IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法技术

本发明专利技术属于半导体封装技术领域，尤其为IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法，该方法是将除胶工艺产生的高锰酸钾碱性废液加入到快速闪蚀工艺产生的双氧水酸性废液中，将两类废液预先混合反应，高锰酸钾与双氧水预先发生氧化还原反应，硫酸与氢氧化钠预先发生中和反应，彼此反应抵消后，得反应后混合液，后续另加硫酸亚铁到反应后混合液中进行还原双氧水处理。本发明专利技术采用将两类废液预先混合反应的方法，高锰酸钾与双氧水预先发生氧化还原反应，硫酸与氢氧化钠预先发生中和反应，彼此反应抵消后，使后续处理需要另加硫酸亚铁去还原双氧水的加药量大幅减少，氢氧化铁废渣液减少，成本变低，也更环保。也更环保。也更环保。

【技术实现步骤摘要】
IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，具体为IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法。

技术介绍

[0002]IC载板，即IC封装载板，是一种关键专用基础材料。种类有6PIN、8PIN、双界面以及非接触式封装框架几种。
[0003]SLP(substrate
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likePCB)，中文简称类载板(SLP)，是下一代PCB硬板，可将线宽/线距从HDI的40/50微米缩短到20/35微米，即最小线宽/线距将从HDI的40微米缩短到SLP的30微米以内。从制程上来看，SLP更接近用于半导体封装的IC载板，但尚未达到IC载板的规格，而其用途仍是搭载各种主被动元器件，因此仍属于PCB的范畴。
[0004]闪蚀，又称差分蚀刻或快速蚀刻工艺，即把非图形区域的薄铜快速蚀刻，同时又不会蚀刻过多的图形区域的铜，是半加成法工艺中的关键步骤。一般情况下，闪蚀工艺中线路的上部没有任何金属或者干膜的抗蚀刻层。省去了抗蚀刻层成型、曝光显影以及抗蚀刻层剥离等工序，可以极大的简化生产工艺，减少干膜或者其他抗蚀刻层对精细化线路的干扰。
[0005]除胶工艺是指指电路板在钻孔的摩擦高热中，当其温度超过树脂的Tg时，树脂将呈现软化甚至形成流体而随钻头的旋转涂满孔壁，冷却后形成固着的胶糊渣，使得内层铜孔环与后来所做铜孔壁之间形成隔阂。故在进行PTH之初,就应对已形成的胶渣，施以各种方法进行清除，而达成后续良好的连接目的。简单的说是去除孔里面的胶渣，以便在微蚀时增加附着力。
[0006]目前，在IC载板、类载板SLP制造工艺中，主要有减成法、加成法与半加成法三种工艺技术。而硫酸
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双氧水体系闪蚀药水适用于半加成工艺中PCB精细线路的生产。IC载板与类载板SLP的快速闪蚀工艺现采用双氧水加硫酸配方，产生的双氧水酸性废液需要另加硫酸亚铁去还原掉双氧水。IC载板与类载板SLP现用的化学除胶工艺采用高锰酸钾加氢氧化钠配方，产生的高锰酸钾碱性废液，也需要另加硫酸亚铁去还原高锰酸钾。二者最终产生氢氧化铁废渣太多，处理用药量大，处理成本高。
[0007]因此我们提出了IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法来解决上述问题。

