体声波谐振器及其制作方法技术

本公开实施例公开了一种体声波谐振器及其制作方法，所述体声波谐振器包括：衬底；依次层叠于衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层；框架结构，位于所述第二电极层上，且靠近有源区的边缘，包括：第一子框架结构和第二子框架结构；其中，所述第一子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第一凸出部分，所述第二子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第二凸出部分，所述第二凸出部分和所述第一凸出部分不同。二凸出部分和所述第一凸出部分不同。二凸出部分和所述第一凸出部分不同。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器及其制作方法


[0001]本公开实施例涉及谐振器领域，尤其涉及一种体声波谐振器及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着移动通讯技术的发展，射频器件更趋于小化。体声波谐振器由于具有体积小、品质因数(Q factor，Q值)高等优点，广泛应用于移动通讯技术中，例如，移动终端中的滤波器或双工器等。
[0003]而在移动终端中，存在多个频段同时使用的情况，这要求滤波器或双工器具有更加陡峭的裙边和更小的插入损耗。滤波器或双工器的性能受体声波谐振器的影响，提高体声波谐振器的Q值可以实现更加陡峭的裙边和更小的插入损耗。因此，如何提高体声波谐振器的Q值成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供一种体声波谐振器，包括：
[0005]衬底；
[0006]依次层叠于衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层；
[0007]框架结构，位于所述第二电极层上，且靠近有源区的边缘，包括：第一子框架结构和第二子框架结构；其中，所述第一子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第一凸出部分，所述第二子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第二凸出部分，所述第二凸出部分和所述第一凸出部分不同。
[0008]在一些实施例中，所述第一子框架结构的形状包括弧线部分，所述第二子框架结构的形状包括至少两个直线部分；所述弧线部分和所述至少两个直线部分连接形成所述框架结构的形状。
[0009]在一些实施例中，所述框架结构的形状关于轴对称，所述第一子框架结构位于所述对称轴的一边，所述第二子框架结构位于所述对称轴的另一边。
[0010]在一些实施例中，所述第一凸出部分的形状包括n边形或弧形，n为大于或等于3的正整数；所述第二凸出部分的形状包括m边形或弧形，m为大于或等于3的正整数。
[0011]在一些实施例中，所述第一子框架结构的内侧轮廓包括所述第一凸出部分；其中，所述第一子框架结构的内侧轮廓的第一凸出部分的凸出方向由所述有源区的边缘指向所述有源区的中部；
[0012]所述第一子框架结构的外侧轮廓包括所述第一凸出部分；其中，所述第一子框架结构的外侧轮廓的第一凸出部分的凸出方向由所述有源区的中部指向所述有源区的边缘。
[0013]在一些实施例中，所述第二子框架结构的内侧轮廓包括所述第二凸出部分；其中，所述第二子框架结构的内侧轮廓的第二凸出部分的凸出方向由所述有源区的边缘指向所述有源区的中部；
[0014]所述第二子框架结构的外侧轮廓包括所述第二凸出部分；其中，所述第二子框架
结构的外侧轮廓的第二凸出部分的凸出方向由所述有源区的中部指向所述有源区的边缘。
[0015]在一些实施例中，所述第一凸出部分的凸出方向与所述第二凸出部分的凸出方向相同或相反。
[0016]在一些实施例中，所述第一凸出部分周期排布，周期数大于等于3；
[0017]所述第二凸出部分周期排布，周期数大于等于3。
[0018]在一些实施例中，相邻的两个所述第一凸出部分之间间隔设置；
[0019]相邻的两个所述第二凸出部分之间间隔设置。
[0020]在一些实施例中，相邻的两个所述第一凸出部分之间的间距大于1微米；
[0021]相邻的两个所述第二凸出部分之间的间距大于1微米。
[0022]在一些实施例中，所述框架结构的内侧轮廓包括所述第一凸出部分，所述第一凸出部分的形状包括n边形，n为大于或等于3的正整数；
[0023]所述框架结构的外侧轮廓包括所述第二凸出部分，所述第二凸出部分的形状包括m边形，m为大于或等于3的正整数，m和n不同。
[0024]在一些实施例中，所述第一子框架结构的内侧轮廓和所述第一子框架结构的外侧轮廓的形状相同，所述第二子框架结构的外侧轮廓的形状的至少一部分不同于所述第二子框架结构的内侧轮廓的形状。
[0025]在一些实施例中，所述第二子框架结构的内侧轮廓和所述第二子框架结构的外侧轮廓的形状相同，所述第一子框架结构的外侧轮廓的形状的至少一部分不同于所述第一子框架结构的内侧轮廓的形状。
[0026]在一些实施例中，所述第二子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓包括所述第二凸出部分；
[0027]所述第一子框架结构的内侧轮廓包括所述第一凸出部分，所述第一子框架结构的外侧轮廓包括所述第二凸出部分，所述第二凸出部分的边数大于所述第一凸出部分的边数。
[0028]在一些实施例中，所述第一子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓的形状相同；
[0029]所述第二子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓的形状相同，且不同于所述第一子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓的形状。
