谐振器组、滤波器、电子设备及谐振器制作方法技术

本发明专利技术提供一种谐振器组、滤波器、电子设备及谐振器制作方法。谐振器制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成由层叠设置的声学镜、底电极、压电层、顶电极和导电层构成的层叠结构，其中，导电层覆盖顶电极的部分区域；在层叠结构上通过一次图形化形成引线开口结构，引线开口结构包括至少延伸至导电层的第一开口和延伸至底电极的第二开口；形成容设在第一开口内的顶电极引线和容设在底电极开口内的底电极引线。本发明专利技术能够降低谐振器的制作成本。本发明专利技术能够降低谐振器的制作成本。本发明专利技术能够降低谐振器的制作成本。

【技术实现步骤摘要】
谐振器组、滤波器、电子设备及谐振器制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种谐振器组、滤波器、电子设备及谐振器制作方法。

技术介绍

[0002]随着现代无线通信技术向着高频、高速的方向发展，以谐振器、例如薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR)为基础的滤波器、双工器等滤波器件越来越为市场所青睐。
[0003]现有的谐振器包括衬底，以及依次层叠在该衬底上的声学镜、下电极、压电层、上电极等膜层。对于上电极、下电极等与外部元器件的连接，可以通过刻蚀上电极表面介质层形成上电极引线槽，通过刻蚀下电极表面的压电层形成下电极引线槽，再形成可容置在上电极引线槽或下电极引线槽中的引线结构，以实现不同谐振器中的上电极与下电极的连接，即实现一个谐振器中的上电极与另一个谐振器中的下电极的连接。通常情况下，压电层的厚度大于上电极表面介质层的厚度，为了避免上电极引线槽位置处的上电极过刻，对上电极表面介质层的刻蚀与对下电极表面的压电层的刻蚀一般不会在同一个刻蚀工序中完成。
>[0004]然而，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种谐振器制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成由层叠设置的声学镜、底电极、压电层、顶电极和导电层构成的层叠结构，其中，所述导电层覆盖所述顶电极的部分区域；在所述层叠结构上通过一次图形化形成引线开口结构，所述引线开口结构包括至少延伸至所述导电层的第一开口和延伸至所述底电极的第二开口；形成容设在所述第一开口内的顶电极引线和容设在所述底电极开口内的底电极引线。2.根据权利要求1所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述在所述层叠结构上通过图形化形成引线开口结构，具体包括：通过同一次刻蚀工序分别图案化所述第一开口和所述第二开口。3.根据权利要求2所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述通过同一次刻蚀工序分别图案化所述第一开口和所述第二开口，具体包括：在所述底电极的边缘区域图形化所述第二开口，以使所述第二开口贯穿所述压电层并延伸至所述底电极，其中，所述底电极的边缘区域为所述底电极的未被所述顶电极覆盖的部位；在所述导电层上图形化所述第一开口。4.根据权利要求3所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述第二开口延伸至所述底电极的朝向所述顶电极的一侧表面；或者所述第二开口延伸至所述底电极在所述谐振器纵向的内部区域。5.根据权利要求3所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述第一开口延伸至所述导电层或所述顶电极。6.根据权利要求5所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述第一开口延伸至所述导电层的表面；或者所述第一开口延伸至所述导电层在所述谐振器纵向的内部区域；或者所述第一开口延伸至所述顶电极的表面；或者所述第一开口延伸至所述顶电极在所述谐振器纵向的内部区域。7.根据权利要求3所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述在所述引线开口结构上设置引线层，并对所述引线层进行图形化，具体包括：在所述层叠结构上设置引线层；对所述引线层进行图形化，以在对应于所述引线开口结构的位置形成引线，所述引线的容设于所述第一开口内的部分形成所述顶电极引线，所述引线的容设于所述第二开口内的部分形成所述底电极引线。8.根据权利要求1所述的谐振器制作方法，其特征在于，所述在所述层叠结构上通过图形化形成引线开口结构，具体包括：通过同一次刻蚀工序图案化相互连通的所述第一开口和所述第二开口。9.一种谐振器组，其特征在于，包括至少两个谐振器单元和用于连接相邻所述谐振器单元的引线；每个所述谐振器单元包括层叠设置的声学镜、底电极、压电层、顶电极和导电层，所述声学镜、所述底电极、所述压电层和所述顶电极的重叠部分共同形成所述谐振器单元的有效区域；所述导电层覆盖所述顶电极的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝龙，庞慰，马晓丹，徐洋，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：