【技术实现步骤摘要】
MEMS扬声器、电子设备及MEMS扬声器的制备方法
[0001]本专利技术涉及微机电系统(MEMS)
，更具体地，本专利技术涉及一种MEMS扬声器、电子设备及MEMS扬声器的制备方法。
技术介绍
[0002]现有技术中通常采用MEMS扬声器来实现声音信号的输出，比如可以采用压电式MEMS扬声器来实现。其工作原理为：在压电式MEMS扬声器中，通常使用压电薄膜作为有源元件,当施加电压时压电薄膜会发生机械变形，这种机械变形会使周围的空气也发生位移并产生声波，从而实现声音信号的输出。
[0003]但是，对于大多数的压电式MEMS扬声器而言，受压电薄膜的压电系数较低的影响，大多数压电式MEMS扬声器都需要比较大的驱动电压，才能够实现声音信号的输出。
技术实现思路
[0004]鉴于上述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种新型的MEMS扬声器、电子设备及MEMS扬声器的制备方法，旨在解决现有技术中的至少一个问题。
[0005]根据本专利技术的一个方面，提供了一种MEMS扬声器。所述MEMS扬声器包括：
[0006]基板；
[0007]MEMS模块，所述MEMS模块包括衬底和压电振膜，所述衬底设置于所述基板上，所述压电振膜设置于所述衬底远离所述基板的一侧，所述压电振膜与所述衬底之间形成真空间隙，且所述压电振膜靠近所述衬底的一侧设置有第一电极，所述压电振膜远离所述衬底的一侧设置有第二电极，所述第一电极和所述第二电极相对，所述第一电极和所述第二电极均与所述基板电连接。>[0008]可选地，所述MEMS模块还包括支撑层，所述支撑层设置于所述压电振膜与所述衬底之间，所述支撑层具有中空区域，所述支撑层与所述压电振膜、所述衬底共同形成包括所述中空区域的所述真空间隙。
[0009]可选地，所述真空间隙的厚度范围为5微米至100微米。
[0010]可选地，所述压电振膜包括至少一层压电材料。
[0011]可选地，所述压电材料为氮化铝材料、氮化镓材料和锆钛酸铅材料中的至少一种。
[0012]可选地，所述压电振膜的厚度范围为0.2微米至2微米。
[0013]可选地，所述压电振膜的长度范围为0.3毫米至3毫米。
[0014]可选地，所述衬底朝向所述压电振膜的一侧具有凸起，所述MEMS模块还包括支撑层，所述支撑层夹设于所述压电振膜与所述凸起之间，所述支撑层将所述真空间隙划分为第一真空间隙和第二真空间隙。
[0015]可选地，所述MEMS扬声器还包括盖板，所述盖板设置于所述基板上且覆盖所述MEMS模块，所述盖板上开设有声孔。
[0016]根据本专利技术的另一个方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括上述任意一项
所述的MEMS扬声器。
[0017]根据本专利技术的再一个方面，提供了一种MEMS扬声器的制备方法。所述制备方法包括：
[0018]制作第一衬底；
[0019]在所述第一衬底上沉积压电振膜，并在所述压电振膜上沉积第一电极；
[0020]制作第二衬底，并释放部分所述第二衬底；
[0021]翻转所述第一衬底并与所述第二衬底键合，使得所述压电振膜与所述第二衬底之间形成真空间隙；
[0022]去除所述第一衬底，并在所述压电振膜上沉积第二电极，得到MEMS模块；
[0023]将所述MEMS模块装配于基板上。
[0024]可选地，在所述并在所述压电振膜上沉积第一电极之后，还包括：
[0025]沉积第一电介质层；
[0026]在所述第一电介质层上沉积第一粘接层。
[0027]可选地，在所述制作第二衬底之后，还包括：
[0028]在所述第二衬底上沉积第二电介质层；
[0029]在所述第二电介质层上沉积第二粘接层。
[0030]可选地，所述翻转所述第一衬底并与所述第二衬底键合，包括：
[0031]翻转所述第一衬底，并将所述第一粘接层与所述第二粘接层键合。
[0032]本专利技术的一个技术效果在于，通过设置MEMS模块的压电振膜与衬底之间形成真空间隙，以能够降低压电振膜与衬底之间间隙内的阻力，进而能够降低压电振膜振动时的阻力，以能够降低压电振膜的驱动电压。
[0033]通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0034]构成说明书的一部分的附图描述了本专利技术的实施例，并且连同说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0035]图1是本公开实施例的一种MEMS扬声器的结构示意图；
