【技术实现步骤摘要】
测试模型的建立方法、测试方法和检测设备
[0001]本申请涉及半导体测试领域，特别涉及一种测试模型的建立方法、测试方法和检测设备。
技术介绍
[0002]随着先进3D封装工艺(如，Stack工艺、TSV工艺等)的发展，在同一基板上堆叠的芯片数越来越多，存储芯片的容量也越做越大，速度也越来越快。
[0003]另外，随着半导体工艺尺寸的不断缩小，器件和制造过程中产生的缺陷导致芯片失效发生的概率也随之增加；与此同时，由于基板上堆叠的芯片数增加，对半导体器件中缺陷的定位难度也越来越大。
[0004]因此，当下亟待一种简单可行且成本低廉的缺陷定位方法，用于对半导体器件中缺陷进行定位。
技术实现思路
[0005]本申请实施例提供一种测试模型的建立方法、测试方法和检测设备，针对3D堆叠的半导体芯片提供一种简单易行、高效便捷的缺陷分析方法。
[0006]本申请实施例提供了一种测试模型的建立方法，包括：提供半导体结构，半导体结构中堆叠有N个芯片结构，芯片结构包括：半导体层以及堆叠在半导体层上的M层金属层...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种测试模型的建立方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构中堆叠有N个芯片结构，所述芯片结构包括：半导体层以及堆叠在所述半导体层上的M层金属层，所述N和所述M均为大于等于2的自然数；从所述M层金属层中选择一层金属层或选择所述半导体层作为所述芯片结构的预设测试层，每个所述芯片结构的所述预设测试层的选择方式相同，基于所述预设测试层获取每个所述芯片结构的间隔时间；获取所述芯片结构的所述间隔时间包括：向所述预设测试层施加激励信号，所述预设测试层基于所述激励信号产生指示信号，在所述半导体结构顶部检测所述指示信号，获取施加所述激励信号至检测到所述指示信号的所述间隔时间；以所述激励信号的频率为第一坐标、所述间隔时间为第二坐标，建立所述芯片结构的第一子测试图像，并将每层所述芯片结构的所述第一子测试图像集成在测试图像中。2.根据权利要求1所述的测试模型的建立方法，其特征在于，所述获取所述芯片结构的所述间隔时间，还包括：变更所述激励信号的频率，获取L种频率的调整信号，所述L为大于等于2的自然数；基于每种频率的所述调整信号，获取不同频率下，每层所述芯片结构的所述间隔时间。3.根据权利要求1所述的测试模型的建立方法，其特征在于，所述预设测试层为所述半导体层。4.根据权利要求1所述的测试模型的建立方法，其特征在于，所述预设测试层为M层所述金属层中位于顶部的所述金属层。5.根据权利要求1所述的测试模型的建立方法，其特征在于，包括：获取第一测试图像和第二测试图像；所述第一测试图像基于所述预设测试层为所述半导体层获取；所述第二测试图像基于所述预设测试层为M层所述金属层中位于顶部的所述金属层获取；基于所述第一测试图像、所述第二测试图像和对应于所述第一测试图像和所述第二测试图像的权重，获取所述测试图像。6.根据权利要求3～5任一项所述的测试模型的建立方法，其特征在于，包括：获取第一参考时间和第二参考时间的时间差值；所述第一参考时间为所述预设测试层为所述半导体层时的所述间隔时间；所述第二参考时间为所述预设测试层为M层所述金属层中位于顶部的所述金属层时的所述间隔时间；获取第一层数，所述第一层数为所述预设测试层与所述半导体层之间所述金属层的层数；获取第二层数，所述第二层数为所述预设测试层与和M层所述金属层中位于顶部的所述金属层之间所述金属层的层数；基于所述时间差值和所述第一层数与所述第一层数与所述第二层数和的比值，获取所述测试图像的上浮范围；基于所述时间差值和所述第二层数与所述第一层数与所述第二层数和的比值，获取所
述测试图像的下浮范围。7.根据权利要求1所述的测试模型的建立方法，其特征在于，所述指示信号包括：所述预设测试层基于所述激励信号产生的热信号或所述预设测试层基于所述激励信号产生的光信号。8.一种测试方法，用于获取待测半导体结构的异常位置，其特征在于，包括：基于权利要求1～7任一项所述测试模型的建立方法获取标准半导体结构的测试图像；获取提供的...
【专利技术属性】
技术研发人员：许凯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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