薄膜晶体管、基板、光感电路和显示面板制造技术

本公开实施例提供一种薄膜晶体管、基板、电路及显示面板。该基板包括：有源层，其与薄膜晶体管的源电极部分交叠形成第一交叠区域，且与所述第一薄膜晶体管的漏电极部分交叠形成第二交叠区域；以及栅电极，其正投影覆盖所述第一交叠区域和所述第二交叠区域的任意一个交叠区域，且所述任意一个交叠区域的正投影在所述栅电极的正投影范围内。本公开实施例，可以提高光感薄膜晶体管的感光能力且结构简单。以提高光感薄膜晶体管的感光能力且结构简单。以提高光感薄膜晶体管的感光能力且结构简单。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、基板、光感电路和显示面板


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管、基板、光感电路和显示面板。

技术介绍

[0002]光传感器通常是指能够敏锐地感应从紫外光到红外光的光能量并将光能量转换成电信号的器件。光传感器是一种传感装置，主要由光敏元件组成。其主要分为环境光传感器、红外光传感器、太阳光传感器、紫外光传感器四类。其可以应用于改变车身电子应用、智能照明系统等领域。
[0003]但是，传统光传感器为在TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)上单独增加PIN(P
‑
I
‑
N结)结构，工艺复杂，集成度低并且光接受度不高。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种光感薄膜晶体管、基板、光感电路和显示面板，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
[0005]作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种光感薄膜晶体管，包括：
[0006]有源层，与薄膜晶体管的源电极部分交叠形成第一交叠区域，且与所述第一薄膜晶体管的漏电极部分交叠形成第二交叠区域；以及
[0007]栅电极，其正投影覆盖所述第一交叠区域和所述第二交叠区域中的任意一个交叠区域，且所述任意一个交叠区域的正投影在所述栅电极的正投影范围内。
[0008]在一种可能的实现方式中，所述栅电极的正投影覆盖所述第一交叠区域，所述栅电极的正投影部分覆盖与所述第一交叠区域相接的源电极。
[0009]在一种可能的实现方式中，所述栅电极的正投影部分覆盖与所述第一交叠区域相接的有源层。
[0010]在一种可能的实现方式中，在所述栅电极的正投影覆盖所述第二交叠区域，所述栅电极的正投影部分覆盖与所述第二交叠区域相接的漏电极。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述栅电极的正投影覆盖所述第二交叠区域的正投影的情况下，所述栅电极的正投影部分覆盖与所述第二交叠区域相接的有源层。
[0012]作为本公开实施例的第二个方面，本公开实施例提供一种基板，包括：
[0013]第一薄膜晶体管；以及
[0014]第二薄膜晶体管，其为本公开实施例提供的薄膜晶体管，且所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管串联。
[0015]在一些可能的实现方式中，所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一项与所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一项连接。
[0016]在一些可能的实现方式中，所述第一薄膜晶体管的有源层材料为低温多晶硅，所述第二薄膜晶体管设置在所述第一薄膜晶体管的有源层中。
[0017]在一些可能的实现方式中，所述第一薄膜晶体管包括有源层、源电极、漏电极以及栅电极，其中，所述有源层与所述源电极部分交叠形成第三交叠区域，所述有源层与所述漏电极部分交叠形成第四交叠区域，且所述有源层的正投影覆盖所述栅电极，所述栅电极的正投影覆盖所述第三交叠区域和所述第四交叠区域。
[0018]在一些可能的实现方式中，所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极与所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极同层，所述第一薄膜晶体管的有源层与所述第二薄膜晶体管的有源层同层，所述第一薄膜晶体管的栅电极与所述第二薄膜晶体管的栅电极同层。
[0019]在一些可能的实现方式中，所述第一薄膜晶体管包括多个，所述第二薄膜晶体管包括多个。
[0020]在一些可能的实现方式中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管呈矩阵排列，所述矩阵包括至少一列或至少一行第一薄膜晶体管，所述矩阵包括至少一行或至少一列第二薄膜晶体管。
[0021]在一些可能的实现方式中，所述矩阵包括多行第二薄膜晶体管，相邻两行的第二薄膜晶体管之间间隔有至少一行第一薄膜晶体管。
[0022]在一些可能的实现方式中，所述矩阵包括多列第二薄膜晶体管，相邻两列的第二薄膜晶体管之间间隔有至少一列第一薄膜晶体管。