[0036]图2是本公开实施例的另一种MEMS扬声器的结构示意图；
[0037]图3是本公开实施例的一种压电振膜的预弯曲示意图；
[0038]图4是本公开实施例的一种MEMS扬声器的制备过程示意图。
[0039]附图标记说明：
[0040]1、基板；2、MEMS模块；21、衬底；211、凸起；22、压电振膜；23、真空间隙；24、第一电极；25、第二电极；26、支撑层；3、盖板；31、声孔。
具体实施方式
[0041]现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。
[0042]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。
[0043]对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。
[0044]在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0045]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0046]本专利技术提供了一种MEMS(微机电系统)扬声器。微机电系统(MEMS)扬声器是基于MEMS技术制造的扬声器。采用微机电工艺形成的微机电系统扬声器具有体积小、灵敏度高的特点，并且微机电麦扬声器具有良好的射频干扰(RFI)及电磁干扰(EMI)抑制能力。MEMS扬声器也常用于中高端手机等电子设备中。
[0047]如图1至图4所示，根据本专利技术的一个方面，提供了一种MEMS扬声器。所述MEMS扬声器包括：
[0048]基板1；
[0049]MEMS模块2，所述MEMS模块2包括衬底21和压电振膜22，所述衬底21设置于所述基板1上，所述压电振膜22设置于所述衬底21远离所述基板1的一侧，所述压电振膜22与所述衬底21之间形成真空间隙23，且所述压电振膜22靠近所述衬底21的一侧设置有第一电极24，所述压电振膜22远离所述衬底21的一侧设置有第二电极25，所述第一电极24和所述第二电极25相对，所述第一电极本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MEMS扬声器，其特征在于，包括：基板(1)；MEMS模块(2)，所述MEMS模块(2)包括衬底(21)和压电振膜(22)，所述衬底(21)设置于所述基板(1)上，所述压电振膜(22)设置于所述衬底(21)远离所述基板(1)的一侧，所述压电振膜(22)与所述衬底(21)之间形成真空间隙(23)，且所述压电振膜(22)靠近所述衬底(21)的一侧设置有第一电极(24)，所述压电振膜(22)远离所述衬底(21)的一侧设置有第二电极(25)，所述第一电极(24)和所述第二电极(25)相对，所述第一电极(24)和所述第二电极(25)均与所述基板(1)电连接。2.根据权利要求1所述的一种MEMS扬声器，其特征在于，所述MEMS模块(2)还包括支撑层(26)，所述支撑层(26)设置于所述压电振膜(22)与所述衬底(21)之间，所述支撑层(26)具有中空区域，所述支撑层(26)与所述压电振膜(22)、所述衬底(21)共同形成包括所述中空区域的所述真空间隙(23)。3.根据权利要求1所述的一种MEMS扬声器，其特征在于，所述真空间隙(23)的厚度范围为5微米至100微米。4.根据权利要求1所述的一种MEMS扬声器，其特征在于，所述压电振膜(22)包括至少一层压电材料。5.根据权利要求4所述的一种MEMS扬声器，其特征在于，所述压电材料为氮化铝材料、氮化镓材料和锆钛酸铅材料中的至少一种。6.根据权利要求1所述的一种MEMS扬声器，其特征在于，所述压电振膜(22)的厚度范围为0.2微米至2微米。7.根据权利要求1所述的一种MEMS扬声器，其特征在于，所述压电振膜(22)的长度范围为0.3毫米至3毫米。8.根据权利要求1所述的一种M...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹泉波，
申请(专利权)人：潍坊歌尔微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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