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本申请提供一种筛查晶圆缺陷的测试方法，包括：步骤S1，对芯片中的全部存储单元执行代码Pgm00的操作，以使存储单元中的浮栅呈充满电子的状态；步骤S2，对芯片实施加压测试，以使浮栅中的电子通过缺陷造成的漏电通道加速流失；步骤S3，对芯片中的全...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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