一种滤波器以及滤波器的制备方法技术

本申请提供了一种滤波器以及滤波器的制备方法。该滤波器包括：衬底、位于衬底上的至少一个谐振器和至少一个连接点；谐振器包括下电极、压电层和上电极的叠层，至少一个谐振器还包括调整结构，调整结构位于谐振器的下电极远离衬底的一侧；连接点包括第一导电层与导电结构，导电结构包括第二导电层和第三导电层中的至少一个，压电层包括第一通槽，第一通槽用于露出第一导电层；第一导电层和下电极位于同层，第二导电层和上电极位于同层，第三导电层和调整结构位于同层。本申请提供的技术方案降低了压电层的刻蚀难度，增大了连接点的串联电阻，避免了谐振器的导电膜层图形化过程中去除覆盖连接点的部分从而造成材料的浪费。覆盖连接点的部分从而造成材料的浪费。覆盖连接点的部分从而造成材料的浪费。

【技术实现步骤摘要】
一种滤波器以及滤波器的制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种滤波器以及滤波器的制备方法。

技术介绍

[0002]由薄膜体声波谐振器构成的滤波器具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高等优点，在通信领域的应用范围越来越广泛。
[0003]对谐振器中谐振点的品质因数(记作谐振点Qs值)产生影响的因素包括压电层的弹性损失、电极的弹性损失以及电极的串联电阻等，对谐振器中反谐振点的品质因数(记作反谐振点Qp值)产生影响的因素有压电层的弹性损失、电极的弹性损失、基板的电导、压电层的介电损耗等因素，其中，下电极的串联电阻对品质因数的影响较大。
[0004]参见图1，图1是现有技术中一种滤波器的结构示意图，该滤波器包括衬底1以及位于衬底1表面的谐振器2和连接点3，谐振器2包括下电极20、压电层21和上电极22的叠层，连接点3包括第一导电层30，第一导电层30和下电极20位于同层，第一导电层30和下电极20位于同层的含义是：第一导电层30和下电极20是通过对同一导电膜层进行图形化工艺制备而来的。压电层21设置有露出连接点3的第一通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的至少一个谐振器和至少一个连接点；所述谐振器包括下电极、压电层和上电极的叠层，至少一个所述谐振器还包括调整结构，所述调整结构位于所述谐振器的下电极远离所述衬底的一侧；所述连接点包括第一导电层与导电结构，所述导电结构包括第二导电层和第三导电层中的至少一个，所述压电层包括第一通槽，所述第一通槽用于露出所述第一导电层，所述导电结构设置于所述第一通槽内；所述第一导电层和所述下电极位于同层，且所述第一导电层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一通槽在所述衬底上的正投影，所述第二导电层和所述上电极位于同层，所述第三导电层和所述调整结构位于同层，所述连接点和所述上电极或者所述下电极连接，所述连接点用于引出所述谐振器的电信号。2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述调整结构包括微结构和质量负载层中的至少一个；所述第三导电层包括第一导电子层和第二导电子层中的至少一个，所述第一导电子层和所述微结构位于同层，所述第二导电子层和所述质量负载层位于同层。3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述谐振器包括有效谐振区域，所述至少一个谐振器包括第一谐振器，所述第一谐振器的上电极包括电连接侧和非电连接侧，所述电连接侧与所述连接点连接，所述非电连接侧与所述连接点绝缘设置；所述非电连接侧在所述衬底的正投影位于所述有效谐振区域内。4.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一通槽的侧面与底面的夹角大于90
°
。5.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述至少一个连接点包括第一连接点、第二连接点和第三连接点；所述至少一个谐振器包括第二谐振器、第三谐振器和第四谐振器；所述第一连接点与所述第二谐振器的下电极连接；所述第二连接点与所述第二谐振器的上电极连接，且所述第二连接点与所述第三谐振器的下电极连接；所述第三连接点与所述第四谐振器的上电极连接。6.根据权利要求5所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器还包括导电键合层和盖板；所述导电键合层覆盖所述第一连接点和所述第三连接点；或者，所述导电键合层覆盖所述第一连接点、所述第二连接点和所述第三连接点；所述盖板位于所述导电键合层远离所述衬底的一侧，所述盖板远离所述衬底的一侧设置有导电连接结构，所述导电连接结构通过位于所述盖板的导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王矿伟，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：