基板处理装置、基板处理方法、存储介质以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:36738863 阅读:18 留言:0更新日期:2023-03-04 10:13
本发明专利技术提供基板处理装置、基板处理方法、存储介质以及半导体装置的制造方法,能够防止通过了贯通孔的成膜气体的扩散。该技术具有以下工序:a)使基板载置于通过配置于基板载置台的贯通孔并从基板载置台的表面突出的多个升降销上;b)使基板载置台上升,使基板载置于基板载置台的表面上;c)在上述b)之后,使基板载置台停止在基板处理位置;以及d)使多个升降销向贯通孔内且与基板不接触的位置移动。向贯通孔内且与基板不接触的位置移动。向贯通孔内且与基板不接触的位置移动。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、基板处理方法、存储介质以及半导体装置的制造方法


[0001]本公开涉及一种基板处理装置、基板处理方法、存储介质以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体装置(器件)的制造工序中的基板处理中,使用了基板处理装置(也称为半导体制造装置)(例如,记载于专利文献1)。在这种基板处理装置中,在使基板载置台(也称为基座)下降至基板搬送位置时,升降销的上端部从基板载置面的上表面突出,升降销将基板从下方支撑。另外,在使基板载置台上升至基板处理位置时,升降销从基板载置面的上表面埋没,基板载置面从下方支撑基板。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2020

49575号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]有时在基板载置台存在贯通孔,该贯通孔用于基板交接时从基板载置台抬起基板的升降销上下。作为由该贯通孔引起的课题,存在散热量根据通过了贯通孔的成膜气体的对基板背面和基板载置的上表面(表面)的成膜而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:基板载置台;贯通孔,其配置于所述基板载置台;多个升降销;升降机构,其能够将所述多个升降销和所述基板载置台的至少一个以上上下移动;以及控制部,其构成为能够控制所述升降机构,以进行以下处理:a)使基板载置于通过所述贯通孔并从所述基板载置台的表面突出的所述多个升降销上;b)使所述多个升降销和所述基板载置台的至少一个以上移动,使所述基板载置于所述基板载置台的所述表面上;c)使所述基板载置台停止在基板处理位置;以及d)使所述多个升降销向所述贯通孔内且与所述基板不接触的位置移动。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制部构成为能够控制所述升降机构,以在b)之后进行c)。3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述控制部构成为能够控制所述升降机构,以在b)中进行使所述多个升降销在保持与所述基板载置台和所述基板不接触的状态下与所述基板载置台一起上升的处理。4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述升降机构包括能够将所述基板载置台上下移动的第一升降机构和能够将所述多个升降销上下移动的第二升降机构。5.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,所述升降机构包括能够将所述基板载置台独立地上下移动的第一升降机构和能够将所述多个升降销独立地上下移动的第二升降机构。6.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,所述升降机构包括能够将所述基板载置台上下移动的驱动系统,并且不包括能够将所述多个升降销上下移动的驱动系统,所述多个升降销具有与所述基板载置台的动作联动的构造。7.一种基板处理方法,其特征在于,具有以下工序:a)使基板载置于通过配置于基板载置台的贯通孔并从所述基板载置台的表面突出的多个升降销上;b)使所述多个升降销和所述基板载置台的至少一个以上移动,使所述基板载置于所述基板载置台的所述表面上;c)使所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:大桥直史吉野晃生中山雅则
申请(专利权)人:株式会社国际电气
类型:发明
国别省市:

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