本发明专利技术公开了一种半导体晶片的清洗装置及其清洗方法，该装置包括箱体，箱体内部设置有清洗机构，清洗机构的一部分设置于清洗篮中，清洗机构包括去污辊，去污辊有若干个，若干去污辊的下端活动安装于清洗篮内部底面上，且去污辊的上端穿设于水箱与工作箱而与工作箱顶壁活动相连；若干去污辊在纵向上分为若干组，每一组去污辊等距间隔排列；清洗辊，清洗辊有若干个，清洗辊包括辊柱，每一个辊柱在纵向上设置于相邻的两个去污辊之间，每一个辊柱位于水箱内部的辊壁上均开设有进水口；喷头，喷头均匀分布于辊柱位于清洗篮内部的辊壁上；该装置可以在达到良好清洗效果的同时保护半导体晶片的质量不受损坏。体晶片的质量不受损坏。体晶片的质量不受损坏。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶片的清洗装置及其清洗方法
[0001]本专利技术涉及清洗装置
，具体涉及一种半导体晶片的清洗装置及其清洗方法。
技术介绍
[0002]半导体晶片需要进行清洗工序，以篮宝石衬底为例说明，随着LED制程工艺的日渐成熟、生产成本的不断降低，其应用范围和市场规模也在与日俱增；但LED的外延材料GaN，由于其特殊的理化性质，无法直接进行合成，必须附着于特定的衬底材料进行生长。当下主流的LED衬底材料是单晶蓝宝石衬底，且外延层的生长对图形化蓝宝石表面洁净度存在很高的要求，且图形化过程对蓝宝石平片表面洁净度也存在很高要求，因此，对蓝宝石衬底在其图形化加工过程及外延生长前的表面洁净度的控制必不可少。
[0003]目前，在现有技术中，对于半导体晶片的专用清洗装置多种多样，但是，为了提高清洗力度，现有技术中的清洗装置中的清洗机构大多采用高强度清洗机构，例如强力冲刷，这样虽然可以在一定程度上清除污渍，但是随之而来也引入了另一个问题，即在清洗过程中由于强度不适而造成半导体晶体表面受损，进而影响半导体晶片的质量。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体晶片的清洗装置及其清洗方法，解决以下技术问题：
[0005]现有技术中的清洗装置中的清洗机构大多采用高强度清洗机构，例如强力冲刷，这样虽然可以在一定程度上清除污渍，但是随之而来也引入了另一个问题，即在清洗过程中由于强度不适而造成半导体晶体表面受损，进而影响半导体晶片的质量。
[0006]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0007]一种半导体晶片的清洗装置，包括外壳，外壳包括箱体和盖体，盖体安装于箱体前侧；箱体内部设置有
[0008]支撑板，支撑板固定安装于箱体内部上方，且位于盖体上方；
[0009]水箱，水箱安装于支撑板上侧；
[0010]工作箱，工作箱安装于水箱上侧；
[0011]清洗篮，清洗篮固定安装于支撑板下方，且位于盖体下方；
[0012]清洗机构，清洗机构的一部分设置于清洗篮中，清洗机构包括
[0013]去污辊，去污辊有若干个，若干去污辊的下端活动安装于清洗篮内部底面上，且去污辊的上端穿设于水箱与工作箱而与工作箱顶壁活动相连；若干去污辊在纵向上分为若干组，每一组去污辊等距间隔排列；
[0014]清洗辊，清洗辊有若干个，清洗辊包括
[0015]辊柱，每一个辊柱在纵向上设置于相邻的两个去污辊之间，每一个辊柱位于水箱内部的辊壁上均开设有进水口；
[0016]喷头，喷头有若干个，喷头均匀分布于辊柱位于清洗篮内部的辊壁上；
[0017]驱动机构，驱动机构用以驱动去污辊和辊柱进行转动。
[0018]去污辊位于清洗篮内部的外表面上可拆式套设有清洁布。
[0019]在进一步的方案中：驱动机构包括
[0020]双轴电机，双轴电机安装于工作箱内部顶端，工作箱的下输出端与其中一个去污辊固定相连；
[0021]第一齿轮，第一齿轮的数量与去污辊的数量相同，第一齿轮分别固定套设于每一个去污辊的辊壁上，且相邻的第一齿轮之间均相互啮合；
[0022]第二齿轮，第二齿轮有若干个，第二齿轮分别固定套设于相邻的去污辊与辊柱的辊壁上，且若干第二齿轮之间均相互啮合。
[0023]在进一步的方案中：外壳上侧安装有送气机构。
[0024]在进一步的方案中：送气机构包括
[0025]气筒，气筒的进气端内部设置有单向阀，且气筒内部设置有活塞机构；气筒末端上侧连接有气管；
[0026]气腔，气腔设置于箱体内部，气腔包括
[0027]腔体，气管远离气筒的一端与腔体相连；
[0028]喷管，喷管有若干个，若干喷管均匀分布于腔体上侧，且每一个喷管中均安装有单向阀。
[0029]在进一步的方案中：活塞机构包括
[0030]转盘，双轴电机的上输出端穿设于箱体上壁而与转盘固定连接；
[0031]偏心轴，偏心轴固定连接于转盘上侧的非中心处；
[0032]传动杆，传动杆的一端与偏心轴活动连接；
[0033]活塞杆，活塞杆的一端与传动杆远离偏心轴的一端活动连接、另一端活动穿设于气筒筒壁；
[0034]活塞板，活塞板活动设置于气筒内部，且活塞板位于气筒内部的一端与活塞板固定连接。
[0035]在进一步的方案中：箱体上侧通过连杆固定安装有固定套，活塞杆活动穿设于固定套。
