一种筛查晶圆缺陷的测试方法技术

本申请提供一种筛查晶圆缺陷的测试方法，包括：步骤S1，对芯片中的全部存储单元执行代码Pgm00的操作，以使存储单元中的浮栅呈充满电子的状态；步骤S2，对芯片实施加压测试，以使浮栅中的电子通过缺陷造成的漏电通道加速流失；步骤S3，对芯片中的全部存储单元执行代码Read00的操作，判断代码Pgm00的状态是否由0变1。如果判断代码Pgm00的状态由0变1，则指示受试晶圆存在失效风险，筛选出该受试晶圆；如果判断代码Pgm00的状态未由0变1，则对该受试晶圆进行晶圆测试的功能测试。通过在晶圆测试的功能测试之前对芯片实施加压测试，可以有效筛选出浮栅周围的膜层存在缺陷的晶圆，提高产品在应用端的可靠性。在应用端的可靠性。在应用端的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种筛查晶圆缺陷的测试方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种筛查晶圆缺陷的测试方法。

技术介绍

[0002]晶圆在制造过程中，会经历众多复杂的工艺流程。如果产线在生产过程中出现异常，就容易在芯片内引入缺陷(Defect)。这些缺陷若出现在与器件性能密切相关的区域时，则会影响芯片的正常工作。
[0003]一般而言，Flash存储器通常通过浮栅(Floating Gate，以下简称FG)存储电子，因Flash芯片存储单元密度高，因此对于缺陷的容忍度更小。浮栅周围的膜层(Spacer)质量和膜层完整性是影响其储存电子能力的关键因素。如果在膜层中引入了缺陷，就会使膜层的隔离性能变差，从而使浮栅中的电子容易流失。
[0004]当这种缺陷尺寸较小时，往往不能通过制程检验(inline)缺陷扫描发现，甚至通常晶圆测试(CP)的功能测试也无法筛查出。这种缺陷导致的漏电通道会使浮栅中的电子缓慢流失，通常需要通过检查数据保存能力的测试项才有可能筛选出存在这种缺陷的风险芯片。这些测试项失效容易造成芯片可靠性方面的顾虑。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种筛查晶圆缺陷的测试方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1，对芯片中的全部存储单元执行代码Pgm00的操作，以使所述存储单元中的浮栅呈充满电子的状态；步骤S2，对所述芯片实施加压测试，以使所述浮栅中的电子通过所述缺陷造成的漏电通道加速流失；步骤S3，对所述芯片中的全部存储单元执行代码Read00的操作，判断所述代码Pgm00的状态是否由0变1。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述步骤S3之后，如果判断所述代码Pgm00的状态由0变1，则通过输出失效代码Bin的方式指示受试晶圆存在失效风险，筛选出所述受试晶圆；如果判断所述代码Pgm00的状态未由0变1，则对所述受试晶圆进行晶圆测试的功能测试。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加压测试的测试条件为：施加于所述芯片内字线接触孔中的导电插塞的电位为0V，施加于所述芯片内位线接触孔中的导电插塞的电位高于所述芯片内存储单元正常工作时需要的操作电压，测试时间为30s
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60s。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述施加于芯片内位线接触孔中的导电插塞的电位为5.5V
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6.5V。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯叶，吴苑，曾志敏，张庆文，武丽，胥超，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：