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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以使得电容器所包括的下电极的阻抗满足预设方案的要求，提高电容器的工作性能。所述半导体器件包括：基底、电容器和支撑结构。电容器形成在基底上。支撑结构环绕在电容器所包括的下电极的外周。...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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