半导体装置封装翘曲控制制造方法及图纸

提供一种制造用于半导体装置封装的载体的方法。所述方法包括形成具有由多个通道分隔开的多个平台区的载体。所述载体被配置并布置成在封装操作期间支撑多个半导体管芯。所述多个通道填充有被配置成控制所述载体的翘曲的材料。材料。材料。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装翘曲控制


[0001]本公开大体上涉及半导体装置封装，且更具体来说，涉及半导体装置封装翘曲控制。

技术介绍

[0002]现今，许多电子产品包括由半导体管芯的面板级封装形成的半导体装置。通过面板级封装，可在面板囊封之后形成到半导体管芯的连接。在囊封之后，存在称为面板翘曲的问题，所述问题可能作为例如囊封、重布线或其它处理步骤的影响而发生。因为形成到半导体管芯的连接会很困难，因而影响处理中的良率、可靠性、成本和面板处置，所以翘曲在面板级封装中特别受关注。因此，需要克服与面板级翘曲相关联的问题。

技术实现思路

[0003]一般来说，提供一种方法，所述方法包括：形成具有由多个通道分隔开的多个平台区的载体，所述载体被配置并布置成在封装操作期间支撑多个半导体管芯；以及用结构材料填充所述多个通道，所述结构材料被配置成控制所述载体的翘曲。所述结构材料的顶表面可与所述多个平台区的顶表面大体上共面。所述形成所述载体可进一步包括去除载体材料以形成所述多个通道。可借助于蚀刻、锯切、激光消融或其组合去除所述载体材料。所述形成所述载体可进一步包括将材料添加到所述载体的基底部分，所添加的材料被配置成形成所述多个平台区。所添加的材料可包括不同于所述载体的所述基底部分的材料。所述结构材料可具有足以在所述封装操作期间维持所述载体的大体上平面条件的热膨胀系数。所述载体可包括金属、玻璃、石英或陶瓷材料。所述载体可进一步被配置成用于在所述封装操作期间借助于可释放粘合剂将所述多个半导体管芯附接到所述多个平台区。
[0004]在另一实施例中，提供一种用于制造封装半导体装置的设备，所述设备包括：具有由多个通道分隔开的多个平台区的载体，所述载体被配置并布置成在封装操作期间支撑多个半导体管芯；以及设置在所述多个通道中的结构材料，所述结构材料被配置成控制所述载体的翘曲。所述结构材料的顶表面可与所述多个平台区的顶表面大体上共面。所述多个通道可借助于蚀刻、锯切、激光消融或其组合形成于所述载体中。所述结构材料可具有足以在所述封装操作期间维持所述载体的大体上平面条件的热膨胀系数。所述多个平台区可包括不同于所述载体的基底部分的材料。所述载体可包括金属、玻璃、石英或陶瓷材料。
[0005]在又一实施例中，提供一种方法，所述方法包括：形成具有多个竖直通道和多个水平通道的载体，所述多个竖直通道和所述多个水平通道被配置并布置成分隔所述载体的多个平台区；以及用结构材料填充所述多个竖直通道和所述多个水平通道，所述结构材料被配置成在封装操作期间控制所述载体的翘曲。所述载体可被配置并布置成在所述封装操作期间支撑多个半导体管芯。所述形成所述载体可进一步包括借助于蚀刻、锯切、激光消融或其组合去除载体材料，以形成所述多个竖直通道和所述多个水平通道。所述结构材料的顶表面可与所述多个平台区的顶表面大体上共面。所述多个平台区可包括不同于所述载体的
基底部分的材料。
附图说明
[0006]本专利技术借助于例子示出并且不受附图的限制，在附图中的类似标记指示类似元件。图式中的元件为简单和清楚起见被示出，并且未必是按比例绘制。
[0007]图1以简化平面图示出根据实施例在一制造阶段处的示例翘曲控制载体。
[0008]图2以简化平面图示出根据实施例在一制造阶段处的替代示例翘曲控制载体。
[0009]图3到图6以简化横截面视图示出根据实施例在制造阶段处的示例翘曲控制载体。
[0010]图7到图9以简化横截面视图示出根据实施例在制造阶段处的替代示例翘曲控制载体。
具体实施方式
[0011]一般来说，提供用于半导体装置封装的可重复使用的翘曲控制载体。所述翘曲控制载体包括由通道分隔开的多个平台区。在一个方面中，所述平台区可借助于增材法形成，借此将材料添加到载体的基底部分。举例来说，平台区可通过将具有所要尺寸的预制结构附接到载体的基底部分而形成。以此方式，所附接的预制结构之间的间隔形成通道。在另一方面，平台区可借助于减材法形成，借此从载体的主体部分去除材料。举例来说，可借助于蚀刻、锯切、激光消融或其组合来去除主体材料的部分，以形成具有所要尺寸的通道。结果，形成具有所要尺寸和彼此的间隔的平台区。在形成平台区和对应通道的情况下，施配或以其它方式沉积结构材料以填充通道。结构材料用以以最小化半导体装置封装操作期间的翘曲的方式来增强载体的结构特性。通过最小化半导体装置封装操作期间的翘曲，可实现改进的良率、可靠性和成本。
