一种半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以使得电容器所包括的下电极的阻抗满足预设方案的要求，提高电容器的工作性能。所述半导体器件包括：基底、电容器和支撑结构。电容器形成在基底上。支撑结构环绕在电容器所包括的下电极的外周。支撑结构上开设有刻蚀图案。下电极与刻蚀图案相对应的部分的顶部轮廓为弧形轮廓。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。制造方法用于制造所述半导体器件。制造方法用于制造所述半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件的逐渐微缩、以及半导体器件中电容器的电容量逐渐增大，使得电容器所包括的下电极的高宽比较大。为防止电容器所包括的下电极在形成介质层之前倒塌或断裂，在下电极的外周形成有支撑结构。支撑结构能够支撑下电极，使得电容器结构更稳定。
[0003]但是，现有用于形成上述支撑结构的方法会导致所制造的电容器的工作性能较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，以使得电容器所包括的下电极的阻抗满足预设方案的要求，提高电容器的工作性能。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：
[0006]基底；
[0007]电容器，电容器形成在基底上；
[0008]支撑结构，支撑结构环绕在电容器所包括的下电极的外周，支撑结构上开设有刻蚀图案；下电极与刻蚀图案相对应的部分的顶部轮廓为弧形轮廓。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；电容器，所述电容器形成在所述基底上；支撑结构，所述支撑结构环绕在所述电容器所包括的下电极的外周，所述支撑结构上开设有刻蚀图案；所述下电极与所述刻蚀图案相对应的部分的顶部轮廓为弧形轮廓。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电容器的数量为多个，多个所述电容器所包括的所述下电极与所述支撑结构接触的部分的顶部平齐；和/或，所述弧形轮廓为圆弧形轮廓；和/或，所述电容器还包括介质层和上电极；所述介质层形成在所述下电极和所述支撑结构的外周；所述上电极形成在所述介质层上。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述支撑结构的个数为两个，两个所述支撑结构包括第一支撑结构和第二支撑结构；所述第一支撑结构环绕在下电极顶部的外周，所述第一支撑结构的顶部高度大于所述弧形轮廓的最大高度；所述第二支撑结构环绕在下电极中部的外周。4.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上形成电容器和支撑结构；所述支撑结构环绕在所述电容器所包括的下电极的外周，所述支撑结构上开设有刻蚀图案；所述下电极与所述刻蚀图案相对应的部分的顶部轮廓为弧形轮廓。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述提供一基底后，所述在基底上形成电容器和支撑结构前，所述半导体器件的制造方法还包括：在所述基底上形成第一叠层；所述第一叠层包括第一模制层、以及位于所述第一模制层上的第一支撑层；在第一掩膜图案的掩膜作用下，刻蚀所述第一叠层形成贯穿所述第一叠层的图案孔结构；形成覆盖在所述图案孔结构的内壁上的导电材料层；在所述基底上形成所述电容器，包括：在第二掩膜图案的掩膜作用下，刻蚀部分所述第一支撑层、以及部分所述导电材料层，以在所述第一支撑层上开设所述刻蚀图案；对刻蚀后的所述导电材料层进行刻蚀后处理，以使得所述导电材料层与所述刻蚀图案相对应的部分的顶部轮廓为弧形轮廓，获得所述下电极。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二掩膜图案的材质为碳材料；所述下电极的材质为金属氮化物；采用电容耦合等离子体刻蚀工艺对刻蚀后的所述导电材料层进行刻蚀后处理。7.根据权利要求6所述的半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：慎寿范，李俊杰，周娜，洪欣，杨兵，王桂磊，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：