用于频率冲突降低的模式选择性耦合器制造技术

提供了促进用于频率冲突减少的模式选择性耦合器的系统和技术。在各种实施例中，器件可以包括控制量子位。在各种方面，该器件可以包括通过第一模式选择性耦合器耦合到该控制量子位上的第一目标量子位。在各种实施例中，该第一模式选择性耦合器可以促进在该控制量子位与该第一目标量子位之间的A模式耦合。在各种实施例中，该器件可以包括通过第二模式选择性耦合器耦合到该控制量子位上的第二目标量子位。在各种方面，该第二模式选择性耦合器可以促进在该控制量子位与该第二目标量子位之间的B模式耦合。之间的B模式耦合。之间的B模式耦合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于频率冲突降低的模式选择性耦合器

技术介绍

[0001]本披露总体上涉及超导量子位，并且更具体地涉及用于减少超导量子位之间的频率冲突的模式选择性耦合器。

技术实现思路

[0002]以下呈现概述以提供对本专利技术的一个或多个实施例的基本理解。本概述并不旨在标识关键或重要的元素，或描绘特定实施例的任何范围或权利要求的任何范围。其唯一的目的是以简化的形式呈现概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。在本文所描述的一个或多个实施例中，描述了促进用于频率冲突减少的模式选择性耦合器的器件、系统、计算机实现的方法、装置和/或计算机程序产品。
[0003]根据一个或多个实施例，提供了一种器件。在各种方面，该器件可以包括控制量子位。在各种实施例中，该器件可以进一步包括第一目标量子位。在各种情况下，该第一目标量子位可以通过第一模式选择性耦合器被耦合到该控制量子位上。在各种方面，该第一模式选择性耦合器可以促进在该控制量子位与该第一目标量子位之间的A模式耦合。在各种实施例中，该器件可以进一步包括第二目标量子位。在各种方面，该第二目标量子位可以通过第二模式选择性耦合器被耦合到该控制量子位上。在各种情况下，该第二模式选择性耦合器可以促进在该控制量子位与该第二目标量子位之间的B模式耦合。在各种实施例中，该第一模式选择性耦合器可以包括电容器。在各种实施例中，该电容器可以将该控制量子位的中间电容器衬垫电容性地耦合到该第一目标量子位的中间电容器衬垫上。在各种实施例中，该第二模式选择性耦合器可以包括第一电容器和第二电容器。在各种方面，该第一电容器可以将该控制量子位的端部电容器衬垫电容性地耦合到该第二目标量子位的端部电容器衬垫上。在各种实施例中，该第二电容器可以将该控制量子位的端部电容器衬垫电容性地耦合到该第二目标量子位的中间电容器衬垫上。
[0004]根据一个或多个实施例，提供了一种方法。在各种方面，该方法可以包括提供控制量子位。在各种实施例中，该方法可以进一步包括通过第一模式选择性耦合器将该控制量子位耦合到第一目标量子位上。在各种实施例中，该第一模式选择性耦合器可以促进在该控制量子位与该第一目标量子位之间的A模式耦合。在各种方面，该方法可以进一步包括通过第二模式选择性耦合器将该控制量子位耦合到第二目标量子位上。在各种实施例中，该第二模式选择性耦合器可以促进在该控制量子位与该第二目标量子位之间的B模式耦合。在各种实施例中，该第一模式选择性耦合器可以包括电容器。在各种实施例中，该电容器可以将该控制量子位的中间电容器衬垫电容性地耦合到该第一目标量子位的中间电容器衬垫上。在各种实施例中，该第二模式选择性耦合器可以包括第一电容器和第二电容器。在各种情况下，该第一电容器可以将该控制量子位的端部电容器衬垫电容性地耦合到该第二目标量子位的端部电容器衬垫上。在各种方面，该第二电容器可以将该控制量子位的端部电容器衬垫电容性地耦合到该第二目标量子位的中间电容器衬垫上。
[0005]根据一个或多个实施例，提供了一种装置。在各种方面，该装置可以包括第一模式
选择性耦合器，该第一模式选择性耦合器促进控制量子位与第一目标量子位之间的A模式耦合。在各种方面，该装置可以进一步包括第二模式选择性耦合器，该第二模式选择性耦合器促进在该控制量子位与第二目标量子位之间的B模式耦合。在各种实施例中，该第一模式选择性耦合器可以包括电容器。在各种方面，该电容器可以将该控制量子位的中间电容器衬垫电容性地耦合到该第一目标量子位的中间电容器衬垫上。在各种实施例中，该第二模式选择性耦合器可以包括第一电容器和第二电容器。在各种方面，该第一电容器可以将该控制量子位的端部电容器衬垫电容性地耦合到该第二目标量子位的端部电容器衬垫上。在各种情况下，该第二电容器可以将该控制量子位的端部电容器衬垫电容性地耦合到该第二目标量子位的中间电容器衬垫上。
附图说明
[0006]图1示出了根据本文描述的一个或多个实施例的促进A模式耦合的示例性非限制性系统的电路图。
[0007]图2示出了根据本文描述的一个或多个实施例的促进A模式耦合的示例非限制性系统的框图。
[0008]图3示出根据本文描述的一个或多个实施例的促进B模式耦合的示例非限制性系统的电路图。
[0009]图4示出了根据本文描述的一个或多个实施例的促进B模式耦合的示例非限制性系统的框图。
[0010]图5示出了根据本文描述的一个或多个实施例的促进用于频率冲突减少的模式选择性耦合器的示例性非限制性系统的框图。
[0011]图6示出了根据本文描述的一个或多个实施例的促进用于频率冲突减少的模式选择性耦合器的示例性非限制性方法的流程图。
