硼化合物、发光材料和有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及有机电致发光器件技术领域，具体而言，涉及硼化合物、发光材料和有机电致发光器件。硼化合物满足下述两种条件中的任意一种：(1)硼化合物中含有的硼元素的

【技术实现步骤摘要】
硼化合物、发光材料和有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及有机电致发光器件
，具体而言，涉及硼化合物、发光材料和有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]在OLED器件中，通过在一对电极之间施加电压，空穴从阳极注入，电子从阴极注入含有有机化合物作为发光材料的发光层。注入的电子通过和空穴再结合，形成有发光性的激子。被激发的有机化合物就会发光。也就是说，作为自发光器件，OLED比液晶设备可视性更好，并能提供更清晰的显示度。
[0003]OLED的发光层是由掺有发光材料作为掺杂的主体/掺杂构成。在这样的发光层中，可以从注入到主体中的电荷有效地产生激子。然后，产生的激子的能量可以转移到掺杂中，并且可以从掺杂中获得高效发光。
[0004]研究人员之前对发光层已经进行了各种研究，也在继续寻找合适的发光材料。例如，在多个芳环被硼或氧连接的多环芳烃化合物中，由于含有杂原子的六元环的芳度较低，随着共轭体系的扩大，HOMO
‑
LUMO间隙的下降很小，可以得到一个大的带隙Eg。据报道，由于SOMO1和SOMO2定位在三重激发态(T1)，这减少了两个轨道之间的交换作用，导致三重激发态(T1)和单重激发态(S1)之间的能量差异很小，含有杂原子的多环芳烃化合物表现出热活跃的延迟荧光，继而提升发光效率，但是现有对发光材料的改进有限，使得发光材料的种类少，发光材料的发光亮度或者其使用寿命还需进一步提升。
[0005]鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供硼化合物、发光材料和有机电致发光器件。该硼化合物制备有机电致发光器件时，能有效提升有机电致发光器件的发光亮度或者使得有机电致发光器件随着驱动发光强度下降较少，即延长有机电致发光器件的使用寿命，并扩展了发光材料的种类。
[0007]本专利技术是这样实现的：
[0008]第一方面，本专利技术提供一种硼化合物，所述硼化合物满足下述两种条件中的任意一种：(1)所述硼化合物中含有的硼元素的
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B的原子丰度为25atom％以上；(2)所述硼化合物中含有的硼元素的
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B原子丰度为83atom％以上。
[0009]通常天然存在的硼化合物含有19.9％的
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B，专利技术人经过研究发现，提升
10
B的原子丰度，使得
10
B的原子丰度为25atom％以上能够有效提升后续制备得到的有机电致发光器件的发光亮度。或者提升
11
B原子丰度，使得
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B原子丰度在83atom％以上，能够使得有机电致发光器件随着驱动发光强度下降较少，即延长有机电致发光器件的使用寿命。
[0010]其中，原子丰度是指一种元素的同位素混合物中，某特定同位素的原子数与该元素的总原子数之比值，以原子百分数(atom％)表示。
[0011]第二方面，本专利技术提供一种发光材料，其包括前述实施方式任一项所示的硼化合物；
[0012]优选地，所示硼化合物在所述发光材料中的质量含量为0.1
‑
20％；
[0013]优选地，所述发光材料还包括主体材料；
[0014]优选地，所述发光材料选自蒽衍生物；
[0015]优选地，所述蒽衍生物的结构通式如下所示：
[0016]其中，Y代表一个芳香族或非芳香族环状取代基，Cy2代表一个具有6至12个核碳的芳基；
[0017]优选地，Cy2为
[0018]第三方面，本专利技术提供一种有机电致发光器件，其通过前述实施方式任一项所述的硼化合物或前述实施方式所述的发光材料制备得到。
[0019]在可选的实施方式中，所述有机电致发光器件的发光层包括所述硼化合物或所述发光材料。
[0020]本专利技术具有以下有益效果：本专利技术实施例通过提升
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B的原子丰度使得
10
B的原子丰度为25atom％以上，能够有效提升后续制备得到的有机电致发光器件的发光亮度。或者通过提升
11
B的原子丰度使得
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B的原子丰度为83atom％以上，使得有机电致发光器件随着驱动发光强度下降较少，即延长有机电致发光器件的使用寿命。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0022]图1为本专利技术实施例提供的有机电致发光器件的结构示意图。
[0023]图标：1
‑
阳极；2
‑
空穴注入层；3
‑
空穴传输层；4
‑
电子阻挡层；5
‑
发光层；6
‑
空穴阻挡层；7
‑
电子传输层；8
‑
电子注入层；9
‑
阴极。
具体实施方式
[0024]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建
议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0025]本专利技术实施例提供一种硼化合物，硼化合物满足下述两种条件中的任意一种：(1)所述硼化合物中含有的硼元素的
