用于频率冲突降低的模式选择性耦合器制造技术

提供了促进用于频率冲突减少的模式选择性耦合器的系统和技术。在各种实施例中，器件可以包括控制量子位。在各种方面，该器件可以包括通过第一模式选择性耦合器耦合到该控制量子位上的第一目标量子位。在各种实施例中，该第一模式选择性耦合器可以促进在该控制量子位与该第一目标量子位之间的A模式耦合。在各种实施例中，该器件可以包括通过第二模式选择性耦合器耦合到该控制量子位上的第二目标量子位。在各种方面，该第二模式选择性耦合器可以促进在该控制量子位与该第二目标量子位之间的B模式耦合。之间的B模式耦合。之间的B模式耦合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于频率冲突降低的模式选择性耦合器

技术介绍

[0001]本披露总体上涉及超导量子位，并且更具体地涉及用于减少超导量子位之间的频率冲突的模式选择性耦合器。

技术实现思路

[0002]以下呈现概述以提供对本专利技术的一个或多个实施例的基本理解。本概述并不旨在标识关键或重要的元素，或描绘特定实施例的任何范围或权利要求的任何范围。其唯一的目的是以简化的形式呈现概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。在本文所描述的一个或多个实施例中，描述了促进用于频率冲突减少的模式选择性耦合器的器件、系统、计算机实现的方法、装置和/或计算机程序产品。
[0003]根据一个或多个实施例，提供了一种器件。在各种方面，该器件可以包括控制量子位。在各种实施例中，该器件可以进一步包括第一目标量子位。在各种情况下，该第一目标量子位可以通过第一模式选择性耦合器被耦合到该控制量子位上。在各种方面，该第一模式选择性耦合器可以促进在该控制量子位与该第一目标量子位之间的A模式耦合。在各种实施例中，该器件可以进一步包括第二目标量子位。在各种方面，该第二目标量子位可以通过第二模式选择性耦合器被耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种器件，包括：控制量子位；第一目标量子位，该第一目标量子位通过促进A模式耦合的第一模式选择性耦合器耦合到该控制量子位上；以及第二目标量子位，该第二目标量子位通过促进B模式耦合的第二模式选择性耦合器耦合到该控制量子位上。2.根据前一权利要求所述的器件，其中所述控制量子位、所述第一目标量子位和所述第二目标量子位是双结传输量子位。3.根据前一权利要求所述的器件，其中所述第一模式选择性耦合器包括电容器，所述电容器将所述控制量子位的中间电容器衬垫电容性地耦合至所述第一目标量子位的中间电容器衬垫。4.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中所述电容器具有小于所述控制量子位的分流电容值并且小于所述第一目标量子位的分流电容值的电容。5.根据前述权利要求中任一项所述的器件并且具有权利要求2的特征，其中所述第二模式选择性耦合器包括第一电容器和第二电容器，所述第一电容器将所述控制量子位的端部电容器衬垫电容耦合到所述第二目标量子位的端部电容器衬垫，所述第二电容器将所述控制量子位的所述端部电容器衬垫电容耦合到所述第二目标量子位的中间电容器衬垫。6.根据前一权利要求所述的器件，其中所述第一电容器具有小于所述控制量子位的分流电容值并且小于所述第二目标量子位的分流电容值的第一电容，并且其中所述第二电容器具有是所述第一电容的一半的第二电容。7.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中所述第一目标量子位和所述第二目标量子位是简并目标。8.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中当所述控制量子位由与所述简并目标的A模式激发频率相对应的第一微波音调驱动时，所述第一目标量子位与所述控制量子位纠缠，并且其中当所述控制量子位由与所述简并目标的B模式激发频率相对应的第二微波音调驱动时，所述第二目标量子位与所述控制量子位纠缠。9.一种方法，包括：提供控制量子位；通过促进A模式耦合的第一模式选择性耦合器将该控制量子位耦合到第一目标量子位上；并且通过促进B模式耦合的第二模式选择性耦合器将该控制量子位耦合到第二目标量子位上。10.根据前一权利要求所述的方法，其中所述控制量子位、所述第一目标量子位和所述第二目标量子位是双结传输量子位。11.根据前一权利要求所述的方法，其中所述第一模式选择性耦合器包括将所述控制量子位的中间电容器衬垫电容性地耦合到所述第一目标量子位的中间电容器衬垫上的电容器。12.根据前述权利要求所述的方法，其中所述电容器具有小于所述控制量子位的分流电容值并且小于所述第一目标量子位的分流电容值的电容。
13.根据以上权利要求中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：