具有氧化物半导体的显示装置制造方法及图纸

本公开涉及具有氧化物半导体的显示装置。特别是，所述显示装置可以包括设置在器件基板上的至少一个开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管可以包括由氧化物半导体制成的驱动半导体图案。遮光图案可以设置在器件基板与驱动半导体图案之间。遮光图案可以靠近驱动半导体图案设置。因此，在所述显示装置中，可以减小根据施加到驱动薄膜晶体管的驱动栅电极的电压的电流变化值，而无需改变开关薄膜晶体管的特性。因此，在所述显示装置中，可以防止出现低灰度斑点。止出现低灰度斑点。止出现低灰度斑点。

【技术实现步骤摘要】
具有氧化物半导体的显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年8月30日提交的编号为10
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2021
‑
0114730的韩国专利申请的权益和优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文以用于所有目的，如同其在本文中被完整阐述一样。


[0003]本公开涉及装置及其实现(实施)方法，特别是涉及例如、但不限于具有氧化物半导体的显示装置。

技术介绍

[0004]通常，显示装置可以向用户提供图像。例如，显示装置可以包括多个发光器件。所述发光器件中的每一个可以发射显示特定颜色的光。例如，所述发光器件中的每一个可以包括位于第一电极与第二电极之间的发光层。
[0005]发光器件可以设置在器件基板上。用于控制每个发光器件的驱动电路可以设置在器件基板上。例如，所述发光器件中的每一个可以被电连接至所述驱动电路中的一个。所述驱动电路中的每一个可以根据扫描信号生成对应于数据信号的驱动电流。例如，所述驱动电路中的每一个可以包括多个薄膜晶体管。
[0006]所述薄膜晶体管中的一些可以包括由氧化物半导体制成的半导体图案。例如，所述驱动电路中的每一个可以包括被电连接至对应的发光器件的驱动薄膜晶体管，并且所述驱动薄膜晶体管可以包括由氧化物半导体制成的半导体图案。然而，在驱动薄膜晶体管中，根据施加到栅电极的电压的电流变化值可能很大。因此，在显示装置中，可能出现低灰度斑点。此外，如果驱动薄膜晶体管的半导体图案和栅电极之间的栅极绝缘层的厚度被控制，以减小根据施加到驱动薄膜晶体管的栅电极的电压的电流变化值，则与驱动薄膜晶体管同时形成的开关薄膜晶体管的特性可能会劣化。因此，在显示装置中，图像的质量可能会降级。
[0007]在相关技术部分的讨论中提供的描述不应仅仅因为其在该部分中被提及或与该部分相关联而被认定为现有技术。相关技术部分的讨论可以包括描述主题技术的一个或多个方面的信息。