[0030]根据本公开实施例的第二方面，提供一种体声波谐振器的制作方法，包括：
[0031]提供衬底；
[0032]在所述衬底上形成依次层叠的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层；
[0033]在所述第二电极层上形成框架结构；其中，所述框架结构靠近有源区的边缘；所述框架结构包括第一子框架结构和第二子框架结构；所述第一子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第一凸出部分，所述第二子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第二凸出部分，所述第二凸出部分和所述第一凸出部分不同。
[0034]本公开实施例中，通过在靠近有源区的边缘设置框架结构，框架结构包括第一子框架结构和第二子框架结构，并且第一子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第一凸出部分，第二子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括不同于第一凸出部分的第二凸出部分，可形成不规则的框架结构，不规则的框架结构不仅可以抑制横向剪切波，阻止横向剪切波从有源区传播到外部区域，使得能量集中在有源区内，减少能量的
泄露，而且相较于在体声波谐振器中增加常规的框架结构会导致额外的带外寄生谐振(即寄生噪声)，本公开实施例通过在体声波谐振器中设置不规则的框架结构可有效减小寄生噪声和不必要的高阶模态，使得设置有不规则的框架结构的体声波谐振器的史密斯圆图略大于设置有常规的框架结构的体声波谐振器的史密斯圆图，有利于提高体声波谐振器的Q值。
附图说明
[0035]图1a是根据一示例性实施例示出的一种体声波谐振器的局部示意图；
[0036]图1b是根据一示例性实施例示出的一种体声波谐振器的散射参数图；
[0037]图2是根据本公开实施例示出的一种体声波谐振器的剖视图；
[0038]图3a是根据本公开实施例示出的一种框架结构的俯视图；
[0039]图3b是根据本公开实施例示出的另一种框架结构的俯视图；
[0040]图3c是根据本公开实施例示出的又一种框架结构的俯视图；
[0041]图4是根据本公开实施例示出的第一凸出部分和第二凸出部分的的形状示意图；
[0042]图5是根据本公开实施例示出的体声波谐振器的散射参数图；
[0043]图6是根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底；依次层叠于衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层；框架结构，位于所述第二电极层上，且靠近有源区的边缘，包括：第一子框架结构和第二子框架结构；其中，所述第一子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第一凸出部分，所述第二子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第二凸出部分，所述第二凸出部分和所述第一凸出部分不同。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一子框架结构的形状包括弧线部分，所述第二子框架结构的形状包括至少两个直线部分；所述弧线部分和所述至少两个直线部分连接形成所述框架结构的形状。3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述框架结构的形状关于轴对称，所述第一子框架结构位于所述对称轴的一边，所述第二子框架结构位于所述对称轴的另一边。4.根据权利要求1至3任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一凸出部分的形状包括n边形或弧形，n为大于或等于3的正整数；所述第二凸出部分的形状包括m边形或弧形，m为大于或等于3的正整数。5.根据权利要求1至3任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一子框架结构的内侧轮廓包括所述第一凸出部分；其中，所述第一子框架结构的内侧轮廓的第一凸出部分的凸出方向由所述有源区的边缘指向所述有源区的中部；所述第一子框架结构的外侧轮廓包括所述第一凸出部分；其中，所述第一子框架结构的外侧轮廓的第一凸出部分的凸出方向由所述有源区的中部指向所述有源区的边缘。6.根据权利要求1至3任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第二子框架结构的内侧轮廓包括所述第二凸出部分；其中，所述第二子框架结构的内侧轮廓的第二凸出部分的凸出方向由所述有源区的边缘指向所述有源区的中部；所述第二子框架结构的外侧轮廓包括所述第二凸出部分；其中，所述第二子框架结构的外侧轮廓的第二凸出部分的凸出方向由所述有源区的中部指向所述有源区的边缘。7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一凸出部分的凸出方向与所述第二凸出部分的凸出方向相同或相反。8.根据权利要求1至3任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一凸出部分周期排布，周期数大于等于3；所述第二凸出部分周期排布，周期数大于等于3。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张大鹏，林瑞钦，
申请(专利权)人：武汉光钜微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：