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B的原子丰度为25atom％以上。例如，
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B的原子丰度为25atom％、30atom％、35atom％、40atom％、45atom％、50atom％、55atom％、60atom％、65atom％、70atom％、75atom％、80atom％、85atom％、80atom％、95atom％和98atom％等25atom％以上的任意数值，优选原子丰度为50atom％以上，优选为70atom％以上，更优选为85atom％以上。
[0026](2)所述硼化合物中含有的硼元素的
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B原子丰度为83atom％以上。可选择的原子丰度为83atom％、84atom％、85atom％、86atom％、87atom％、88atom％、89atom％、90atom％、91atom％、92atom％、93atom％、94atom％、95atom％、96atom％、97atom％、98atom％，优选为90atom％以上，更优选95atom％以上。
[0027]需要说明的是：通常天然存在的硼化合物含有19.9％的
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B。但是，可以通过使用离子交换树脂的色谱法等方法将
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B和
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B分离并分别浓缩得到高原子丰度的
10
B和
11
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硼化合物，其特征在于，所述硼化合物满足下述两种条件中的任意一种：(1)所述硼化合物中含有的硼元素的
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B的原子丰度为25atom％以上；(2)所述硼化合物中含有的硼元素的
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B原子丰度为83atom％以上。2.根据权利要求1所述的硼化合物，其特征在于，所述硼化合物中含有的硼元素的
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B的原子丰度为50atom％以上，优选为70atom％以上，更优选为85atom％以上；优选地，所述硼化合物中含有的硼元素的
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B原子丰度为90％以上，优选为95％以上。3.根据权利要求1或2所述的硼化合物，其特征在于，所述硼化合物的结构式如通式(1)所示：其中，Ar为取代或未取代3元
‑
20元芳杂基或取代或未取代6元
‑
40元芳环基，或相邻的Ar可以利用化学上可行的接合或稠合方式进行连接以形成环；优选地，Ar选自取代或未取代苯基、取代或未取代联苯基、取代或未取代三联苯基、取代或未取代萘基、取代或未取代蒽基、取代或未取代菲基、取代或未取代芘基、取代或未取代芴基、取代或未取代吡啶基、取代或未取代嘧啶基、取代或未取代三嗪基、取代或未取代吡咯基、取代或未取代吲哚基、取代或未取代咔唑基、取代或未取代呋喃基、取代或未取代苯并呋喃基、取代或未取代二苯并呋喃基、取代或未取代噻吩基、取代或未取代苯并噻吩基、取代或未取代二苯并噻吩基、取代或未取代恶唑基、取代或未取代噻唑基、取代或未取代恶二唑基、取代或未取代噻二唑基、取代或未取代三唑基、取代或未取代咪唑基、取代或未取代苯并咪唑基和取代或未取代三唑基中的任意一种，或相邻的Ar利用上述任意两种基团通过化学上可行的接合或稠合方式进行连接以形成环；优选地，取代3元
‑
20元芳杂基、取代6元
‑
40元芳环或相邻的Ar形成环中的取代基选自氰基、卤素、硝基、羰基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的氨基、取代或未取代的烷基中的任意一种。4.根据权利要求1或2所述的硼化合物，其特征在于，所述硼化合物的结构式如通式(2)所示：其中，R1‑
R
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分别独立地为氢、取代或未取代
芳基、取代或未取代杂芳基、取代或未取代二芳基氨基、取代或未取代二杂芳基氨基、取代或未取代芳基杂芳基氨基、取代或未取代烷基、取代或未取代烷氧基和取代或未取代芳氧基中的任意一种或R1‑
R
11
中任意相邻的两者利用化学上可行的接合或稠合方式进行连接以形成环；X不存在或为单键或选自N
‑
Ar、O、S、取代或未取代的亚甲基和取代或未取代的硅基中的任意一种；并且通式(2)中三个X不同时选择不存在；优选地，R1‑
R
11
中任意相邻的两者形成环中的取代基选自取代或未取代芳基、取代或未取代杂芳基、取代或未取代二芳基氨基、取代或未取代二杂芳基氨基、取代或未取代芳基杂芳基氨基、取代或未取代烷基、取代或未取代烷氧基和取代或未取代芳氧基中的任意一种；优选地，取代芳基、取代杂芳基、取代二芳基氨基、取代二杂芳基氨基、取代芳基杂芳...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓宇，汪康，徐佳楠，韩文坤，任卫华，张宇，张鹏，
申请(专利权)人：吉林奥来德光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：