[0012]图1以简化平面图示出根据实施例在一制造阶段处的示例翘曲控制载体100。在此制造阶段，载体100包括基底部分102、多个平台区104以及多个通道106和108。在此实施例中，载体100被描绘为例如具有12个平台区的圆形载体。在此实施例中，平台区104的数目和布置是出于说明的目的而选择。在其它实施例中，载体100可包括任何数目个平台区，且可形成为其它形状(例如，矩形、正方形)。在制造阶段沿着线A
‑
A截取的示例载体100的简化横截面视图描绘于图3到图6中。
[0013]载体100具有顶部主表面(例如，平台区104的顶表面)和底部主表面(例如，与顶部主表面相对的主表面)。在此实施例中，多个平台区104由多个通道106和108分隔开。如图1中所描绘，所述多个通道106形成为具有竖直朝向，且所述多个通道108形成为具有水平朝向。载体100被配置并布置成提供用于在半导体装置封装操作期间支撑多个半导体管芯和囊封体的临时结构。例如，可将粘合剂、双面胶或膜等施加到载体100的顶部主表面，以促进临时管芯附接和后续囊封。载体100可由合适的材料形成，例如金属、玻璃、石英、陶瓷、硅晶片，等。载体100可形成为任何合适的形状，例如圆形、正方形或矩形。举例来说，图2中描绘形成为直线形状的替代示例载体200。
[0014]图2以简化平面图示出根据实施例在一制造阶段处的替代示例翘曲控制载体200。在此制造阶段，载体200包括基底部分202、多个平台区204以及多个通道206和208。在此实施例中，载体200被描绘为例如具有16个平台区的大体上正方形载体。在此实施例中，平台
区204的数目和布置是出于说明的目的而选择。
[0015]载体200具有顶部主表面(例如，平台区204的顶表面)和底部主表面(例如，与顶部主表面相对的主表面)。在此实施例中，多个平台区204由多个通道206和208分隔开。如图2中所描绘，所述多个通道206形成为具有竖直朝向，且所述多个通道208形成为具有水平朝向。载体200被配置并布置成提供用于在半导体装置封装操作期间支撑多个半导体管芯和囊封体的临时结构。载体200可由合适的材料形成，例如金属、玻璃、石英、陶瓷、硅晶片，等。
[0016]图3以简化横截面图示出根据实施例在一制造阶段处的翘曲控制载体100。在此制造阶段，提供载体100的基底部分102。载体100的基底部分102可由合适的材料形成，例如金属、玻璃、石英、陶瓷、硅晶片，等。在此实施例中，在后续制造阶段借助于增材法形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其特征在于，包括：形成具有由多个通道分隔开的多个平台区的载体，所述载体被配置并布置成在封装操作期间支撑多个半导体管芯；以及用结构材料填充所述多个通道，所述结构材料被配置成控制所述载体的翘曲。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结构材料的顶表面与所述多个平台区的顶表面大体上共面。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述载体进一步包括去除载体材料以形成所述多个通道。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，借助于蚀刻、锯切、激光消融或其组合去除所述载体材料。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述载体进一步包括将材料添加到所述载体的基底部分，所添加的材料被配置成形成所述多个平台区。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述所添加的材料包括不同于所述载体的所述基底部分的材料。7.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：维韦克，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：