技术实现思路

[0008](一)解决的技术问题
[0009]针对现有技术的不足，本专利技术提供了IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法，解决了现有技术中IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理方式不佳，导致最终产生的氢氧化铁废渣太多，处理用药量大，处理成本高的问题。
[0010](二)技术方案
[0011]本专利技术为了实现上述目的具体采用以下技术方案：
[0012]IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法，IC载板与类载板SLP的快速闪蚀工艺产生双氧水酸性废液，IC载板与类载板SLP的化学除胶工艺产生高锰酸钾碱性废液，IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法是将除胶工艺产生的高锰酸钾碱性废液加入到快速闪蚀工艺产生的双氧水酸性废液中，将两类废液预先混合反应，高锰酸钾与双氧水预先发生氧化还原反应，硫酸与氢氧化钠预先发生中和反应，彼此反应抵消后，得反应后混合液，后续另加硫酸亚铁到反应后混合液中进行还原双氧水处理。
[0013]具体地，高锰酸钾与双氧水预先发生氧化还原反应的反应方程式为：
[0014]2KMnO4+5H2O2+3H2SO4＝K2SO4+2MnSO4+5O2↑
+8H2O。
[0015]硫酸与氢氧化钠预先发生中和反应的反应方程式为：
[0016]2NaOH+H2SO4＝Na2SO4+2H2O。
[0017]具体技术方案流程为：
[0018]S1、首先将化学除胶工艺高锰酸钾加氢氧化钠配方所产生的高锰酸钾碱性废液暂存到第一储存池；
[0019]S2、再将快速闪蚀工艺双氧水加硫酸配方所产生的双氧水酸性废液暂存到第二储存池；
[0020]S3、分别从第一储存池和第二储存池中取一定量的高锰酸钾碱性废液和双氧水酸性废液，高锰酸钾碱性废液和双氧水酸性废液的质量比为1：2，按质量比1：2将除胶工艺产生的高锰酸钾碱性废液加入到双氧水酸性废液中，分批次高锰酸钾碱性废液用泵分批加入到闪蚀工艺产生的双氧水酸性废液中进行混合与反应，反应完全后无沉淀，紫红色的高锰酸钾颜色消失；
[0021]S4、后续废液(反应后混合液)再处理。
[0022]具体地，IC载板与类载板SLP的快速闪蚀工艺采用双氧水加硫酸配方，IC载板与类载板SLP现用的化学除胶工艺采用高锰酸钾加氢氧化钠配方，IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺产生的高锰酸钾碱性废液与双氧水酸性废液两者混合反应在酸性条件下完成，且双氧水加硫酸配方产生的双氧水酸性废液要保持过量，取质量比为1：2的高锰酸钾碱性废液加入到双氧水酸性废液，保证高锰酸钾碱性废液反应完全，紫红色的高锰酸钾颜色消失。
[0023](三)有益效果
[0024]与现有技术相比，本专利技术提供了IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法，具备以下有益效果：
[0025]本专利技术采用将两类废液预先混合反应的方法，将除胶工艺产生的高锰酸钾碱性废液，加入到闪蚀工艺产生的双氧水酸性废液中，高锰酸钾与双氧水预先发生氧化还原反应，硫酸与氢氧化钠预先发生中和反应，彼此反应抵消后，使后续处理需要另加硫酸亚铁去还原双氧水的加药量大幅减少，氢氧化铁废渣液减少，成本变低，也更环保。
附图说明
[0026]图1为本专利技术IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法流程示意框图。
具体实施方式
[0027]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0028]实施例1
[0029]如图1所示，本专利技术一个实施例提出的IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法，IC载板与类载板SLP的快速闪蚀工艺产生双氧水酸性废液，IC载板与类载板SLP的化学除胶工艺产生高锰酸钾碱性废液，IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法是将除胶工艺产生的高锰酸钾碱性废液加入到快速闪蚀工艺产生的双氧水酸性废液中，将两类废液预先混合反应，高锰酸钾与双氧水预先发生氧化还原反应，硫酸与氢氧化钠预先发生中和反应，彼此反应抵消后，得反应后混合液，后续另加硫酸亚铁到反应后混合液中进行还原双氧水处理。
[0030]具体地，高锰酸钾与双氧水预先发生氧化还原反应的反应方程式为：
[0031]2KMnO4+5H2O2+3H2SO4＝K2SO4+2MnSO4+5O2↑
+8H2O。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法，所述IC载板与类载板SLP的快速闪蚀工艺产生双氧水酸性废液，所述IC载板与类载板SLP的化学除胶工艺产生高锰酸钾碱性废液，其特征在于：所述IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法是将除胶工艺产生的高锰酸钾碱性废液加入到快速闪蚀工艺产生的双氧水酸性废液中，将两类废液预先混合反应，高锰酸钾与双氧水预先发生氧化还原反应，硫酸与氢氧化钠预先发生中和反应，彼此反应抵消后，得反应后混合液，后续另加硫酸亚铁到反应后混合液中进行还原双氧水处理。2.根据权利要求1所述的IC载板与类载板SLP快速闪蚀与除胶工艺废液处理的方法，其特征在于：所述高锰酸钾与双氧水预先发生氧化还原反应的反应方程式为：2KMnO4+5H2O2+3H2S...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐志强，
申请(专利权)人：欣强电子清远有限公司，
类型：发明
国别省市：