【技术实现步骤摘要】
涉及重驱动器。
技术介绍
1、重驱动器可以用于提供信号放大和/或波形整形，使得所传输信号在长通道上的表现合乎期望。举例来说，重驱动器可以用于减少插入损耗。然而，供应电压斜升或供应电压斜降可能致使重驱动器的一个或多个输入端和/或输出端处发生突然的电压改变。举例来说，从无供应电压(零伏)切换到最大供应电压或从最大供应电压切换到无供应电压(零伏)可能致使重驱动器的一个或多个输入/输出端处发生突然的电压改变。通常，重驱动器的输入/输出端电连接到具有大电容值的去耦电容器，这可使重驱动器输入/输出的直流(dc)电平与位于信号路径中的电连接到重驱动器的集成电路(ic)芯片隔离。由于去耦电容器的大电容值的缘故，如果所连接ic芯片的可接受的绝对最大电压由于突然的电压改变而低于输入/输出端处的电压，则重驱动器的输入/输出端处的突然的电压改变可能损坏所连接ic芯片。因此，需要可提供安全且稳健的解决方案来避免供应电压斜升或斜降期间重驱动器的输入/输出端处突然的电压改变的电压改变控制技术。
技术实现思路
1、公开重驱动器和用于重驱动器的电阻终端单元的实施例。在一实施例中，一种用于重驱动器的电阻终端单元包括：电阻器，其连接到重驱动器的输入/输出端；第一开关，其连接到电阻器和重驱动器的供应电压；第二开关，其连接到第一开关且被配置成响应于重驱动器的供应电压的改变而接通或断开；以及控制电路，其经由第二开关连接到第一开关且被配置成生成用于第一开关的控制信号。还描述了其它实施例。
2、在一实施例中，所述电阻
3、在一实施例中，第二控制电路包括电容器、第三开关、多个反相器和or门。
4、在一实施例中，电容器连接到重驱动器的供应电压，其中第三开关连接于电容器和参考电压之间，且其中反相器连接于电容器、第三开关和or门之间。
5、在一实施例中，第三开关包括晶体管，且重驱动器的电源良好信号或通电复位(por)信号施加到晶体管的栅极端。
6、在一实施例中，控制电路连接到第一开关的主体(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的本体)，且被配置成生成用于第一开关的主体端或引脚(例如，mosfet的主体端)的第二控制信号。
7、在一实施例中，第二开关包括传输门。
8、在一实施例中，电阻终端单元另外包括第二控制电路，其被配置成生成第二控制信号和第三控制信号用于响应于重驱动器的供应电压的改变而接通或断开传输门，且其中第二控制信号是第三控制信号的反相型式。
9、在一实施例中，电阻终端单元另外包括连接到第一开关和传输门的二极管装置。
10、在一实施例中，电阻终端单元另外包括连接于第一开关和参考电压之间的电容器。
11、在一实施例中，参考电压为零伏。
12、在一实施例中，第一开关包括p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)(pmos)晶体管，且第二开关连接到pmos晶体管的栅极端。
13、在一实施例中，重驱动器的供应电压的改变包括斜升事件，在斜升事件中，重驱动器的供应电压从零伏增大到预定义电压阈值。
14、在一实施例中，重驱动器的供应电压的改变包括斜降事件，在斜降事件中，重驱动器的供应电压从预定义电压阈值减小到零伏。
15、在一实施例中，重驱动器的供应电压包括dc电压。
16、在一实施例中，一种用于重驱动器的电阻终端单元包括：电阻器，其连接到重驱动器的输入/输出端；pmos晶体管，其连接到电阻器和重驱动器的供应dc电压；传输门，其连接到pmos晶体管的栅极端且被配置成响应于重驱动器的供应dc电压的改变而接通或断开；以及控制电路，其经由传输门连接到pmos晶体管且被配置成生成用于pmos晶体管的控制信号。
17、在一实施例中，电阻终端单元另外包括第二控制电路，其被配置成生成第二控制信号和第三控制信号用于响应于重驱动器的供应dc电压的改变而接通或断开传输门，且第二控制信号是第三控制信号的反相型式。
18、在一实施例中，电阻终端单元另外包括连接到pmos晶体管和传输门的二极管装置，以及连接于pmos晶体管和接地之间的电容器。
19、在一实施例中，重驱动器的供应电压的改变包括：斜升事件，其中重驱动器的供应dc电压从零伏增大到预定义电压阈值；或斜降事件，其中重驱动器的供应dc电压从预定义电压阈值减小到零伏。
