一种太阳电池硼扩散选择性发射极及制备方法技术

本发明专利技术提供一种太阳电池硼扩散选择性发射极及制备方法，包括：N型晶体硅基体以及在所述N型晶体硅基体表面依次生长的P+掺杂层、以及掺杂硼的非晶硅层；对所述N型晶体硅基体的正表面做制绒处理，再进行硼扩散处理，形成所述P+掺杂层和硼硅玻璃层；根据金属化部分对所述硼硅玻璃层进行开槽；再沉积一掺有硼的非晶硅层，在掺有硼的非晶硅层上生长一层掩膜；去掉非金属化部分的掩膜，接着去除非金属化部分的掺有硼的非晶硅层；最后去除剩余的掩膜和残留的硼硅玻璃层。本发明专利技术的有益效果是降低扩散掺杂的浓度和表面浓度来降低表面复合速率，提升开压、电流，从而提升转换效率。从而提升转换效率。从而提升转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳电池硼扩散选择性发射极及制备方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池
，尤其是涉及一种太阳电池硼扩散选择性发射极及制备方法。

技术介绍

[0002]太阳能电池，是一种通过光伏效应将光能直接转化为电能的电力设备。目前，最常见的太阳能电池是由硅制成的大面积PN结，其他可能的太阳能电池类型有染料敏化太阳能电池、有机太阳能电池以及量子点太阳能电池等。
[0003]在N型电池制备过程中，p+发射极的硼杂质原子利用传统激光的方法无法实现重掺杂的目的，采用二次扩散的方法，二次高温的原因对硅基体的损伤很大，而且在制作的过程中，激光开槽很容易造成重掺区和轻掺杂区高度差导致空白区域，串阻急剧增大，无法达成目的，因此硼发射极无法利用激光重掺或者二次硼扩散重掺，这是目前面临最大的难题。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的问题是提供一种太阳电池硼扩散选择性发射极及制备方法，有效的解决目前采用二次扩散的方法，二次高温的原因对硅基体的热损伤很大，而且在制作的过程中，激光掺杂时的高温很容易造成重掺区和轻掺杂区高度差导致空白区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池硼扩散选择性发射极，包括：N型晶体硅基体以及在所述N型晶体硅基体表面依次生长的P+掺杂层、以及掺杂硼的非晶硅层。2.一种制备如权利要求1所述的一种太阳电池硼扩散选择性发射极的方法，其特征在于：对所述N型晶体硅基体的正表面做制绒处理；对所述N型晶体硅基体的正表面进行硼扩散处理，形成所述P+掺杂层，并在所述P+掺杂层表面还形成一硼硅玻璃层；根据金属化部分对所述硼硅玻璃层进行开槽，去除所述金属化部分的所述硼硅玻璃层；对处理后的所述N型晶体硅基体正表面沉积一所述掺有硼的非晶硅层，再在所述掺有硼的非晶硅层上生长一层掩膜；去掉除所述金属化部分以外的非金属化部分的所述掩膜，接着去除所述非金属化部分的所述掺有硼的非晶硅层；去除剩余的所述掩膜和残留的所述硼硅玻璃层，太阳电池硼扩散选择性发射极制备完成。3.根据权利要求2所述的一种太阳电池硼扩散选择性发射极的制备方法，其特征在于：所述N型晶体硅基体的电阻率为0.5
‑
5Ω
·
cm，厚度为80
‑
200μm。4.根据权利要求2或3所述的一种太阳电池硼扩散选择性发射极的制备方法，其特征在于：对所述N型晶体硅基体的正表面进行硼扩散处理中，硼源采用三溴化硼或者三氯化硼，扩散温度为900
‑
1100℃，扩散时间为120
‑
240min。5.根据权利要求4所述的一种太阳电池硼扩散选择性发射极的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王振刚，马擎天，宋楠，郁寅珑，俞超，
申请(专利权)人：环晟光伏江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：