关键尺寸的控制方法与控制系统技术方案

本发明专利技术提供了一种关键尺寸的控制方法与控制系统，该控制方法包括：建立光刻胶的曝光剂量与关键尺寸变异值的对应关系的第一数据库；获取关键尺寸的实际变异值，根据实际变异值与第一数据库，获取曝光剂量的第一修正量；建立光刻胶的烘烤与显影之间的等待时间与关键尺寸变异值的对应关系的第二数据库；预设烘烤与显影之间的标准延迟时间，获取光刻胶烘烤与显影之间的实际等待时间，并确定实际等待时间与标准延迟时间之间的时间差值；根据时间差值与第二数据库，获取关键尺寸的补偿变异值；根据补偿变异值与第一数据库，获取曝光剂量的第二修正量；根据第一修正量与第二修正量，修正光刻胶的曝光剂量；根据修正后的曝光剂量，进行关键尺寸的调整。进行关键尺寸的调整。进行关键尺寸的调整。

【技术实现步骤摘要】
关键尺寸的控制方法与控制系统


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种关键尺寸的控制方法与控制系统。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中，光刻是一种常用的制作工艺，通过光刻可以定义各种器件图形和线宽。光刻的步骤一般包括：光刻胶涂覆(Coating)、软烘烤(PAB，Post Adhesion Baking)、对准与曝光、曝光后烘烤(PEB，Post exposure Baking)、显影(Develop)及硬烘烤(PDB，Post Develop baking)，光刻质量的高低对半导体器件的性能、良率等具有重要影响。
[0003]随着超大集成电路的不断发展，电路设计越来越复杂、特征尺寸越来越小，电路的特征尺寸对器件性能的影响也越来越大。而光刻胶作为将电路图形转移至硅片的重要媒介，光刻胶图形的关键尺寸(CD)直接影响到硅片上实际的图形尺寸，最终影响产品的成品率。要确保硅片上图形的实际关键尺寸的精确性，首先要确保光刻胶图形关键尺寸的精确性。
[0004]光刻机进行光刻时的曝光剂量(Dose)直接影响关键尺寸的大小，关键尺寸的大小会影响后续图形转移等工艺的实际图形尺寸，导致工艺的不稳定，降低产品良。因此，需要根据目标关键尺寸对曝光剂量进行精确控制。
[0005]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0006]本公开实施例的目的在于提供一种关键尺寸的控制方法，能够以改善下一批曝光剂量的准确性，进而改善关键尺寸的变异。
[0007]根据本公开的一个方面，提供了一种关键尺寸的控制方法，该关键尺寸的控制方法包括：
[0008]建立光刻胶的曝光剂量与关键尺寸变异值的对应关系的第一数据库；
[0009]获取关键尺寸的实际变异值，根据所述实际变异值与所述第一数据库，获取曝光剂量的第一修正量；
[0010]建立光刻胶的烘烤与显影之间的等待时间与关键尺寸变异值的对应关系的第二数据库；
[0011]预设所述烘烤与显影之间的标准延迟时间，获取光刻胶烘烤与显影之间的实际等待时间，并确定所述实际等待时间与所述标准延迟时间之间的时间差值；
[0012]根据所述时间差值与第二数据库，获取关键尺寸的补偿变异值；
[0013]根据所述补偿变异值与所述第一数据库，获取曝光剂量的第二修正量；
[0014]根据所述第一修正量与所述第二修正量，修正光刻胶的曝光剂量；
[0015]根据修正后的曝光剂量，进行关键尺寸的调整。
[0016]在本公开的一种示例性实施例中，建立光刻胶的曝光剂量与关键尺寸变异值的对应关系的第一数据库，包括：
[0017]提供多个衬底，在所述衬底上形成光刻胶；
[0018]根据目标关键尺寸值，预设曝光剂量对所述光刻胶进行曝光处理；
[0019]在曝光处理后经第一时间后进行烘烤处理；
