一种应变半导体结构的制作方法技术

本发明专利技术提供一种应变半导体结构的制作方法，包括有源区定义步骤、外延生长步骤及同位刻蚀步骤，其中，有源区定义步骤包括提供一衬底并形成隔离结构于衬底中以在衬底中隔离出在水平方向上间隔设置的第一有源区与第二有源区；外延生长步骤包括基于第一有源区与第二有源区的表面生长得到外延层，外延层包括位于第一有源区表面的第一外延部及位于第二有源区表面的第二外延部；同位刻蚀步骤包括往腔体内通入刻蚀气体以使外延层边生长边消耗，最终第一外延部与第二外延部互不接触。本发明专利技术的应变半导体结构的制作方法能够避免SRAM区域内PMOS因外延生长产生连接从而导致PMOS结构短路现象的发生，提高SRAM器件的生产良率和性能稳定性。稳定性。稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种应变半导体结构的制作方法


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，涉及一种应变半导体结构的制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，硅衬底半导体器件的特征尺寸不断减小，其集成度及加工制造已收到严重制约，尺寸几乎缩小到极限。以CMOS器件等比例缩小为动力的硅集成电路技术已迈入纳米尺度，并将继续保持对摩尔定律的追求，进一步缩小器件尺寸，以满足芯片微型化、高密度化、高速化和系统集成化的要求。而随着技术节点的降低，芯片上晶体管的尺寸越来越小，其内部各组件的尺寸越做越小，只靠栅介质层缩小提高晶体管性能，逐渐趋近其物理与工艺极限，关态漏电、功耗密度增大、迁移率退化等物理极限使器件性能恶化，等比例缩小技术面临越来远严格的挑战。
[0003]目前，各种CMOS技术发展都在寻求不显著增加半导体器件漏电流的前提下，提高器件开态导通电流、提高器件速度的方法。其中，应力技术是改变硅衬底半导体器件沟道应力、提高载流子在导电沟道中迁移率，从而提高器件性能的有效方法，目前得到广泛应用的是应变硅技术。应变硅技术是指通过应变材料产生应力，并把应力引向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应变半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：有源区定义步骤：提供一衬底，形成隔离结构于所述衬底中，所述隔离结构在所述衬底中隔离出在水平方向上间隔设置的第一有源区与第二有源区；外延生长步骤：基于所述第一有源区与所述第二有源区的表面生长得到外延层，所述外延层包括位于所述第一有源区表面的第一外延部及位于所述第二有源区表面的第二外延部，所述外延生长步骤在一腔体内进行；同位刻蚀步骤：往所述腔体内通入刻蚀气体以使所述外延层边生长边消耗，最终所述第一外延部与所述第二外延部互不接触。2.根据权利要求1所述的应变半导体结构的制作方法，其特征在于：所述外延生长步骤与所述同位刻蚀步骤同时开始，或者在所述外延生长步骤进行预设时间后再开始所述同位刻蚀步骤。3.根据权利要求1所述的应变半导体结构的制作方法，其特征在于：所述外延生长步骤与所述同位刻蚀步骤同时结束，或者所述外延生长步骤先于或后于所述同位刻蚀步骤结束。4.根据权利要求1所述的应变半导体结构的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：李果，杜明峰，李杰，王学毅，
申请(专利权)人：联合微电子中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：