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本发明公开了一种提升效率的光阻回刻方法及装置，通过将原有光阻回刻制程中需要在不同污染等级的两个刻蚀腔中分别进行的第一回刻步骤和第二回刻步骤合并在同一个刻蚀腔中连续完成，并建立了一个包含第一回刻步骤和第二回刻步骤的完整光阻回刻制程的新工艺菜单...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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