一种半导体存储器及其上存储块的容量配置方法技术

本申请实施例提供一种半导体存储器及其上存储块的容量配置方法，其中，所述方法包括：确定存储器上的待配置的目标存储块；确定目标存储块的容量配置参数，从目标存储块的一组编码中，确定目标编码；目标编码对应目标存储块中待修剪的存储区域；基于目标编码，生成用于选中目标存储块中待修剪的存储区域的区域选择信号；基于区域选择信号，对待修剪的存储区域进行修剪，以实现对目标存储块的容量进行配置。本申请能够灵活选取待修剪的存储区域，提升对半导体存储器上存储块的容量配置的有效利用率。利用率。利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体存储器及其上存储块的容量配置方法


[0001]本申请涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体存储器及其上存储块的容量配置方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，为了同一款芯片实现不同的容量，可以采用一组修剪(trim)命令，使整个芯片(chip)上所有存储块(bank)的相同存储区域(存储阵列(array))被修剪掉，以得到不同容量。
[0003]由于不同的存储块，损坏的存储阵列完全有可能是不一样的，而为了利用只坏掉部分存储阵列的芯片，对整个芯片都选取相同的存储阵列进行修剪的方法，存在明显的缺陷，对半导体存储器上存储块的容量配置的有效利用率较低。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例提供一种半导体存储器及其上存储块的容量配置方法，能够灵活选取待修剪的存储区域，提升对半导体存储器上存储块的容量配置的有效利用率。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种半导体存储器上存储块的容量配置方法，所述方法包括：
[0006]确定所述存储器上的待配置的目标存储块；
[0007]确定所述目标存储块的容量配置参数，所述容量配置参数用于表征所述目标存储块的待配置容量；
[0008]基于所述目标存储块的容量配置参数，从所述目标存储块的一组编码中，确定目标编码；所述目标编码对应所述目标存储块中待修剪的存储区域；
[0009]基于所述目标编码，生成用于选中所述目标存储块中待修剪的存储区域的区域选择信号；
[0010]基于所述区域选择信号，对所述待修剪的存储区域进行修剪，以实现对所述目标存储块的容量进行配置。
[0011]第二方面，本申请实施例提供一种半导体存储器，所述半导体存储器包括：
[0012]目标存储块，包括至少两个存储区域；
[0013]地址处理单元，用于输出所述目标存储块的地址；所述地址处理单元的输出端连接所述目标存储块；
[0014]编码获取单元，用于接收目标编码，所述目标编码对应所述目标存储块中的至少一个待修剪的存储区域；
[0015]区域选择信号生成单元，用于基于所述目标编码，生成用于选中所述目标存储块中待修剪的存储区域的区域选择信号；所述区域选择信号生成单元的输出端连接修剪单元的输入端；
[0016]所述修剪单元，用于基于所述区域选择信号，对所述待修剪的存储区域进行修剪，以实现对所述目标存储块的容量进行配置；所述修剪单元的输出端连接所述目标存储块。
[0017]本申请实施例中，由于对于不同待配置的目标存储块的容量配置参数可以是不同的，基于不同的容量配置参数所确定的目标编码也可以不同，进而基于不同的目标编码所生成的区域选择信号也不同。如此，通过不同的区域选择信号，可以实现对不同待配置的目标存储块的不同待修剪的存储区域进行修剪；进而，能够灵活选取待修剪的存储区域，提升对半导体存储器上存储块的容量配置的有效利用率。
附图说明
[0018]在附图(其不一定是按比例绘制的)中，相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件。具有不同字母后缀的相似附图标记可表示相似部件的不同示例。附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。
[0019]图1为相关技术中动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的组成结构示意图；
[0020]图2为本申请实施例提供的一种半导体存储器上存储块的容量配置方法的实现流程框图；
[0021]图3a为本申请实施例提供的一种全芯片存储区域和地址的结构示意图；
[0022]图3b为本申请实施例提供的对图3a中的存储块8进行放大后所展现的结构示意图；
[0023]图3c为本申请实施例提供的对存储块8进行修剪后的结构示意图；
[0024]图3d为本申请实施例提供的一种对目标编码进行逻辑非运算的逻辑电路图；
[0025]图3e为本申请实施例提供的一种对Ra<15：14>进行逻辑非运算的逻辑电路图；
[0026]图3f为本申请实施例提供的一种对DensityTrim<0>和DensityTrim<1>进行逻辑运算的逻辑电路图；
[0027]图3g为本申请实施例提供的对DensityTrimB<0>和DensityTrimB<1>进行逻辑运算的逻辑电路图；
[0028]图3h为本申请实施例提供的通过目标编码和高两位元地址得到区域选择信号Ra1514<0>的逻辑电路图；
[0029]图3i为本申请实施例提供的通过目标编码和高两位元地址得到区域选择信号Ra1514<1>的逻辑电路图；
[0030]图3j为本申请实施例提供的通过目标编码和高两位元地址得到区域选择信号Ra1514<2>的逻辑电路图；
[0031]图4为本申请实施例提供的一种适用于对半导体存储器上存储块的容量进行配置的系统结构图；
[0032]图5为本申请实施例提供的一种半导体存储器的结构示意图。
具体实施方式
[0033]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对专利技术的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本申请，但不用
来限制本申请的范围。