[0012]图7至图8示出了根据本文描述的一个或多个实施例的促进用于频率冲突减少的模式选择性耦合器的系统的示例非限制性仿真结果的曲线图。
[0013]图9示出了根据本文描述的一个或多个实施例的促进用于频率冲突减少的模式选择性耦合器的示例性非限制性量子计算晶格的框图。
[0014]图10示出了根据本文描述的一个或多个实施例的促进用于频率冲突减少的模式选择性耦合器的示例性非限制性方法的流程图。
[0015]图11示出了可以促进本文描述的一个或多个实施例的示例非限制性操作环境的框图。
具体实施方式
[0016]以下详细说明仅是说明性的并且不旨在限制实施例和/或实施例的应用或使用。此外，不打算被在先前背景或概述部分或具体实施例部分中呈现的任何明确或隐含的信息约束。
[0017]现在参考附图描述一个或多个实施例，其中相同的附图标记在全文中用于指代相同的元件。在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对一个或多个实施例的更透彻理解。然而，明显的是，在各种情况下，可以在没有这些具体细节的情况下实
践一个或多个实施例。
[0018]超导量子位是寻求建立大规模量子计算系统的一种有前途的技术。在各种情况下，超导量子位可以包括被一个或多个电容器分流的一个或多个约瑟夫逊结(例如，可以表现出量子力学行为的宏观结构)。在各种实施例中，量子计算系统可以基于超导量子位的二维晶格(例如，量子计算晶格)来形成，在该二维晶格中一对相邻的超导量子位可以通过总线谐振器(例如，微波谐振器)来进行耦合。在各种情况下，耦合的一对相邻的超导量子位可以通过称为交叉谐振门的双量子位门而纠缠。在各种方面，一个交叉谐振门可以通过用微波脉冲和/或音调来驱动一个超导量子位(称为控制量子位)来实施，该微波脉冲和/或音调是处于一个邻近和/或相邻的超导量子位(称为目标量子位)的转换频率(例如，操作频率和/或量子位频率)上。在各种实施例中，该控制量子位可以响应于被该微波脉冲和/或音调驱动而向该目标量子位发射脉冲和/或音调。在各种方面，从该控制量子位传输到该目标量子位的脉冲和/或音调的振幅可以取决于该控制量子位的状态，因此使这两个超导量子位纠缠。换言之，该目标量子位可以经历量子位旋转，其速率取决于该控制量子位的状态。
[0019]为了选择性地纠缠超导量子位，控制量子位(例如，这些目标量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种器件，包括：控制量子位；第一目标量子位，该第一目标量子位通过促进A模式耦合的第一模式选择性耦合器耦合到该控制量子位上；以及第二目标量子位，该第二目标量子位通过促进B模式耦合的第二模式选择性耦合器耦合到该控制量子位上。2.根据前一权利要求所述的器件，其中所述控制量子位、所述第一目标量子位和所述第二目标量子位是双结传输量子位。3.根据前一权利要求所述的器件，其中所述第一模式选择性耦合器包括电容器，所述电容器将所述控制量子位的中间电容器衬垫电容性地耦合至所述第一目标量子位的中间电容器衬垫。4.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中所述电容器具有小于所述控制量子位的分流电容值并且小于所述第一目标量子位的分流电容值的电容。5.根据前述权利要求中任一项所述的器件并且具有权利要求2的特征，其中所述第二模式选择性耦合器包括第一电容器和第二电容器，所述第一电容器将所述控制量子位的端部电容器衬垫电容耦合到所述第二目标量子位的端部电容器衬垫，所述第二电容器将所述控制量子位的所述端部电容器衬垫电容耦合到所述第二目标量子位的中间电容器衬垫。6.根据前一权利要求所述的器件，其中所述第一电容器具有小于所述控制量子位的分流电容值并且小于所述第二目标量子位的分流电容值的第一电容，并且其中所述第二电容器具有是所述第一电容的一半的第二电容。7.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中所述第一目标量子位和所述第二目标量子位是简并目标。8.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中当所述控制量子位由与所述简并目标的A模式激发频率相对应的第一微波音调驱动时，所述第一目标量子位与所述控制量子位纠缠，并且其中当所述控制量子位由与所述简并目标的B模式激发频率相对应的第二微波音调驱动时，所述第二目标量子位与所述控制量子位纠缠。9.一种方法，包括：提供控制量子位；通过促进A模式耦合的第一模式选择性耦合器将该控制量子位耦合到第一目标量子位上；并且通过促进B模式耦合的第二模式选择性耦合器将该控制量子位耦合到第二目标量子位上。10.根据前一权利要求所述的方法，其中所述控制量子位、所述第一目标量子位和所述第二目标量子位是双结传输量子位。11.根据前一权利要求所述的方法，其中所述第一模式选择性耦合器包括将所述控制量子位的中间电容器衬垫电容性地耦合到所述第一目标量子位的中间电容器衬垫上的电容器。12.根据前述权利要求所述的方法，其中所述电容器具有小于所述控制量子位的分流电容值并且小于所述第一目标量子位的分流电容值的电容。
13.根据以上权利要求中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：