[0023]作为本公开实施例的第二个方面，本公开实施例提供一种光感电路，包括：像素补偿电路和第三薄膜晶体管，其中，所述第三薄膜晶体管为本公开任一实施例所述的光感薄膜晶体管；其中，所述像素补偿电路的输出端与所述第三薄膜晶体管的源电极或漏电极连接。
[0024]作为本公开实施例的第三个方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括本公开任一实施例所述的基板，或/和本公开任一实施例所述光感电路。
[0025]本公开实施例提供的技术方案，栅电极的正投影覆盖有源层与漏电极的交叠区域或有源层与源电极的交叠区域的正投影，栅电极的正投影沿其覆盖的交叠区域的两侧延伸，且未完全覆盖与该交叠区域相接的源电极或漏电极的正投影，以及未完全覆盖有源层与源电极和漏电极的未交叠区域的正投影。从而，在薄膜晶体管中，栅电极相对于有源层偏移，使得有源层的正投影无法完全覆盖栅电极。
[0026]上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
[0027]在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本公开范围的限制。
[0028]图1是本公开一实施例的薄膜晶体管的截面图；
[0029]图2是本公开一实施例的薄膜晶体管的截面投影图；
[0030]图3是本公开一实施例的薄膜晶体管的截面图；
[0031]图4是本公开一实施例的薄膜晶体管的截面投影图；
[0032]图5是本公开一实施例的薄膜晶体管的俯视透视图；
[0033]图6是本公开另一实施例的薄膜晶体管的俯视透视图；
[0034]图7是本公开一实施例的薄膜晶体管的电流变化曲线图；
[0035]图8是本公开一实施例的基板的示意图；
[0036]图9是本公开另一实施例的基板的示意图；
[0037]图10是本公开另一实施例的基板的示意图；
[0038]图11是本公开另一实施例的基板的示意图。
具体实施方式
[0039]在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
[0040]图1和图2分别是本公开一实施例的薄膜晶体管的截面图，图3和图4是本公开另一实施例的薄膜晶体管的截面图。图5是本公开一实施例的薄膜晶体的俯视图。如图1至图5所示，薄膜晶体管包括栅电极101、源电极102、漏电极103和有源层104。其中，有源层104与光感薄膜晶体管的源电极102部分交叠形成第一交叠区域106，且与漏电极103部分交叠形成第二交叠区域107。栅电极101的正投影覆盖第一交叠区域106和第二交叠区域107本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层，与薄膜晶体管的源电极部分交叠形成第一交叠区域，且与所述薄膜晶体管的漏电极部分交叠形成第二交叠区域；以及栅电极，其正投影覆盖所述第一交叠区域和所述第二交叠区域中的任意一个交叠区域，且所述任意一个交叠区域的正投影在所述栅电极的正投影范围内。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极的正投影覆盖所述第一交叠区域，所述栅电极的正投影部分覆盖与所述第一交叠区域相接的源电极。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极的正投影部分覆盖与所述第一交叠区域相接的有源层。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述栅电极的正投影覆盖所述第二交叠区域，所述栅电极的正投影部分覆盖与所述第二交叠区域相接的漏电极。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极的正投影部分覆盖与所述第二交叠区域相接的有源层。6.一种基板，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管，其为权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管；第二薄膜晶体管，与所述第一薄膜晶体管串联。7.根据权利要求6所述的基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一项与所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一项连接。8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的有源层材料为低温多晶硅，所述第一薄膜晶体管设置在所述第二薄膜晶体管的有源层中。9.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管包括有源层、源电极、漏电极以及栅电极，其中，所述有源层...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁广才，李海旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：