半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

半导体装置及其形成方法，所述方法包括：形成第一保护条及第二保护条于半导体基板上。第一保护条及第二保护条在第一方向上延伸且垂直于第一方向的第二方向上交替地设置。第一保护条及第二保护条彼此间隔开。选择性地移除第一保护条的一部分以切割第一保护条。选择性地移除第二保护条的一部分以切割第二保护条。刻蚀半导体基板以形成沟槽。移除第一保护条及第二保护条的剩余部分。填充隔离材料层于沟槽中。隔离材料层定义多个条状主动区。形成电容接触件于每个条状主动区的两端上。本申请能够使用两种自对准双重图案化工艺，降低形成半导体装置的成本。体装置的成本。体装置的成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法


[0001]本专利技术实施例是关于半导体装置，特别是关于一种存储器装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体装置应用于许多产业，例如：汽车制造、通讯、电脑及消费电子产品。随着功能性的增加，半导体装置仍持续发展朝向尺寸缩小的目标发展。然而，微缩也伴随着一些问题，例如制造复杂性增加，并导致较高的制造成本。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成第一保护条及第二保护条于半导体基板上，其中第一保护条及第二保护条在第一方向上延伸且在垂直于第一方向的第二方向上交替地设置，且第一保护条及第二保护条彼此间隔开；选择性地移除第一保护条的一部分以切割第一保护条；选择性地移除第二保护条的一部分以切割第二保护条；刻蚀半导体基板以形成沟槽，其中第一保护条及第二保护条的剩余部分作为刻蚀掩膜；移除第一保护条及第二保护条的剩余部分；填充隔离材料层于沟槽中，其中隔离材料层定义多个条状主动区；以及形成多个电容接触件于每个条状主动区的两端上。
[0004]本专利技术实施例提供一种半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：形成一第一保护条及一第二保护条于一半导体基板上，其中所述第一保护条及所述第二保护条在一第一方向上延伸且在垂直于所述第一方向的一第二方向上交替地设置，且所述第一保护条及所述第二保护条彼此间隔开；选择性地移除所述第一保护条的一部分以切割所述第一保护条；选择性地移除所述第二保护条的一部分以切割所述第二保护条；刻蚀所述半导体基板以形成一沟槽，其中所述第一保护条及所述第二保护条的剩余部分作为刻蚀掩膜；移除所述第一保护条及所述第二保护条的剩余部分；填充一隔离材料层于所述沟槽中，其中所述隔离材料层定义多个条状主动区；以及形成多个电容接触件于每个条状主动区的两端上。2.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，选择性地移除所述第一保护条的所述部分以切割所述第一保护条包括：形成一保留区域层于所述第一保护条、所述第二保护条及所述半导体基板上，其中所述保留区域层部分地露出所述第一保护条及所述第二保护条；形成一填充掩膜层于所述保留区域层、所述第一保护条、及所述第二保护条上；形成多个间隔物衬层于所述填充掩膜层上；刻蚀由所述间隔物衬层所曝露出来的所述填充掩膜层以形成多个凹槽，其中所述凹槽的其中一个露出所述第一保护条的所述部分；选择性地刻蚀所述第一保护条的露出部分；以及移除所述间隔物衬层。3.根据权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，选择性地移除所述第二保护条的所述部分以切割所述第二保护条包括：填充一调性反转层于所述凹槽中；移除所述填充掩膜层以露出所述第二保护条的所述部分；选择性地刻蚀所述第二保护条的露出部分；以及移除所述调性反转层及所述保留区域层。4.根据权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，形成所述间隔物衬层于所述填充掩膜层上包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈达，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：