI外延工艺是一个含有硅原子的气体以适当的方式通过衬底，自反应剂分子释放出的原子在衬底上运动直到它们到达适当的位置，并成为生长源的一部分，在适当的条件下就得到单一的晶向。所得到的外延层精确地为单晶衬底的延续。硅外延生长其意义是在具有一定晶向的硅单晶衬底上生长一层具有和衬底相同晶向的电阻率与厚度不同的晶格结构完整性好的晶体。半导体分立元器件和集成电路制造工艺需要外延生长技术，因半导体其中所含的杂质有N型和P型，通过不同类型的组合，使半导体器件和集成电路具有各种各样的功能，应用外延生长技术就能容易地实现。硅外延生长方法，目前国际上广泛的采用化学气相沉积生长方法满足晶体的完整性、器件结构的多样化，装置可控简便，批量生产、纯度的保证、均匀性要求。
[0003]为了使半导体器件得到所需要求的电参数，用P型或N型杂质对外延层进行掺杂是必要的。器件的效果取决于掺杂浓度的准确控制和掺杂剂浓度沿外延层的纵向分布。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体混合装置，其特征在于，包括：气体缓冲罐，所述气体缓冲罐的内部具有密闭的腔体，且所述气体缓冲罐上具有连通外界和所述腔体的第一通孔和第二通孔；进气接头，通过所述第一通孔与所述腔体连通；出气接头，通过所述第一通孔与所述腔体连通；其中，所述进气接头和所述出气接头位于所述气体缓冲罐的同一侧。2.根据权利要求1所述的气体混合装置，其特征在于，所述腔体内的远离所述进气接头的一侧内壁具有弧形凹槽；和/或所述气体缓冲罐的内部光滑；和/或所述气体缓冲罐的内部凹凸不平。3.根据权利要求1所述的气体混合装置，其特征在于，还包括：至少一个进气管，所述进气管的进气端与所述进气接头连通，用于向所述腔体内输送混合气体。4.根据权利要求3所述的气体混合装置，其特征在于，所述进气管的出气端延伸至所述腔体内的远离所述进气接头的一端；和/或，所述进气管延伸至所述腔体内的中段位置。5.根据权利要求4所述的气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：范威威，纪雪峰，陈亮，
申请(专利权)人：上海良薇机电工程有限公司，
类型：新型
国别省市：