20、在一实施例中，一种重驱动器包括：连续时间线性均衡器(ctle)，其被配置成执行信号均衡；传输器驱动器，其被配置成响应于信号均衡生成驱动器信号；第一电阻终端单元，其连接到传输器驱动器和重驱动器的第一输入/输出端；以及第二电阻终端单元，其连接到传输器驱动器和重驱动器的第二输入/输出端。第一电阻终端单元包括：第一电阻器，其连接到重驱动器的第一输入/输出端；第一pmos晶体管，其连接到第一电阻器和重驱动器的供应电压；第一开关，其连接到第一pmos晶体管的栅极端且被配置成响应于重驱动器的供应电压的改变而接通或断开；以及第一控制电路，其经由第一开关连接到第一pmos晶体管且被配置成生成用于第一pmos晶体管的第一控制信号。第二电阻终端单元包括：第二电阻器，其连接到重驱动器的第二输入/输出端；第二pmos晶体管，其连接到第二电阻器和重驱动器的供应电压；第二开关，其连接到第二pmos晶体管的栅极端且被配置成响应于重驱动器的供应电压的改变而接通或断开；以及第二控制电路，其经由第二开关连接到第二pmos晶体管且被配置成生成用于第二pmos晶体管的第二控制信号。
21、根据以下结合附图进行的以本专利技术的原理为例示出的具体实施方式，根据本专利技术的其它方面将显而易见。
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1.一种用于重驱动器的电阻终端单元，其特征在于，所述电阻终端单元包括：
2.根据权利要求1所述的电阻终端单元，其特征在于，另外包括第二控制电路，所述第二控制电路被配置成生成第二控制信号用于响应于所述重驱动器的所述供应电压的所述改变而接通或断开所述第二开关。
3.根据权利要求2所述的电阻终端单元，其特征在于，所述第二控制电路包括电容器、第三开关、多个反相器和OR门。
4.根据权利要求3所述的电阻终端单元，其特征在于，所述电容器连接到所述重驱动器的所述供应电压，其中所述第三开关连接于所述电容器和参考电压之间，且其中所述反相器连接于所述电容器、所述第三开关和所述OR门之间。
5.根据权利要求4所述的电阻终端单元，其特征在于，所述第三开关包括晶体管，且其中所述重驱动器的电源良好信号或通电复位(POR)信号施加到所述晶体管的栅极端。
6.根据权利要求1所述的电阻终端单元，其特征在于，所述控制电路连接到所述第一开关的主体，且被配置成生成用于所述第一开关的主体端或引脚的第二控制信号。
7.根据权利要求1所述的电阻终端单元，
8.根据权利要求7所述的电阻终端单元，其特征在于，另外包括第二控制电路，所述第二控制电路被配置成生成第二控制信号和第三控制信号用于响应于所述重驱动器的所述供应电压的所述改变而接通或断开所述传输门，且其中所述第二控制信号是所述第三控制信号的反相型式。
9.一种用于重驱动器的电阻终端单元，其特征在于，所述电阻终端单元包括：
10.一种重驱动器，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于重驱动器的电阻终端单元，其特征在于，所述电阻终端单元包括：
2.根据权利要求1所述的电阻终端单元，其特征在于，另外包括第二控制电路，所述第二控制电路被配置成生成第二控制信号用于响应于所述重驱动器的所述供应电压的所述改变而接通或断开所述第二开关。
3.根据权利要求2所述的电阻终端单元，其特征在于，所述第二控制电路包括电容器、第三开关、多个反相器和or门。
4.根据权利要求3所述的电阻终端单元，其特征在于，所述电容器连接到所述重驱动器的所述供应电压，其中所述第三开关连接于所述电容器和参考电压之间，且其中所述反相器连接于所述电容器、所述第三开关和所述or门之间。
5.根据权利要求4所述的电阻终端单元，其特征在于，所述第三开关包括晶体管，且其中所述重驱动...
【专利技术属性】
技术研发人员：张旭，赛马克·德尔沙特伯，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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