载流子输运仿真方法、装置、介质及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种载流子输运仿真方法、装置、介质及电子装置，本发明专利技术通过确定半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件，以及确定封闭量子模型对应的泊松方程和薛定谔方程；基于所述初始条件和/或所述边界条件、所述泊松方程和所述薛定谔方程确定所述半导体器件中的载流子密度，以实现所述半导体器件中载流子输运的仿真，进而实现对半导体器件中载流子输运的研究。流子输运的研究。流子输运的研究。

【技术实现步骤摘要】
载流子输运仿真方法、装置、介质及电子设备


[0001]本专利技术属于量子仿真计算
，特别是载流子输运仿真方法、装置、介质及电子设备。

技术介绍

[0002]现代集成电路作为电子信息设备的核心取得了广泛的应用，其稳定性一直得到各界关注。随着现代集成电路工艺特征尺寸的不断缩小，量子效应对集成电路中包括的半导体器件电学性能的影响越来越显著。电学性能由半导体器件中载流子(物理学中将电子和空穴统称为载流子)的输运决定，对半导体器件中载流子输运的理解程度决定了未来集成电路的发展。目前对半导体器件中载流子输运的研究缺乏一个行之有效的方法。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种载流子输运仿真方法、装置、介质及载流子设备，旨在加强对半导体器件中载流子输运的研究。
[0004]本申请的一个实施例提供了一种载流子输运仿真方法，所述方法包括：
[0005]确定半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件，以及确定封闭量子模型对应的泊松方程和薛定谔方程；
[0006]基于所述初始条件和/或所述边界条件、所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种载流子输运仿真方法，其特征在于，所述方法包括：确定半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件，以及确定封闭量子模型对应的泊松方程和薛定谔方程；基于所述初始条件和/或所述边界条件、所述泊松方程和所述薛定谔方程确定所述半导体器件中的载流子密度，以实现所述半导体器件中载流子输运的仿真。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述泊松方程为：其中，所述为含的拉普拉斯算子，所述为所述半导体器件的相对静态介电常数，所述为待确定的静电势，所述ε0为真空介电常数，所述q为载流子电荷量，所述为载流子密度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述薛定谔方程为：其中，所述为含的拉普拉斯算子，所述为约化普朗克常数，所述为与空间相关的定向有效质量，所述e
i
和所述分别为封闭量子系统的特征值和特征函数；所述是有效势能函数，所述所述为载流子亲和力，所述为交换相关函数。4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述为：其中，所述f
F
(e
i
)为费米函数，所述V
T
为载流子热电压，所述V
T
＝K
B
T/q，所述为电化学势，所述K
B
为玻尔兹曼常数，所述T为以开尔文为单位的温度。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述确定半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件，包括：构建半导体器件的几何模型；基于有限体积法将所述几何模型网格化，得到多个第一控制体积；确定每个所述第一控制体积的初始条件和/或边界条件。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于所述初始条件和/或所述边界条件、所述泊松方程和所述薛定谔方程确定所述半导体器件中的载流子密度，包括：基于每个所述第一控制体积的初始条件和...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵勇杰，
申请(专利权)人：合肥本源量子计算科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：