【技术实现步骤摘要】
金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、显示面板
[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、显示面板。
技术介绍
[0002]铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)由于其迁移率高，均一性好以及透明性好等优点，被广泛应用于制备薄膜晶体管中的沟道层。
[0003]相关技术中，薄膜晶体管包括：沿远离衬底基板的方向依次层叠的栅极，栅极绝缘层，半导体层，源极，漏极以及钝化层。
[0004]但是，相关技术中的半导体层的含氧百分比较小，薄膜晶体管的稳定性较差。
技术实现思路
[0005]本申请提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，可以解决相关技术中薄膜晶体管的导电性较差的问题。所述技术方案如下：
[0006]一方面，提供了一种金属氧化物薄膜晶体管，所述金属氧化物薄膜晶体管包括：
[0007]依次设置在衬底基板上的栅极，栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，源极，漏极，第一绝缘层；
[0008]其中，所述第一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：依次设置在衬底基板上的栅极，栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，源极，漏极，第一绝缘层；其中，所述第一绝缘层与所述金属氧化物半导体层接触；所述第一绝缘层为包含硅元素和氧元素的无机绝缘层，所述第一绝缘层的含氧原子数量百分比大于50％；所述金属氧化物半导体层的含氧原子数量百分比大于45％。2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度小于2000埃。3.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层中的硅氧键的键能峰值大于1060cm
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1且不超过1080cm
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1。4.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层是通过控制沉积工艺中的氧气含量形成主要成分为氧化硅的膜层，在第一绝缘层的厚度方向上，多个测试位置的含氧原子数量百分比的差值不超过5％。5.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层包括：相对的第一表面和第二表面；所述第一表面为靠近所述金属氧化物半导体层的表面，所述第二表面为远离所述金属氧化物半导体层的表面；从所述第二表面到所述第一表面测试的多个测试位置中，氧原子的分布情况为：越靠近第二表面的位置每相邻两个测试位置的含氧原子数量百分比的差值越大，越靠近第一表面的位置每相邻两个测试位置的含氧原子数量百分比的差值越小。6.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管还包括第二绝缘膜，所述第二绝缘膜位于所述第一绝缘层远离所述金属氧化物半导体层的一侧，所述第二绝缘膜包含硅元素，还包含氧元素和氮元素中的至少之一。7.根据权利要求6所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层在沿所述厚度方向上的多个测试位置的致密度相同；所述第一绝缘层的致密度小于所述第二绝缘膜的致密度；采用氟化氢溶液刻蚀所述第一绝缘层时，刻蚀速率超过25埃/秒且不超过40埃/秒。8.根据权利要求7所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，采用氟化氢溶液刻蚀所述第一绝缘层时，刻蚀速率的范围为在28埃/秒至35埃/秒的范围内。9.根据权利要求6所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第二绝缘膜包括氮化硅膜层。10.根据权利要求6所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第二绝缘膜包括依次位于所述第一绝缘层上的氧化硅膜层和氮化硅膜层；所述第二绝缘膜中的氧化硅膜层中的氧原子百分比不超过所述第一绝缘层中的氧化硅膜层中的氧原子百分比，二者的差值大于5％至15％。11.根据权利要求6所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第二绝缘膜包括依次位于所述第一绝缘层上的氧化硅膜层，氮氧化硅膜层和氮化硅膜层；所述第二绝缘膜中的氧化硅膜层中的氧原子百分比不超过所述第一绝缘层中的氧化硅膜层中的氧原子百分比，二者的差值大于5％至15％。
12.根据权利要求11所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化硅膜层中的硅氧原子数比为33:67，所述氮氧化硅膜层中的硅氧氮原子数比为36:52:12，所述氮化硅膜层中的硅氮原子数比为51:49。13.根据权利要求6所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度和...
【专利技术属性】
技术研发人员：林滨，王洋，邹振游，乐发垫，席文星，余雪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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