一种版图结构和量子芯片制造技术

技术编号:36738269 阅读:26 留言:0更新日期:2023-03-04 10:11
本申请公开了一种版图结构和量子芯片,属于量子芯片制造领域。版图定义有对置并且间隔开的第一电路层和第二电路层。版图结构中的读取总线、微波控制线和通量偏置线共面配置于第一电路层;量子比特配置于第二电路层,同时读取谐振器任选地配置到第一电路层或第二电路层。在该版图结构中,将各个线路和元件配置到选择的一个电路层中,使其不需要通过中间信号元件在两个电路层上下穿插走线,从而避免了配置该中间信号元件所带来的一系列的如制作难度大、工艺不稳定等问题。工艺不稳定等问题。工艺不稳定等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种版图结构和量子芯片


[0001]本申请属于量子芯片制备领域,具体涉及一种版图结构和量子芯片。

技术介绍

[0002]倒装焊技术是减小超导量子芯片体积、提高量子比特集成度的重要方法。通常地,应用倒装焊技术的超导量子芯片的互连结构是采用铟材料制作而成的铟柱,并且被用以在超导量子芯片中执行各种线路和器件的信号传递任务。铟柱的配置允许线路的各种方式的走线,从而可以更从容地配置各种器件。
[0003]然而,在应用铟柱的倒装焊超导量子芯片中,往往存在着铟柱制作难度大、质量不高,且进而导致信号传输不稳定等问题。因此,有必要对此进行改进。

技术实现思路

[0004]有鉴于此,本申请公开了一种版图结构,其能够被用于方便地制作量子芯片。并且该方案能够克服利用铟柱的倒装焊超导量子芯片中所存在的铟柱制作不便、信号传输不稳定等问题。
[0005]本申请示例的方案,通过如下内容实施。
[0006]在第一方面,本申请的示例提出了一种可以被用于制作量子芯片的版图结构。该版图定义有对置的并且间隔开的第一电路层和第二电路层。
[00本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种版图结构,用于制作量子芯片,其特征在于,所述版图结构定义有对置并且间隔开的第一电路层和第二电路层;所述版图结构包括量子比特、微波控制线、通量偏置线、读取总线以及读取谐振器;其中,所述读取总线、所述微波控制线和所述通量偏置线共面配置于所述第一电路层,所述量子比特配置于第二电路层,所述读取谐振器任选地配置到第一电路层或第二电路层;其中,所述读取谐振器分别与所述读取总线和所述量子比特耦合,所述微波控制线和所述通量偏置线分别与所述量子比特耦合。2.根据权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述读取总线和所述读取谐振器分别采用所述共面波导传输线构成,所述读取谐振器具有一个末段,所述谐振器通过所述一个末段与所述读取总线耦合,且所述一个末段和所述读取总线沿着共同的预设方向延伸。3.根据权利要求2所述的版图结构,其特征在于,所述一个末段的端部是开路的,且所述读取谐振器为半波长谐振器;或者,所述一个末段的端部是短路的,且所述读取谐振器为四分之一波长谐振器。4.根据权利要求2或3所述的版图结构,其特征在于,所述读取谐振器沿着所述预设方向延伸给定长度。5.根据权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述读取谐振器的两端分别与所述读取总线和所述量子比特电容耦合;和/或,所述微波控制线与所述量子比特电容耦合;和/或,所述量子比特包括隧道结形式的约瑟夫森结;和/或,所述通量偏置线为共面波导;和/或,所述读取总线和所述读取谐振器分别采用共面波导传输线构成。6.根据权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述通量偏置线为共面波导,所述通量偏置线具有环状的末端;沿着所述第一电路层和第二电路层对置的方向,构成所述量子比特的约瑟夫森结与所述环状的末端限定的区域相对。7.一种量子芯片,其特征在于,基于权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员:张辉李松李业王小川
申请(专利权)人:合肥本源量子计算科技有限责任公司
类型:新型
国别省市:

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