[0020]在烘烤处理后经第二时间进行显影处理；
[0021]测量不同曝光剂量下的光刻胶的测量关键尺寸值，根据所述测量关键尺寸值与所述目标关键尺寸值确定关键尺寸的变异值；
[0022]根据所述变异值与所述曝光剂量，建立光刻胶的曝光剂量与关键尺寸变异值的对应关系的第一数据库。
[0023]在本公开的一种示例性实施例中，根据所述变异值与所述曝光剂量，建立光刻胶的曝光剂量与关键尺寸变异值的对应关系的第一数据库，包括：
[0024]根据多组不同曝光剂量下的光刻胶的测量关键尺寸值，拟合出不同曝光剂量与光刻胶的测量关键尺寸值的第一线性相关系数；
[0025]根据所述第一线性相关系数，建立光刻胶的曝光剂量与关键尺寸变异值的对应关系的第一数据库。
[0026]在本公开的一种示例性实施例中，获取关键尺寸的实际变异值，根据所述实际变异值与所述第一数据库，获取曝光剂量的第一修正量，包括：
[0027]获取关键尺寸的实际变异值；
[0028]根据所述实际变异值与所述第一线性相关系数，获取曝光剂量的第一修正量。
[0029]在本公开的一种示例性实施例中，建立光刻胶的烘烤与显影之间的等待时间与关键尺寸变异值的对应关系的第二数据库，包括：
[0030]预设烘烤与显影之间的标准延迟时间与最大延迟时间；
[0031]建立所述标准延迟时间与所述最大延迟时间之间的时间段与关键尺寸变异值的对应关系的第二数据库。
[0032]在本公开的一种示例性实施例中，建立所述标准延迟时间与所述最大延迟时间之间的时间段与关键尺寸变异值的对应关系的第二数据库，包括：
[0033]提供多个衬底，在所述衬底上形成光刻胶；
[0034]根据目标关键尺寸值，预设曝光剂量对所述光刻胶进行曝光处理；
[0035]在曝光处理后经第一时间后进行烘烤处理；
[0036]在烘烤处理后经第二时间进行显影处理，所述第二时间位于所述标准延迟时间与所述最大延迟时间之间；
[0037]测量不同第二时间下的光刻胶的测量关键尺寸值，根据所述测量关键尺寸值与所述目标关键尺寸值确定关键尺寸的变异值；
[0038]根据所述变异值与所述第二时间，建立所述标准延迟时间与所述最大延迟时间之间的时间段与关键尺寸变异值的对应关系的第二数据库。
[0039]在本公开的一种示例性实施例中，根据所述变异值与所述第二时间，建立所述标准延迟时间与所述最大延迟时间之间的时间段与关键尺寸变异值的对应关系的第二数据
库，包括：
[0040]根据多组不同第二时间下的光刻胶的测量关键尺寸，拟合出不同第二时间与光刻胶的测量关键尺寸值的第二线性相关系数；
[0041]根据所述第二线性相关系数，建立所述标准延迟时间与所述最大延迟时间之间的时间段与关键尺寸变异值的对应关系的第二数据库。
[0042]在本公开的一种示例性实施例中，根据所述时间差值与第二数据库，获取关键尺寸的补偿变异值，包括：
[0043]获取时间差值与所述第二线性相关系数；
[0044]根据所述时间差值与所述第二线性相关系数，获取关键尺寸的补偿变异值。
[0045]在本公开的一种示例性实施例中，根据所述第一修正量与所述第二修正量，修正光刻胶的曝光剂量，包括：
[0046]获取本次曝光剂量；
[0047]将本次曝光剂量减去所述第一修正量，加上所述第二修正量，得到修正后的曝光剂量。
[0048]在本公开的一种示例性实施例中，所述光刻胶为正性光刻胶，所述关键尺寸为光刻胶被刻蚀部分的关键尺寸；或者，
[0049]所述光刻胶为负性光刻胶，所述关键尺寸为光刻胶保留部分的关键尺寸。
[0050]根据本公开的另一个方面，提供了一种关键尺寸的控制系统，该关键尺寸的控制系统包括：