技术实现思路

[0008]本公开的专利技术人已经认识到相关技术的问题和缺点并且进行了广泛的研究和实验。专利技术人因此开发了一种新专利技术，其包括基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的显示装置。
[0009]在一个或多个方面，本公开的目的是提出一种能够防止出现低灰度斑点的显示装置。
[0010]在一个或多个方面，本公开的另一个目的是提出一种显示装置，该显示装置能够减小根据施加到驱动薄膜晶体管的栅电极的电压的电流变化值，而无需改变开关薄膜晶体
管的特性。
[0011]本公开的目的不限于以上描述的那些目的，并且本公开的附加特征、优点和目的部分地在以下描述中阐述并且部分地将从本公开变得显而易见或者可以通过实践本文提供的专利技术概念被习得。本公开的其他特征、优点和目的可以通过在本公开中提供或从其推导出的描述和本公开的权利要求以及附图来实现和获得。
[0012]为了实现本公开的这些目的和其他优点，如本文所体现和广泛描述的那样，在一个或多个示例性实施例中，提出了一种包括器件基板的显示装置。第一隔离绝缘层和第一开关薄膜晶体管可以设置在器件基板上。第一开关薄膜晶体管可以包括位于器件基板与第一隔离绝缘层之间的第一半导体图案。第二开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管可以设置在第一隔离绝缘层上。第二开关薄膜晶体管可以包括第二半导体图案。第二半导体图案可以包括与第一半导体图案不同的材料。驱动薄膜晶体管可以包括驱动半导体图案。驱动半导体图案可以包括与第二半导体图案相同的材料。第一遮光图案可以设置在器件基板与第一隔离绝缘层之间。第一遮光图案可以与第二半导体图案重叠。第二遮光图案可以设置在器件基板与驱动半导体图案之间。第二遮光图案可以包括导电材料。第二遮光图案与驱动半导体图案之间的距离可以小于第一遮光图案与第二半导体图案之间的距离。
[0013]第一半导体图案可以包括硅。第二半导体图案和驱动半导体图案可以包括氧化物半导体。
[0014]第一遮光图案可以包括与第二遮光图案不同的材料。
[0015]第一遮光图案可以包括与第一开关薄膜晶体管的栅电极相同的材料。
[0016]第二隔离绝缘层可以设置在第二遮光图案与驱动半导体图案之间。第二隔离绝缘层可以在第一隔离绝缘层与第二半导体图案之间延伸。
[0017]第二隔离绝缘层可以具有比第一隔离绝缘层薄的厚度。
[0018]第二隔离绝缘层可以包括与第一隔离绝缘层相同的材料。
[0019]第一隔离绝缘层和第二隔离绝缘层中的每一个可以是由氧化硅制成的无机绝缘层。
[0020]在一个或多个示例性实施例中，提出了一种包括器件基板的显示装置。第一开关薄膜晶体管和第一栅极绝缘层可以设置在器件基板上。第一开关薄膜晶体管可以包括第一半导体图案、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极。第一栅极绝缘层可以在第一半导体图案与第一栅电极之间延伸。第一隔离绝缘层可以设置在第一栅极绝缘层上。第一隔离绝缘层可以在第一栅电极与第一源电极之间以及在第一栅电极与第一漏电极之间延伸。第二开关薄膜晶体管可以设置在第一隔离绝缘层上。第二开关薄膜晶体管可以包括第二半导体图案、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极。驱动薄膜晶体管可以与第一开关薄膜晶体管和第二开关薄膜晶体管间隔开。驱动薄膜晶体管可以包括驱动半导体图案、驱动栅电极、驱动源电极和驱动漏电极。第一遮光图案可以设置在第一栅极绝缘层与第一隔离绝缘层之间。第一遮光图案可以与第二半导体图案重叠。第二遮光图案可以设置在第一隔离绝缘层与驱动半导体图案之间。第二遮光图案可以包括导电材料。第二隔离绝缘层可以设置在第二遮光图案和驱动半导体图案上。第二隔离绝缘层可以在第一隔离绝缘层与第二半导体图案之间延伸。第二栅极绝缘层可以设置在驱动半导体图案与驱动栅电极之间。第二栅极绝缘层可以在第二半导体图案与第二栅电极之间延伸。第二遮光图案与驱动半导体图案之间的第
一电容可以大于驱动半导体图案与驱动栅电极之间的第二电容。
[0021]第二半导体图案与第二栅电极之间的电容可以与第二电容相同。
[0022]第二遮光图案可以被电连接至驱动源电极。
[0023]第一遮光图案可以被电连接至第二栅电极。
[0024]与第一开关薄膜晶体管、第二开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管间隔开的存储电容器可以设置在第一隔离绝缘层上。存储电容器可以具有电容器下电极和电容器上电极的堆叠结构(即，由电容器下电极和电容器上电极组成的堆叠结构)。
[0025]电容器下电极可以包括与第二遮光图案相同的材料。电容器上电极可以包括与驱动栅电极相同的材料。第二隔离绝缘层和第二栅极绝缘层可以在电容器下电极与电容器上电极之间延伸。
[0026]在一个或多个示例性实施例中，提出了一种包括器件基板的显示装置。第一绝缘层可以设置在器件基板上。遮光图案可以设置在第一绝缘层上。第二绝缘层可以设置在遮光图案上。驱动薄膜晶体管可以设置在第二绝缘层上。驱动薄膜晶体管可以包括驱动半导体图案、驱动栅电极、驱动源电极和驱动漏电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：器件基板上的第一隔离绝缘层；所述器件基板上的第一开关薄膜晶体管，所述第一开关薄膜晶体管包括位于所述器件基板与所述第一隔离绝缘层之间的第一半导体图案；所述第一隔离绝缘层上的第二开关薄膜晶体管，所述第二开关薄膜晶体管包括由与所述第一半导体图案不同的材料制成的第二半导体图案；所述第一隔离绝缘层上的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括由与所述第二半导体图案相同的材料制成的驱动半导体图案；所述器件基板与所述第一隔离绝缘层之间的第一遮光图案，所述第一遮光图案与所述第二半导体图案重叠；以及所述器件基板和所述驱动半导体图案之间的第二遮光图案，其中，所述第二遮光图案包括导电材料，并且其中，所述第二遮光图案与所述驱动半导体图案之间的距离小于所述第一遮光图案与所述第二半导体图案之间的距离。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体图案包括硅，并且所述第二半导体图案和所述驱动半导体图案包括氧化物半导体。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一遮光图案包括与所述第二遮光图案不同的材料。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一遮光图案包括与所述第一开关薄膜晶体管的栅电极相同的材料。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括位于所述第二遮光图案与所述驱动半导体图案之间的第二隔离绝缘层，其中，所述第二隔离绝缘层在所述第一隔离绝缘层与所述第二半导体图案之间延伸。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二隔离绝缘层具有比所述第一隔离绝缘层薄的厚度。7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二隔离绝缘层包括与所述第一隔离绝缘层相同的材料。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一隔离绝缘层和所述第二隔离绝缘层中的每一个为由氧化硅制成的无机绝缘层。9.一种显示装置，包括：器件基板上的第一开关薄膜晶体管，所述第一开关薄膜晶体管包括第一半导体图案、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；所述器件基板上的第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层在所述第一半导体图案与所述第一栅电极之间延伸；所述第一栅极绝缘层上的第一隔离绝缘层，所述第一隔离绝缘层在所述第一栅电极与所述第一源电极之间以及所述第一栅电极与所述第一漏电极之间延伸；所述第一隔离绝缘层上的第二开关薄膜晶体管，所述第二开关薄膜晶体管包括第二半导体图案、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；所述第一栅极绝缘层与所述第一隔离绝缘层之间的第一遮光图案，所述第一遮光图案
与所述第二半导体图案重叠；与所述第一开关薄膜晶体管和所述第二开关薄膜晶体管间隔开的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括驱动半导体图案、驱动栅电极、驱动源电极和驱动漏电极；所述第一隔离绝缘层与所述驱动半导体图案之间的第二遮光图案，所述第二遮...

【专利技术属性】
技术研发人员：李政烨，曹基述，郑德永，金张大，金玟澈，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：