一种共模噪声抑制电路及电路基板制造技术

本发明专利技术公开了一种共模噪声抑制电路及电路基板，涉及共模噪声抑制电路技术领域，利用电容对高频噪声的低阻抗特性搭建共模抑制电路，同时利用导体结构将共模噪声传递至基板安装单元壳体CASE，降低电源端口的共模噪声，有效提高控制器的EMI特性及电子控制单元的稳定性，将导体部CON形成在第一电容器C1与第二电容器C2之间，由此使得即使共模噪声传递至基板安装单元,也从基板安装单元传递至导体部CON、第一电容器C1和第二电容器C2、基板正连接部CN+和基板负连接部CN

【技术实现步骤摘要】
一种共模噪声抑制电路及电路基板


[0001]本专利技术涉及共模噪声抑制电路
，尤其涉及一种共模噪声抑制电路及电路基板。

技术介绍

[0002]电动助力转向系统中马达工作时会产生共模噪声，共模噪声会提高电子控制单元的EMI，还有可能会导致电子控制单元的电路稳定性。在现已知的电动助力转向系统的电子控制单元中是通过共模电感抑制工模噪声的。
[0003]主要缺陷在于：
[0004]1、共模线圈一般体积较大，不利于电子控制单元的小型化；
[0005]2、工模线圈成本高。
[0006]另一方面，如果不使用共模线圈又不能有效降低共模噪声。

技术实现思路

[0007]本专利技术所要解决的技术问题是针对
技术介绍
的不足提供一种共模噪声抑制电路及电路基板，其利用电容对高频噪声的低阻抗特性搭建共模抑制电路，同时利用导体结构将共模噪声传递至基板安装单元壳体CASE，降低电源端口的共模噪声，有效提高控制器的EMI特性及电子控制单元的稳定性。
[0008]本专利技术为解决上述技术问题采用以下技术方案：
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种共模噪声抑制电路，其特征在于：包含电子控制单元、逆变器电路和马达，所述电子控制单元通过逆变器电路控制马达；所述逆变器电路包含逆变器电路INV1和逆变器电路INV2；所述逆变器电路INV1包含场效应晶体管FET1、场效应晶体管FET2、场效应晶体管FET3、场效应晶体管FET4、场效应晶体管FET5、场效应晶体管FET6；所述逆变器电路INV2包含场效应晶体管FET7、场效应晶体管FET8、场效应晶体管FET9、场效应晶体管FET10、场效应晶体管FET11、场效应晶体管FET12，所述逆变器电路INV2是逆变器电路INV1的冗余；所述场效应晶体管FET1、场效应晶体管FET2、场效应晶体管FET3、场效应晶体管FET4、场效应晶体管FET5、场效应晶体管FET6、场效应晶体管FET7、场效应晶体管FET8、场效应晶体管FET9、场效应晶体管FET10、场效应晶体管FET11、场效应晶体管FET12连接于与基板正连接部CN+连接的电位B+的正极线和与基板负连接部CN
‑
连接的电位B
‑
的负极线之间，场效应晶体管FET1和场效应晶体管FET2串联连接于正极线与负极线之间；场效应晶体管FET1和场效应晶体管FET2将U1相电流提供给马达的U1相绕组；分流电阻R1与场效应晶体管FET1和场效应晶体管FET2串联连接于场效应晶体管FET2与负极线之间；通过用于检测U1相电流的电流传感器检测流过分流电阻R1的电流；场效应晶体管FET3和场效应晶体管FET4串联连接于正极线与负极线之间；场效应晶体管FET3和场效应晶体管FET4将V相电流提供给马达的V1相绕组；分流电阻R2与该场效应晶体管FET3和场效应晶体管FET4串联连接于场效应晶体管FET4与负极线之间；通过用于检测V相电流的电流传感器检测流过分流电阻R2的电流；场效应晶体管FET5和场效应晶体管FET6串联连接于正极线与负极线之间；场效应晶体管FET5和场效应晶体管FET6将W相电流提供给马达的W1相绕组；分流电阻R3与该场效应晶体管FET5和场效应晶体管FET6串联连接于场效应晶体管FET6与负极线之间；通过用于检测W1相电流的电流传感器检测流过分流电阻R3的电流；场效应晶体管FET7和场效应晶体管FET8串联连接于正极线与负极线之间；场效应晶体管FET7和场效应晶体管FET8将U2相电流提供给马达的U2相绕组；分流电阻R4与场效应晶体管FET7和场效应晶体管FET8串联连接于场效应晶体管FET8与负极线之间；通过用于检测U2相电流的电流传感器检测流过分流电阻R4的电流；场效应晶体管FET9和场效应晶体管FET10串联连接于正极线与负极线之间；场效应晶体管FET9和场效应晶体管FET10将V2相电流提供给马达的V2相绕组；分流电阻R5与该场效应晶体管FET9和场效应晶体管FET10串联连接于场效应晶体管FET10与负极线之间；通过用于检测V2相电流的电流传感器检测流过分流电阻R5的电流；场效应晶体管FET11和场效应晶体管FET12串联连接于正极线与负极线之间；场效应晶体管FET11和场效应晶体管FET12将W2相电流提供给马达的W2相绕组；
分流电阻R6与该场效应晶体管FET11和场效应晶体管FET12串联连接于场效应晶体管FET12与负极线之间；通过用于检测W2相电流的电流传感器检测流过分流电阻R6的电流。2.根据权利要求1所述的一种共模噪声抑制电路，其特征在于：场效应电容器C10在正极线与负极线之间与逆变器电路INV1和逆变器电路INV2并联连...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾辉，蔡斌，景立群，
申请(专利权)人：杭州湘滨电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：