布局版图的修复方法、装置、计算机设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种布局版图的修复方法、装置、计算机设备及存储介质，所述方法包括：获取半导体集成电路的初始布局版图，所述初始布局版图上形成有金属连线；在所述初始布局版图上形成电源填充网格，第二部分所述电源填充网格包括与所述金属连线在所述电源填充网格上正投影重叠的槽孔，所述槽孔包括与所述金属连线重叠的第一部分和至少一个与所述金属连线错开的第二部分；若所述第二部分的面积小于阈值下限，则增大所述第二部分的面积，以形成修复后的布局版图。本申请有效地减小了金属连线的电阻值，降低制成半导体器件的功耗，提高制成半导体器件的整体性能及可靠性。半导体器件的整体性能及可靠性。半导体器件的整体性能及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
布局版图的修复方法、装置、计算机设备及存储介质


[0001]本申请涉及半导体制造
，特别是涉及一种布局版图的修复方法、装置、计算机设备及存储介质。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的快速发展，对半导体产品的集成度的要求越来越高。而随着半导体产品的集成化，要求单个半导体器件的尺寸越来越小，半导体器件中单条导电线的宽度越来越小，导致导电线的电阻值越来越大；同时芯片的供电的电压不断减小，致使芯片的压降效应越来越明显。
[0003]然而，严重的压降效应会减慢半导体开关管的开关速度，增加半导体器件的功耗，影响半导体器件的整体性能及可靠性。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种能够有效降低制成半导体器件的压降效应的布局版图的修复方法、装置、计算机设备及存储介质，以降低制成半导体器件的功耗，提高制成半导体器件的整体性能及可靠性。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第一方面提供了一种布局版图的修复方法，包括：
[0006]获取半导体集成电路的初始布局版图，所述初始布局版图上形成有金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种布局版图的修复方法，其特征在于，包括：获取半导体集成电路的初始布局版图，所述初始布局版图上形成有金属连线；在所述初始布局版图上形成电源填充网格，所述电源填充网格包括与所述金属连线在所述电源填充网格上正投影重叠的槽孔，所述槽孔包括与所述金属连线重叠的第一部分和至少一个与所述金属连线错开的第二部分；若所述第二部分的面积小于阈值下限，则增大所述第二部分的面积，以形成修复后的布局版图。2.根据权利要求1所述的布局版图的修复方法，其特征在于，所述若所述第二部分的面积小于阈值下限，则增大所述第二部分的面积，包括：实时获取各所述第二部分的面积；基于各所述第二部分的面积，得到面积小于所述阈值下限的所述第二部分；在所述初始布局版图上修剪面积小于所述阈值下限的所述第二部分，直到各所述第二部分的面积均大于所述阈值下限。3.根据权利要求2所述的布局版图的修复方法，其特征在于，所述在所述初始布局版图上修剪面积小于所述阈值下限的所述第二部分的步骤包括：对面积小于所述阈值下限的所述第二部分迭代修剪，每次修剪后所述第二部分的面积均增大预设面积。4.根据权利要求2或3所述的布局版图的修复方法，其特征在于，所述在所述初始布局版图上修剪面积小于所述阈值下限的所述第二部分之前，还包括：基于形成所述电源填充网格后的所述初始布局版图确定需要修剪的所述第二部分的修剪方向；基于所述修剪方向在所述初始布局版图上修剪面积小于所述阈值下限的所述第二部分。5.根据权利要求4所述的布局版图的修复方法，其特征在于，所述修剪方向包括远离邻近所述第二部分的所述金属连线的方向和/或与所述金属连线延伸方向平行的方向。6.根据权利要求4所述的布局版图的修复方法，其特征在于，所述修复后的布局版图中，至少一个所述槽孔包括位于一所述金属连线的相对两侧的两个所述第二部分。7.根据权利要求1
‑
3任一项所述的布局版图的修复方法，其特征在于，还包括：若所述第二部分的面积小于所述阈值下限，则输出报警信息。8.根据权利要求1
‑
3任一项所述的布局版图的修复方法，其特征在于，所述金属连线包括电源金属连线和信号金属连线，所述电源填充网格的部分与所述电源金属连线重叠且所述电源填充网格与所述信号金属连线之间具有预设距离。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈川江，赵康，白黎，唐力，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：