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本发明提供一种太阳电池硼扩散选择性发射极及制备方法，包括：N型晶体硅基体以及在所述N型晶体硅基体表面依次生长的P+掺杂层、以及掺杂硼的非晶硅层；对所述N型晶体硅基体的正表面做制绒处理，再进行硼扩散处理，形成所述P+掺杂层和硼硅玻璃层；根据金...
该专利属于环晟光伏（江苏）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环晟光伏（江苏）有限公司授权不得商用。

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