[0034]在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”或“单元”的后缀仅为了有利于本申请的说明，其本身没有特定的意义。因此，“模块”或“单元”可以混合地使用。
[0035]相关技术中，由于存储芯片的每套掩膜的费用很高，同时为了快速占领市场，往往在一款芯片的设计中用trim实现不同的容量。在实际生产中还会遇到有一部分的芯片只坏掉了部分的存储阵列，这时可以把这部分的芯片用作低容量的芯片来出售，达到增加良率的目的，比如，8兆比特(Gigabit，Gb)的芯片可以当作4Gb/2Gb的芯片来使用。同一款芯片实现不同的容量，通常的做法是用一组trim，使整个芯片所有存储块选取相同的存储阵列进行trim。这种实现方法设计上比较简单，但是不够灵活。为了利用只坏掉部分存储阵列的那部分芯片，整个芯片所有存储块都选取相同存储阵列的做法，显然是有缺陷的，因为不同的存储块，损坏的存储阵列完全有可能是不一样的。
[0036]可以理解的是，存储块是指动态随机存储器中包含的物理存储体或逻辑存储库的数量，一个芯片中可以包含多个存储块，例如，可以包含8个存储块；每一存储块中可以包含多个存储阵列，存储块中存储阵列的数量代表芯片的数据位宽；一个存储阵列里面包含多个存储单元。
[0037]在一种可能的实施方式中，半导体存储器可以是DRAM。图1为相关技术中DRAM的组成结构示意图，如图1所示，控制器10控制两个多个双列直插式存储模块(D本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器上存储块的容量配置方法，其特征在于，所述方法包括：确定所述存储器上的待配置的目标存储块；确定所述目标存储块的容量配置参数，所述容量配置参数用于表征所述目标存储块的待配置容量；基于所述目标存储块的容量配置参数，从所述目标存储块的一组编码中，确定目标编码；所述目标编码对应所述目标存储块中待修剪的存储区域；基于所述目标编码，生成用于选中所述目标存储块中待修剪的存储区域的区域选择信号；基于所述区域选择信号，对所述待修剪的存储区域进行修剪，以实现对所述目标存储块的容量进行配置。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标存储块的容量配置参数包括以下至少之一：所述目标存储块的目标容量，所述目标存储块中待修剪的存储区域，所述目标存储块中可利用的存储区域。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述目标存储块的容量配置参数包括：所述目标存储块中待修剪的存储区域，或所述目标存储块中可利用的存储区域的情况下，所述基于所述目标存储块的容量配置参数，从所述目标存储块的一组编码中，确定目标编码，包括：基于所述待修剪的存储区域或所述可利用的存储区域，确定所述待修剪的存储区域；基于所述待修剪的存储区域，从所述目标存储块的一组编码中，确定所述目标编码；其中，所述目标存储块的一组编码中每一编码对应于所述目标存储块中的至少一个待修剪的存储区域。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述目标存储块的容量配置参数包括所述目标存储块的目标容量的情况下，所述基于所述目标存储块的容量配置参数，从所述目标存储块的一组编码中，确定目标编码，包括：从所述目标存储块的一组编码中，确定与所述目标存储块的容量配置参数对应的多个编码；从所述与所述目标存储块的容量配置参数对应的多个编码中，随机选择一个编码作为所述目标编码。5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标编码，生成用于选中所述目标存储块中待修剪的存储区域的区域选择信号，包括：基于所述目标编码，确定所述目标存储块中待修剪的存储区域的行地址；基于所述目标编码和所述待修剪的存储区域的行地址，生成用于选中所述目标存储块中待修剪的存储区域的区域选择信号。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标编码和所述待修剪的存储区域的行地址，生成用于选中所述目标存储块中待修剪的存储区域的区域选择信号，包括：对所述目标编码与对应所述待修剪的存储区域的行地址进行逻辑处理，得到目标电平；
将所述目标电平作为所述区域选择信号。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述待修剪的存储区域的行地址为所述待修剪的存储区域的行地址中的高位元地址，所述高位元地址用于区别所述目标存储块中的不同存储区域。8.根据权利要求4至7任一项所述的方法，其特征在于，在所述目标存储块的容量配置参数包括所述目标存储块的目标容量的情况下，所述基于所述目标存储块的容量配置参数，从所述目标存储块的一组编码中，确定目标编码，包括：确定所述目标存储块的最大容量；在所述目标容量小于所述最大容量的情况下，基于所述目标容量，从所述目标存储块的一组编码中，确定所述目标编码。9.根据权利要求5至7任一项所述的方法，其特征在于，所述目标存储块包括至少两个逻辑存储区域，每一所述逻辑存储区域包括连续的至少两个物理存储区域；所述目标存储块中待修剪的存储区域包括连续的至少两个待修剪的物理存储区域；在所述目标存储块的容量配置参数包括所述目标存储块中待修剪的物理存储区域的情况下，所述基于所述目标存储块的容量配置参数，从所述目标存储块的一组编码中，确定目标编码，包括：基于所述目标存储块中连续的所述至少两个待修剪的物理存储区域，在所述目标存储块所包括的至少两个逻辑存储区域中，确定待修剪的逻辑存储区域；基于所述待修剪的逻辑存储区域，从所述目标存储块的一组编码中，确定所述目标编码。10.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述目标存储块的容量配置参数包括所述目标存储块的目标容量；所述目标存储块包括至少两个逻辑存储区域，每一所述逻辑存储区域包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈继兴，尚为兵，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：