【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器及其制造方法
[0001]本专利技术有关于一种存储器装置，且特别是有关于一种动态随机存取存储器及其制造方法。
技术介绍
[0002]随着电子产品日渐小型化的趋势，对于存储器装置亦有逐渐小型化的需求。然而，随着存储器装置的小型化，提高存储器装置的效能及良率变得更为困难。
[0003]举例而言，在动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)中，位线结构具有由氮化物/氧化物/氮化物所形成的侧壁间隔物。在湿式刻蚀中，由于氧化物抗湿式刻蚀的能力比氮化物弱，因此侧壁间隔物中的氧化物的顶部经常会受到损伤，而导致侧壁间隔物的顶部变薄甚至被完全移除(即侧壁间隔物的顶表面低于导电结构上方的盖层的顶表面)。若位线结构的侧壁间隔物的顶部被完全移除，则位线结构中的盖层的顶部会被暴露出，导致盖层也可能会变形(例如，使盖层具有圆化的顶表面)，进而导致位于位线结构两侧的连接垫的顶部变得比预期的宽。换言之，相邻的连接垫的顶部之间的距离会变得较近。如此一来，将增加存储器装置短路的风险，进而降...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：多个位线接触结构，形成于一基板上；多个位线结构，形成于所述多个位线接触结构上，且沿着一第一方向延伸；多个第一绝缘结构，形成于所述基板上，且沿着与所述第一方向相交的一第二方向延伸；一电容接触结构，形成于所述基板上，且位于相邻的所述多个位线结构与相邻的所述多个第一绝缘结构之间；一第一连接垫，形成于所述电容接触结构上；一第二绝缘结构，环绕所述第一连接垫，且所述第二绝缘结构的顶部宽度大于底部宽度；及一电容结构，形成于所述第一连接垫上并且与所述第一连接垫电连接。2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第二绝缘结构的一顶表面与所述第一连接垫的一顶表面齐平，且所述第二绝缘结构包括：一第一部分，自所述电容接触结构的一顶表面向上延伸，其中所述第一部分具有朝向下方逐渐缩窄的宽度；以及一第二部分，自所述第一连接垫的所述顶表面向下延伸，其中所述第二部分具有朝向下方逐渐缩窄的宽度，其中所述第二绝缘结构的所述顶表面具有一第一宽度W1，其中所述第二绝缘结构的所述第一部分的表面与所述位线结构的侧壁表面间具有最大距离W2，且其中所述第一宽度W1相对于所述最大距离W2的比率(W1/W2)为1.5
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10.0。3.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一部分包括一第一绝缘材料，所述第二部分包括一第二绝缘材料，且所述第二绝缘材料不同于所述第一绝缘材料。4.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一部分包括一气隙，且所述第二部分包括一绝缘材料。5.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一部分与所述第二部分包括相同的绝缘材料。6.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第二绝缘结构具有一第一高度H1，所述第二部分具有一最小厚度H2，且其中所述第一高度H1相对于所述最小厚度H2的比率(H1/H2)为1.5
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10.0。7.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第二绝缘结构更包括位于第一部分与所述第二部分之间的一第三部分，所述第一部分包括一第一绝缘材料，所述第二部分包括一第二绝缘材料，所述第三部分包括一气隙，且所述第二绝缘材料不同于所述第一绝缘材料。8.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述位线结构包括：一导电结构，形成于所述位线接触结构上；一绝缘盖层，形成于所述导电结构上；以及一绝缘间隔物，位于所述导电结构与所述电容接触结构之间，且包括：一第一间隔物层，形成于所述绝缘盖层的一侧壁及所述导电结构的一侧壁上；一第二间隔物层，形成于所述第一间隔物层上，其中所述第二间隔物层的一顶表面低
于所述第一间隔物层的一顶表面；以及一第三间隔物层，形成于所述第二间隔物层上，其中所述第三间隔物层的一顶表面低于所述第一间隔物层的所述顶表面。9.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一连接垫的一底表面的宽度大于所述第一连接垫的一顶表面的宽度，且所述第一连接垫的一下部分与一上部分的交界处的宽度相对于所述第一连接垫的所述顶表面的宽度的比率为1.1
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2.5。10.一种动态随机存取存储器的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈皇男，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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