[0051]第一数据库，包括光刻胶的曝光剂量与关键尺寸变异值的对应关系，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种关键尺寸的控制方法，其特征在于，包括：建立光刻胶的曝光剂量与关键尺寸变异值的对应关系的第一数据库；获取关键尺寸的实际变异值，根据所述实际变异值与所述第一数据库，获取曝光剂量的第一修正量；建立光刻胶的烘烤与显影之间的等待时间与关键尺寸变异值的对应关系的第二数据库；预设所述烘烤与显影之间的标准延迟时间，获取光刻胶烘烤与显影之间的实际等待时间，并确定所述实际等待时间与所述标准延迟时间之间的时间差值；根据所述时间差值与第二数据库，获取关键尺寸的补偿变异值；根据所述补偿变异值与所述第一数据库，获取曝光剂量的第二修正量；根据所述第一修正量与所述第二修正量，修正光刻胶的曝光剂量；根据修正后的曝光剂量，进行关键尺寸的调整。2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，建立光刻胶的曝光剂量与关键尺寸变异值的对应关系的第一数据库，包括：提供多个衬底，在所述衬底上形成光刻胶；根据目标关键尺寸值，预设曝光剂量对所述光刻胶进行曝光处理；在曝光处理后经第一时间后进行烘烤处理；在烘烤处理后经第二时间进行显影处理；测量不同曝光剂量下的光刻胶的测量关键尺寸值，根据所述测量关键尺寸值与所述目标关键尺寸值确定关键尺寸的变异值；根据所述变异值与所述曝光剂量，建立光刻胶的曝光剂量与关键尺寸变异值的对应关系的第一数据库。3.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，根据所述变异值与所述曝光剂量，建立光刻胶的曝光剂量与关键尺寸变异值的对应关系的第一数据库，包括：根据多组不同曝光剂量下的光刻胶的测量关键尺寸值，拟合出不同曝光剂量与光刻胶的测量关键尺寸值的第一线性相关系数；根据所述第一线性相关系数，建立光刻胶的曝光剂量与关键尺寸变异值的对应关系的第一数据库。4.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，获取关键尺寸的实际变异值，根据所述实际变异值与所述第一数据库，获取曝光剂量的第一修正量，包括：获取关键尺寸的实际变异值；根据所述实际变异值与所述第一线性相关系数，获取曝光剂量的第一修正量。5.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，建立光刻胶的烘烤与显影之间的等待时间与关键尺寸变异值的对应关系的第二数据库，包括：预设烘烤与显影之间的标准延迟时间与最大延迟时间；建立所述标准延迟时间与所述最大延迟时间之间的时间段与关键尺寸变异值的对应关系的第二数据库。6.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于，建立所述标准延迟时间与所述最大延迟时间之间的时间段与关键尺寸变异值的对应关系的第二数据库，包括：
提供多个衬底，在所述衬底上形成光刻胶；根据目标关键尺寸值，预设曝光剂量对所述光刻胶进行曝光处理；在曝光处理后经第一时间后进行烘烤处理；在烘烤处理后经第二时间进行显影处理，所述第二时间位于所述标准延迟时间与所述最大延迟时间之间；测量不同第二时间下的光刻胶的测量关键尺寸值，根据所述测量关键尺寸值与所述目标关键尺寸值确定关键尺寸的变异值；根据所述变异值与所述第二时间，建立所述标准延迟时间与所述最大延迟时间之间的时间段与关键尺寸变异值的对应关系的第二数据库。7.根据权利要求6所述的控制方法，其特征在于，根据所述变异值与所述第二时间，建立所述标准延迟时间与所述最大延迟时间之间的时间段与关键尺寸变异值的对应关系的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张君君，钞付芳，吴志民，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：