[0036]一种半导体晶片的清洗方法，半导体晶片通过上述清洗装置进行清洗，包括以下步骤：
[0037](1)打开盖体，将半导体晶片置于清洗篮中的隔间内，再关闭盖体；
[0038](2)打开清洗装置的开关，清洗装置内部开始运行清洗；
[0039](3)清洗结束后，打开盖体将半导体晶片取出即可。
[0040]本专利技术实施例的有益效果：
[0041]在进行清洗的过程中，驱动机构即启动带动去污辊与辊柱进行转动，去污辊在转动时，会对半导体晶片的表面进行摩擦，磨擦力度适中，可以将半导体晶片表面的污垢除去；同时辊柱在转动时，会将水箱内部的水通过进水口吸入辊柱内部，并通过喷头向位于清洗篮内部的半导体晶片进行冲洗，从而进一步将半导体晶片表面的污渍清除，经过喷头与去污辊的双重清理，半导体晶片可以得到充分清洁，且清洁力度适中柔和，可以在达到良好
清洗效果的同时保护半导体晶片的质量不受损坏。
附图说明
[0042]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。
[0043]图1是本专利技术实施例的内部结构侧视图；
[0044]图2是本专利技术实施例中清洗箱子的内部结构示意图；
[0045]图3是本专利技术实施例中部分结构的内部结构示意图；
[0046]图4是本专利技术实施例中部分结构的正视图；
[0047]图5是本专利技术实施例中部分结构的立体结构示意图。
[0048]图中标号代表：
[0049]100、外壳；110、箱体；120、盖体；
[0050]200、清洗篮；
[0051]300、清洗机构；310、去污辊；320、清洗辊；321、辊柱；322、喷头；323、进水口；
[0052]400、驱动机构；410、双轴电机；420、第一齿轮；430、第二齿轮；
[0053]500、送气机构；510、转盘；520、偏心轴；530、传动杆；540、活塞杆；550、固定套；560、活塞板；570、气筒；580、气管；590、气腔；591、腔体；592、喷管；
[0054]600、水箱；
[0055]700、工作箱；
[0056]800、支撑板。
具体实施方式
[0057]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片的清洗装置，包括外壳(100)，所述外壳(100)包括箱体(110)和盖体(120)，所述盖体(120)安装于箱体(110)前侧；其特征在于，所述箱体(110)内部设置有支撑板(800)，所述支撑板(800)固定安装于箱体(110)内部上方，且位于盖体(120)上方；水箱(600)，所述水箱(600)安装于支撑板(800)上侧；工作箱(700)，所述工作箱(700)安装于水箱(600)上侧；清洗篮(200)，所述清洗篮(200)固定安装于支撑板(800)下方，且位于盖体(120)下方；清洗机构(300)，所述清洗机构(300)的一部分设置于清洗篮(200)中，所述清洗机构(300)包括去污辊(310)，所述去污辊(310)有若干个，若干去污辊(310)的下端活动安装于清洗篮(200)内部底面上，且去污辊(310)的上端穿设于水箱(600)与工作箱(700)而与工作箱(700)顶壁活动相连；若干去污辊(310)在纵向上分为若干组，每一组去污辊(310)等距间隔排列；清洗辊(320)，所述清洗辊(320)有若干个，所述清洗辊(320)包括辊柱(321)，每一个所述辊柱(321)在纵向上设置于相邻的两个所述去污辊(310)之间，每一个所述辊柱(321)位于水箱(600)内部的辊壁上均开设有进水口(323)；喷头(322)，所述喷头(322)有若干个，所述喷头(322)均匀分布于所述辊柱(321)位于清洗篮(200)内部的辊壁上；驱动机构(400)，所述驱动机构(400)用以驱动去污辊(310)和辊柱(321)进行转动。2.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，所述去污辊(310)位于清洗篮(200)内部的外表面上可拆式套设有清洁布。3.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，所述驱动机构(400)包括双轴电机(410)，所述双轴电机(410)安装于工作箱(700)内部顶端，所述工作箱(700)的下输出端与其中一个去污辊(310)固定相连；第一齿轮(420)，所述第一齿轮(420)的数量与去污辊(310)的数量相同，所述第一齿轮(420)分别固定套设于每一个所述去污辊(310)的辊壁上，且相邻的第一齿轮(420)之间均相互啮合；第二齿轮(...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐新华，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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