一种提升效率的光阻回刻方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种提升效率的光阻回刻方法及装置，通过将原有光阻回刻制程中需要在不同污染等级的两个刻蚀腔中分别进行的第一回刻步骤和第二回刻步骤合并在同一个刻蚀腔中连续完成，并建立了一个包含第一回刻步骤和第二回刻步骤的完整光阻回刻制程的新工艺菜单，从而能够按照新工艺菜单在同一个刻蚀腔中完成完整的光阻回刻制程，可在保证原有第一回刻步骤的刻蚀结果稳定性基础上，省略原本需要在第一回刻步骤和第二回刻步骤之间进行剩余光阻厚度测量的步骤，并可节约晶圆传送时间，同时还能避免原本在第一回刻步骤与第二回刻步骤之间可能发生的超等待时间的风险，明显缩短了工艺流程，提高了光阻回刻的整体效率。提高了光阻回刻的整体效率。提高了光阻回刻的整体效率。

【技术实现步骤摘要】
一种提升效率的光阻回刻方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路工艺
，尤其涉及一种提升效率的光阻回刻方法及装置。

技术介绍

[0002]在金属栅极工艺中，通常会采用后金属栅极工艺，即先利用多晶硅伪栅极来形成器件的栅介质层、沟道区和源漏区，然后再将多晶硅伪栅极去除，在去除的多晶硅伪栅极位置上进行栅极金属填充，形成金属栅极。在去除多晶硅伪栅极之前，通常还需要在多晶硅伪栅极的顶部上形成包括氮化硅硬掩模层和氧化物硬掩模层等的多层膜层，故在去除多晶硅伪栅极之前，需要将多晶硅伪栅极上方的各个膜层也加以去除。
[0003]为避免在去除多晶硅伪栅极上方的各个膜层的过程中对多晶硅伪栅极以外的有源区等其他区域造成损伤，一般会通过一道光刻，将有源区等其他区域保护起来，并通过光阻回刻制程，修整器件中心区域和外围区域(输入输出区域)上由于之前制作外延锗硅源漏带来的NFET与PFET之间的结构上的高度差，使位于中心区域和外围区域上具有不同高度的各个多晶硅伪栅极的上方都能得到打开，以改善晶圆表面的整体均一性。
[0004]光阻回刻制程一般分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升效率的光阻回刻方法，其特征在于，包括：利用一个刻蚀腔，建立具有控制完整的光阻回刻制程的工艺菜单，所述刻蚀腔具有第二污染等级；将完成光阻回刻前光刻的衬底，由第一污染等级的光刻设备送入第二污染等级的所述刻蚀腔中，连续完成所述完整的光阻回刻制程，所述完成光阻回刻前光刻的衬底上形成有伪栅极结构以及覆盖至少部分所述伪栅极结构的光阻；所述完整的光阻回刻制程包括用于刻蚀所述光阻的第一回刻步骤和用于刻蚀所述伪栅极结构中的氧化物硬掩模层的第二回刻步骤，所述第一污染等级低于所述第二污染等级。2.根据权利要求1所述的提升效率的光阻回刻方法，其特征在于，执行所述第一回刻步骤时，通过向所述刻蚀腔中通入O2气体和H2气体，对覆盖在所述衬底上的所述光阻进行部分刻蚀，使所述伪栅极结构的顶面露出。3.根据权利要求2所述的提升效率的光阻回刻方法，其特征在于，通过减小所述O2气体与所述H2气体之间的比率，降低对所述光阻的刻蚀速率，以抵消第二污染等级的所述刻蚀腔对所述光阻的刻蚀速率产生的加速效应。4.根据权利要求2所述的提升效率的光阻回刻方法，其特征在于，执行所述第二回刻步骤时，通过停止向所述刻蚀腔中通入O2气体和H2气体，并向所述刻蚀腔中通入CF4气体和CHF3气体，以及进行氩气轰击，对所述伪栅极结构中的氧化物硬掩模层进行去除。5.根据权利要求1所述的提升效率的光阻回刻方法，其特征在于，进行所述光刻前，还包括：先在包括所述伪栅极结构在内的所述衬底上覆盖刻蚀停止层，再在所述刻蚀停止层上覆盖所述光阻后，进行所述光刻。6.根据权利要求5所述的提升效率的光阻回刻方法，其特征在于，在完成所述第二回刻步骤后，利用对所述刻蚀停止层的剩余厚度进行测量步骤，对完成所述第一回刻步骤后的所述光阻的剩余厚度是否符合标准进行反向验证。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨磊，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：